小型封裝內(nèi)置第4代SiC MOSFET,實現(xiàn)業(yè)界超高功率密度,助力xEV逆變器實現(xiàn)小型化!
1200 V器件采用SMD-7封裝,性能領先同類產(chǎn)品
新型驅動器可提供量身定制的導通和關斷時序,將開關損耗降至最低,并增強dV/dt抗擾性能
DrMOS,全稱Driver-MOSFET,是一種由Intel在2004年推出的高效節(jié)能技術。它通過將MOSFET和MOS驅動器集成到同一封裝中,實現(xiàn)了尺寸和功效的優(yōu)化。
【2024年4月15日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出其最新先進功率MOSFET 技術—— OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點包括功率密度顯著提高,和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的 48 V板網(wǎng)應用。它專為滿足高要求汽車應用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造,包括電動汽車的汽車直流-直流轉換器、48 V電機控制(例如電動助力轉向系統(tǒng)(EPS))、48 V電池開關以及電動兩輪車和三輪車等。
【2024年4月12日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY)推出采用 OptiMOS? MOSFET技術的SSO10T TSC 封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術,具有出色的熱性能,可避免熱量傳入或經(jīng)過汽車電子控制單元的印刷電路板(PCB)。該封裝能夠實現(xiàn)簡單、緊湊的雙面PCB設計,并更大程度地降低未來汽車電源設計的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此,SSO10T TSC適用于電動助力轉向(EPS)、電子機械制動(EMB)、配電、無刷直流驅動器(BLDC)、安全開關、反向電池和DCDC轉換器等應用。
門驅動器,作為電力電子技術中的關鍵組件,是連接控制系統(tǒng)與功率半導體器件之間的重要橋梁。它的主要功能是將微控制器或控制電路發(fā)出的低電平控制信號轉化為能夠驅動大功率半導體器件(如絕緣柵雙極型晶體管IGBT、金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET、碳化硅MOSFET等)所需的大電流或高壓信號,確保這些功率器件按照預定的開關時序準確無誤地工作。
在電子科技日新月異的今天,各類電子元器件的性能和參數(shù)成為了研究和應用的關鍵。其中,2N7002作為一種廣泛應用的N溝道MOSFET,其導通電壓是眾多工程師和技術人員關注的焦點。那么,2N7002的導通電壓究竟是多少?它又是如何影響電路性能的呢?本文將深入探索2N7002導通電壓的科技奧秘,并解析其在實際應用中的表現(xiàn)。
MOSFET是一種場效應晶體管(FET),全稱為金屬-氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。
2024 年 3 月 28 日,中國– STPOWER MDmesh DM9 AG系列的車規(guī)600V/650V超結 MOSFET為車載充電機(OBC)和采用軟硬件開關拓撲的DC/DC轉換器應用帶來卓越的能效和魯棒性。
【2024年3月20日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列,使電機驅動應用取得了飛躍性的進展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導通損耗和開關性能均有所改善,降低了電磁干擾(EMI)和開關損耗,有益于用于服務器、電信、儲能系統(tǒng)(ESS)、音頻、太陽能等用途的各種開關應用。此外,憑借寬安全工作區(qū)(SOA)和業(yè)界領先的RDS(on),該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品系列為客戶提供更高的功率密度、效率和系統(tǒng)可靠性,樹立了新的行業(yè)標準。
【2024年3月14日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET,以滿足工業(yè)和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC MOSFET,針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋(DAB)、HERIC、降壓/升壓和移相全橋(PSFB)拓撲結構進行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應用(包括電動汽車充電、工業(yè)驅動器、太陽能和儲能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務器/數(shù)據(jù)中心、電信等)和汽車領域(包括車載充電器(OBC)、直流-直流轉換器等)。
【2024年3月13日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求,而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求,也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓,可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件,CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,爬電距離為14 mm,電氣間隙為5.4 mm。該半導體器件得益于其較低的開關損耗,適用于太陽能(如組串逆變器)以及儲能系統(tǒng)和電動汽車充電應用。
開關電源是利用現(xiàn)代電力電子技術,控制開關管開通和關斷的時間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構成。
【2024年3月12日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術,開啟功率系統(tǒng)和能量轉換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比, 英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術在確保質(zhì)量和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(如能量和電荷儲量)提高了20%,不僅提升了整體能效,更進一步推動了低碳化進程。
專業(yè)研發(fā)提供節(jié)省空間的PoE ASFET和EMC優(yōu)化型NextPowerS3 MOSFET。
STGAP系列隔離柵極驅動器具有穩(wěn)健性能、簡化設計、節(jié)省空間和高可靠性的特性
MOSFET,全稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管,是一種電壓控制型半導體器件。它集輸入級與輸出級為一體,由P型和N型兩種不同類型的高效溝道增強型功率二極管組成。
【2024年1月25日,德國慕尼黑和中國深圳訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX /OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布其與全球充電技術領域的領導者安克創(chuàng)新(Anker Innovations) 在深圳聯(lián)合成立創(chuàng)新應用中心。該創(chuàng)新應用中心全面投入運營之后,將為開發(fā)能夠減少二氧化碳排放的高能效充電解決方案鋪平道路,從而推動低碳化進程。
在無線收發(fā)器等應用中,系統(tǒng)一般處于偏遠地區(qū),通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現(xiàn)場進行干預,此類應用必須持續(xù)運行。系統(tǒng)持續(xù)無活動或掛起后,需要復位系統(tǒng)以恢復操作。為了實現(xiàn)系統(tǒng)復位,可以切斷電源電壓,斷開系統(tǒng)電源,然后再次連接電源以重啟系統(tǒng)。