MOSFET
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納祥科技NX7011，應(yīng)用于電機(jī)的雙N溝道MOSFET，替代AP20G02BDF
納祥科技NX7011采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供了出色的RDS(ON)和較低的柵極電荷。該器件具有兩個(gè)獨(dú)立的 MOSFET且漏源導(dǎo)通電阻低，可最大限度地降低損耗并減少元件數(shù)，非常適合空間受限型產(chǎn)品的應(yīng)用。 在性能上，NX7011可以PIN TO PIN 兼容替代 AP20G02BDF 。
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納祥科技30V 20A雙N溝道MOSFET NX7010，高性能PIN TO PIN AP20H03DF
納祥科技NX7010是一款30V 20A雙N溝道MOSFET，它的工作原理是基于柵源電壓的控制。當(dāng)柵源電壓大于導(dǎo)通電壓時(shí)，兩個(gè)MOS管都處于導(dǎo)通狀態(tài)，電流從N1的源極流向N2的漏極，再?gòu)腘2的源極回到N1的漏極；當(dāng)柵極電壓小于截止電壓時(shí)，兩個(gè)MOS管都處于截止?fàn)顟B(tài)，電路中的電流幾乎為零。 在性能上，NX7010可以PIN TO PIN替代AP20H03DF
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Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
全新X.PAK封裝融合卓越散熱性能、緊湊尺寸與便捷封裝特性，適用于高功率應(yīng)用場(chǎng)景
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MOSFET和IGBT電源開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)的基本概念和作用?
它們的原理基于PN結(jié)及其組合、變形，同時(shí)還有結(jié)構(gòu)更為簡(jiǎn)單的二極管、BJT、JFET等元件。本節(jié)將重點(diǎn)介紹電機(jī)控制器中常用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管——Mosfet。
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英飛凌推出專為AI服務(wù)器優(yōu)化的新型48 V熱插拔控制器，擴(kuò)展其XDP?數(shù)字保護(hù)產(chǎn)品系列
【2025年3月14日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY)擴(kuò)展旗下XDP? 數(shù)字保護(hù)產(chǎn)品系列，推出 XDP711-001。這是一款擁有 48 V 寬輸入電壓范圍的數(shù)字熱插拔控制器，具備可編程安全操作區(qū)域(SOA)控制且專為高功率 AI 服務(wù)器設(shè)計(jì)。該控制器擁有出色的輸入及輸出電壓監(jiān)控與報(bào)告功能，精度達(dá) ≤0.4%，還有系統(tǒng)輸入電流監(jiān)控與報(bào)告功能，在全 ADC 范圍內(nèi)精度達(dá)≤0.75% ，可提升系統(tǒng)的故障檢測(cè)和報(bào)告準(zhǔn)確性。
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浮地非隔離半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)廣泛用于各種商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換器件中。這種開(kāi)關(guān)模式配置的核心是柵極驅(qū)動(dòng)器IC，其主要功能是使用脈寬調(diào)制信號(hào)向高端和低端MOSFET功率開(kāi)關(guān)提供干凈的電平轉(zhuǎn)換信號(hào)。
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MOSFET開(kāi)關(guān)管損失了解嗎？限制MOSFET開(kāi)關(guān)速度的因素有哪些
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)MOSFET的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)MOSFET具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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如何計(jì)算MOSFET驅(qū)動(dòng)電流？哪些因素影響MOSFET開(kāi)關(guān)損耗
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)MOSFET的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果MOSFET是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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MOSFET和JFET在性能特點(diǎn)上有什么區(qū)別？MOSFET和晶體管有什么區(qū)別
以下內(nèi)容中，小編將對(duì)MOSFET的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)MOSFET的了解，和小編一起來(lái)看看吧。
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分階段解讀MOSFET工作原理！功率MOSFET等效電路分享
本文中，小編將對(duì)MOSFET予以介紹，如果你想對(duì)MOSFET的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí)，或者想要增進(jìn)對(duì)MOSFET的了解程度，不妨請(qǐng)看以下內(nèi)容哦。
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并聯(lián)MOSFET有何優(yōu)勢(shì)？MOSFET開(kāi)關(guān)損耗是怎么回事
MOSFET將是下述內(nèi)容的主要介紹對(duì)象，通過(guò)這篇文章，小編希望大家可以對(duì)MOSFET的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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ROHM開(kāi)發(fā)出適用于AI服務(wù)器等高性能服務(wù)器電源的MOSFET
實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻和超寬SOA范圍
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度
【2025年2月20日, 德國(guó)慕尼黑訊】電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。
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DC-DC轉(zhuǎn)換器如何調(diào)整電流限制閾值
最近的進(jìn)展已經(jīng)通過(guò)在低側(cè)MOSFET(同步整流器)上取代壓降來(lái)消除電流檢測(cè)電阻。這種拓?fù)涔?jié)省了感測(cè)電阻的成本和空間，并且還提供了效率的適度提高。
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設(shè)計(jì)同步整流電源：MOSFET選擇與驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
在電力電子領(lǐng)域，同步整流技術(shù)以其高效率、低損耗的特點(diǎn)，成為現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的重要組成部分。特別是在直流-直流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器中，同步整流技術(shù)通過(guò)使用兩個(gè)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）來(lái)控制電流的方向，從而實(shí)現(xiàn)了電能的有效傳輸。本文將深入探討在設(shè)計(jì)同步整流電源時(shí)，如何選擇合適的MOSFET以及設(shè)計(jì)其驅(qū)動(dòng)電路，以確保電源的高效率和穩(wěn)定性。
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首先ALN MOSFET展示承諾和挑戰(zhàn)
超寬的帶隙(UWBG)材料可以擴(kuò)大寬帶蓋(WBG)材料(例如碳化硅)(SIC)和氮化碳(GAN)在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中提供的改進(jìn)范圍。在本文中，我們總結(jié)了基于UWBG鋁(ALN)的MOSFET設(shè)備的最初初始演示 。開(kāi)創(chuàng)性的工作突出了在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用該材料的一些承諾和挑戰(zhàn)。
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e絡(luò)盟正式開(kāi)售 Diotec Semiconductor 產(chǎn)品
面向工業(yè)、汽車、能源、照明和消費(fèi)電子市場(chǎng)，產(chǎn)品價(jià)格富有競(jìng)爭(zhēng)力，交貨期短
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如何為WLED構(gòu)建一個(gè)RGB PWM LED驅(qū)動(dòng)程序
在這個(gè)項(xiàng)目中，我將為WLED構(gòu)建一個(gè)RGB PWM LED驅(qū)動(dòng)程序。您可以使用此項(xiàng)目無(wú)線驅(qū)動(dòng)12v RGB LED條。這個(gè)項(xiàng)目是WLED兼容，這使得控制容易得多。你可以用它驅(qū)動(dòng)高達(dá)100w的RGB LED條。WLED運(yùn)行在XIAO ESP32C3上，LED驅(qū)動(dòng)器使用IRLFZ44N邏輯級(jí)MOSFET。讓我們開(kāi)始建造吧。
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當(dāng)過(guò)壓持續(xù)較長(zhǎng)時(shí)間時(shí)，使用開(kāi)關(guān)浪涌抑制器
在工業(yè)電子設(shè)備中，過(guò)壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開(kāi)關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應(yīng)對(duì)長(zhǎng)時(shí)間的過(guò)壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開(kāi)關(guān)浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負(fù)載正常運(yùn)行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的MOSFET散熱超過(guò)其處理能力時(shí)切斷電流。
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柵極驅(qū)動(dòng)器的工作原理是什么？柵極驅(qū)動(dòng)器電壓范圍是多少
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)柵極驅(qū)動(dòng)器的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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