MOSFET
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意法半導(dǎo)體碳化硅助力理想汽車加速進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車市場(chǎng)
2023年12月22日，中國(guó)北京-服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)，與設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造和銷售豪華智能電動(dòng)車的中國(guó)新能源汽車龍頭廠商理想汽車(紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項(xiàng)碳化硅(SiC)長(zhǎng)期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導(dǎo)體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車市場(chǎng)的戰(zhàn)略部署。
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英飛凌推出帶有集成溫度傳感器的全新 CoolMOS S7T
【2023年12月19日，德國(guó)慕尼黑訊】為提高結(jié)溫傳感的精度，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出帶有集成溫度傳感器的全新CoolMOS? S7T產(chǎn)品系列。通過在系統(tǒng)中集成該系列半導(dǎo)體產(chǎn)品，可提升許多電子應(yīng)用的耐用性、安全性和效率。CoolMOS? S7T具有出色的導(dǎo)通電阻和高精度嵌入式傳感器，最適合用于提高固態(tài)繼電器(SSR)應(yīng)用的性能和可靠性。
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英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET
【2023年12月7日，德國(guó)慕尼黑訊】數(shù)據(jù)中心和計(jì)算應(yīng)用對(duì)電源的需求日益增長(zhǎng)，需要提高電源的效率并設(shè)計(jì)緊湊的電源。英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì)，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率。
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Littelfuse推出FDA117光隔離光伏驅(qū)動(dòng)器為隔離開關(guān)應(yīng)用提供浮動(dòng)電源
提供高電壓與大電流，可驅(qū)動(dòng)不同行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)MOSFET/IGBT
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Littelfuse推出首款汽車級(jí)PolarP P通道增強(qiáng)模式功率MOSFET
要求嚴(yán)苛的高電壓汽車與工業(yè)應(yīng)用理想解決方案
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TrendForce集邦咨詢：預(yù)估2023年中國(guó)大陸成熟制程產(chǎn)能占比約29%，2027將擴(kuò)大至33%
Oct. 18, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì)，2023~2027年全球晶圓代工成熟制程(28nm及以上)及先進(jìn)制程(16nm及以下)產(chǎn)能比重大約維持在7:3。中國(guó)大陸由于致力推動(dòng)本土化生產(chǎn)等政策與補(bǔ)貼，擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度最為積極，預(yù)估中國(guó)大陸成熟制程產(chǎn)能占比將從今年的29%，成長(zhǎng)至2027年的33%，其中以中芯國(guó)際(SMIC)、華虹集團(tuán)(HuaHong Group)、合肥晶合集成(Nexchip)擴(kuò)產(chǎn)最為積極。
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Littelfuse宣布推出采用改進(jìn)型SOT-223-2L封裝的800V N溝道耗盡型MOSFET
非常適合工業(yè)、能源、電信和LED照明市場(chǎng)的電源應(yīng)用
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美浦森半導(dǎo)體通過SGS可靠性檢測(cè) 獲AEC-Q101認(rèn)證
深圳2023年9月21日 /美通社/ -- 近日，國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS為深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱：美浦森半導(dǎo)體）SLH60R041GTDA型號(hào)MOSFET產(chǎn)品頒發(fā)AEC-Q101認(rèn)證證書。美浦森半導(dǎo)體應(yīng)用總監(jiān)龐方杰、品質(zhì)工程經(jīng)理胡烺、SGS中國(guó)半導(dǎo)體及...
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意法半導(dǎo)體推出熱切換理想二極管控制器，適用于ASIL-D 汽車安全關(guān)鍵應(yīng)用
這款理想二極管控制器驅(qū)動(dòng)一個(gè)外部 MOSFET開關(guān)管，替代過去在輸入反向保護(hù)和輸出電壓保持電路中常用的肖特基二極管。MOSFET上的電壓降比肖特基二極管的正向電壓降低，因此，正常工作期間的耗散功率也低于二極管。當(dāng)電源失效、掉電或輸入短路等故障導(dǎo)致反向電壓事件時(shí)，關(guān)斷 MOSFET功率管可以阻止相關(guān)的反向電流瞬變事件。
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ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET 以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻
非常適用于通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機(jī)，有助于設(shè)備進(jìn)一步降低功耗和節(jié)省空間
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英飛凌高壓超結(jié) MOSFET 系列產(chǎn)品新增工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)器件，用于靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用
【2023年7月27日，德國(guó)慕尼黑訊】在靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用中，電源設(shè)計(jì)側(cè)重于最大程度地降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)以低成本實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量。為滿足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開關(guān)電源（SMPS）、太陽(yáng)能系統(tǒng)、電池保護(hù)、固態(tài)繼電器（SSR）、電機(jī)啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險(xiǎn)絲/電子斷路器和（混動(dòng)）電動(dòng)汽車車載充電器等應(yīng)用。
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儒卓力攜手威世在2023年慕尼黑上海電子展聯(lián)合展示汽車解決方案
全球領(lǐng)先的電子元器件分銷商儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)再次與威世科技攜手參加于2023年7月11-13日在上海虹橋國(guó)家會(huì)展中心舉辦的慕尼黑上海電子展(electronica China)，展出多款最新汽車解決方案。
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采用TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC?溝槽式MOSFET推動(dòng)電動(dòng)出行的發(fā)展
【2023 年 7 月 3 日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級(jí)1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車規(guī)級(jí)碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應(yīng)用的系統(tǒng)成本。
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意法半導(dǎo)體發(fā)布100V工業(yè)級(jí)STripFET F8晶體管，優(yōu)值系數(shù)提高 40%
2023 年 5 月 24 日，中國(guó)—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。
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采用增強(qiáng)互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設(shè)計(jì)高能效焊機(jī)
近年來，為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。
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ROHM開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET，有助于提高應(yīng)用設(shè)備工作效率
新推出40V～150V耐壓的共13款產(chǎn)品，非常適用于工業(yè)設(shè)備電源和各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)
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使用集成MOSFET限制電流的簡(jiǎn)單方法
電子電路中的電流通常必須受到限制。例如，在USB端口中，必須防止電流過大，以便為電路提供可靠的保護(hù)。同樣，在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過高會(huì)導(dǎo)致電池的壓降太大和下游設(shè)備的供電電壓不足。
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英飛凌適合高功率應(yīng)用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝注冊(cè)為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)
【2023年4月13日，德國(guó)慕尼黑訊】追求高效率的高功率應(yīng)用持續(xù)向更高功率密度及成本最佳化發(fā)展，也為電動(dòng)汽車等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了永續(xù)價(jià)值。為了應(yīng)對(duì)相應(yīng)的挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊(cè)為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。這項(xiàng)舉措不僅進(jìn)一步鞏固了英飛凌將此標(biāo)準(zhǔn)封裝設(shè)計(jì)和外型的TSC 封裝推廣至廣泛新型設(shè)計(jì)的目標(biāo)，也給OEM 廠商提供了更多的彈性與優(yōu)勢(shì)，幫助他們?cè)谑袌?chǎng)中創(chuàng)造差異化的產(chǎn)品，并將功率密度提升至更高水準(zhǔn)，以支持各種應(yīng)用。
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Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級(jí)碳化硅 MOSFET
【2023 年 4 月 13 日美國(guó)德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對(duì)直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)車 (EV) 電池充電器等應(yīng)用，對(duì)更高效率與更高功率密度的需求。
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Nexperia推出首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET)，管腳尺寸縮小60%
RDS(on)額外降低40%，功率密度提高58倍，適合電信和熱插拔計(jì)算應(yīng)用
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