搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開始量產(chǎn)
東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET
MOSFET開關(guān)速度對系統(tǒng)性能的影響
英飛凌推出采用 Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2,將工業(yè)應(yīng)用功率密度提升至新高度
開啟電子熱管理技術(shù)圈的正向設(shè)計之門|魯歐智造第三屆用戶大會成功舉辦
配置四開關(guān)降壓-升壓型μModule穩(wěn)壓器來適應(yīng)不同應(yīng)用:升壓、降壓或反相輸出
MOSFET失效模式分析:從雪崩擊穿到熱失控的預(yù)防措施
碳化硅(SiC)MOSFET的直流EMI特征,體二極管反向恢復(fù)與開關(guān)振鈴的協(xié)同抑制
iDEAL的SuperQ技術(shù)正式量產(chǎn),推出150V與200V MOSFET,展示業(yè)界領(lǐng)先的性能指標(biāo)
Microchip與臺達電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議,共創(chuàng)電源管理未來
燈具調(diào)光模塊開發(fā)(MOSFET,可控硅,DMX)
預(yù)算:¥50000關(guān)于燈具調(diào)光的成熟模塊應(yīng)用方案(MOSFET,LED調(diào)光)
預(yù)算:¥50000