MOSFET驅(qū)動電路設計將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對MOSFET驅(qū)動電路的相關情況以及信息有所認識和了解，詳細內(nèi)容如下。

一、好的MOSFET驅(qū)動電路具備哪些要求

在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET，其驅(qū)動電路，驅(qū)動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關性能。

當電源IC與MOS管選定之后，選擇合適的驅(qū)動電路來連接電源IC與MOS管就顯得尤其重要了。

一個好的MOSFET驅(qū)動電路有以下幾點要求：

（1） 開關管開通瞬時，驅(qū)動電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。

（2） 開關導通期間驅(qū)動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定且可靠導通。

（3） 關斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開關管能快速關斷。

（4） 驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)簡單可靠、損耗小。

（5） 根據(jù)情況施加隔離。

二、常見的MOSFET驅(qū)動方式（個個含電路圖）

1、直接驅(qū)動

最簡單的驅(qū)動方式，比如用單片機輸出PWM信號來驅(qū)動較小的MOS。使用這種驅(qū)動方式，應注意幾點；一是實際PWM和MOS的走線距離必定導致寄生電感引起震蕩噪聲，二是芯片的驅(qū)動峰值電流，因為不同芯片對外驅(qū)動能力不一樣。三是MOS的寄生電容Cgs、Cgd如果比較大，導通就需要大的能量，沒有足夠的峰值電流，導通的速度就會比較慢。

2、圖騰柱/推拉式驅(qū)動電路

由兩個三極管構(gòu)成，上管是NPN型，下管是PNP型三極管，兩對管共射聯(lián)接處為輸出端，結(jié)構(gòu)類似于乙類推挽功率放大器。利用這種拓撲放大驅(qū)動信號，增強電流能力。（ 驅(qū)動IC內(nèi)部也是集成了類似的結(jié)構(gòu) ）

3、隔離式驅(qū)動電路

為了滿足安全隔離也會用變壓器驅(qū)動。如圖其中R1抑制振蕩，C1隔直流通交流同時防止磁芯飽和。隔離式的驅(qū)動電路不太常見，就不做過多的了解。

小結(jié)： * 當然除以上驅(qū)動電路之外，還有很多其它形式的驅(qū)動電路。對于各種各樣的驅(qū)動電路并沒有一種是最好的，只能結(jié)合具體應用，選擇最合適的拓撲 。* **

以上就是小編這次想要和大家分享的有關MOSFET驅(qū)動電路的內(nèi)容，希望大家對本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章，可以在網(wǎng)頁頂部選擇相應的頻道哦。