MOSFET
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在電池保護應(yīng)用中如何選擇 MOSFET器件
在這篇文章中，我們將研究 MOSFET 用于電池保護。 每年，越來越多的電子設(shè)備由包含鋰離子 (Li ion) 電池的電池供電。高功率密度、低自放電率和易于充電使其成為幾乎所有便攜式電子產(chǎn)品的首選電池類型——如今，從口袋里的手機到每天數(shù)以百萬計開車上班的電動汽車，應(yīng)有盡有由鋰離子電池供電。盡管它們具有許多優(yōu)點，但這些電池也帶來了一定的風險和設(shè)計挑戰(zhàn)，如果不成功緩解這些風險和設(shè)計挑戰(zhàn)，可能會導致災(zāi)難性的后果。我認為沒有人會很快忘記 2016 年爆炸性的 Galaxy S7 設(shè)備平板電腦和隨后的召回。
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負載開關(guān)的應(yīng)用如何選擇 MOSFET器件
MOSFET 被用作負載開關(guān)的次數(shù)超過了在任何其他應(yīng)用中的使用量，一次數(shù)量為數(shù)億個。我可能應(yīng)該從我在這里定義“負載開關(guān)”的確切方式開始。為了這篇文章的緣故，考慮負載開關(guān)任何小信號 FET，其在系統(tǒng)中的唯一功能是將一些低電流 (
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如何選擇 MOSFET – 開關(guān)電源應(yīng)用
在當前市場上，高性能功率 MOSFET 最常見的用途或許也是選擇最合適的 FET 的最大挑戰(zhàn)。性能、價格和尺寸之間的權(quán)衡從來沒有比開關(guān)模式電源 (SMPS) 中使用的 MOSFET 更混亂。 遍歷一個詳盡的 SMPS 拓撲列表，包括隔離的和非隔離的，并列出每個拓撲最重要的考慮因素，這可能需要一個新奇的 - 一個比我這樣的簡單營銷工程師擁有更多技術(shù)知識的應(yīng)用程序?qū)＜?。但我確實希望在本博客的后續(xù)段落中，我可以提供至少一些技巧和陷阱來避免。
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如何選擇 MOSFET，基于各方面考量
在復雜的電源設(shè)計中，金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的選擇往往是事后才考慮的。畢竟，它只是一個三針設(shè)備。它有多復雜，對吧？但是任何喜歡生蠔的人都會（試圖）告訴你，外表可能是騙人的。嘗試選擇正確的 MOSFET 或“FET”可能比我們想象的要復雜。
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Nexperia推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合
在LFPAK封裝中采用新型SOA(安全工作區(qū)) Trench技術(shù)，可提供出色的瞬態(tài)線性模式性能，為設(shè)計人員帶來體積更小、更可靠的選擇。
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安森美推出全球首款TOLL封裝650 V碳化硅MOSFET
新器件縮小封裝尺寸60%，增強性能并減少損耗
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如何為 SiC MOSFET 選擇合適的柵極驅(qū)動器
碳化硅 (SiC) MOSFET 在功率半導體行業(yè)取得了重大進展，這要歸功于與硅基開關(guān)相比的一系列優(yōu)勢。這些包括更快的開關(guān)、更高的效率、更高的工作電壓和更高的溫度，從而產(chǎn)生更小、更輕的設(shè)計。 這些屬性導致了一系列汽車和工業(yè)應(yīng)用。但是像 SiC 這樣的寬帶隙器件也帶來了設(shè)計挑戰(zhàn)，包括電磁干擾 (EMI)、過熱和過壓條件，這些可以通過選擇正確的柵極驅(qū)動器來解決。
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TI的FemtoFET功率 MOSFET 減少PCB體積
《星際迷航》如何預測未來的技術(shù)進步繼續(xù)讓我感到驚訝?！缎请H迷航：原始系列》中的手持通訊器在 1960 年代作為道具出現(xiàn)在電視節(jié)目中時似乎是一個奇跡。然而，它又大又笨重，而且在幾集中，通訊器丟失或停止工作，這使得傳送回船上是不可能的。
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如何使用柵極驅(qū)動器設(shè)備來控制繼電器
雖然 MOSFET/IGBT 柵極驅(qū)動器設(shè)計用于以短時間高峰值電流驅(qū)動高頻容性負載，但我們知道它們還可以驅(qū)動感性負載，例如功率繼電器線圈嗎？這就是 MOSFET/IGBT 柵極驅(qū)動器的秘密生命。 這不是新概念。當它們驅(qū)動感性負載時，它們通常以低得多的頻率切換，驅(qū)動電流受線圈電阻的限制。柵極驅(qū)動 IC 已用于驅(qū)動電感負載，例如柵極驅(qū)動變壓器，但頻率范圍為數(shù)十至數(shù)百千赫。
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同時實現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復時間和超低導通電阻的600V耐壓超級結(jié) MOSFET “R60xxVNx系列”
非常有助于降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的功耗
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最全！盤點20V到1700V全覆蓋的國產(chǎn)MOSFET功率器件，工溫最高175℃
MOSFET作為不可替代的基礎(chǔ)性產(chǎn)品，被廣泛應(yīng)用在各個領(lǐng)域。在全球節(jié)能減排大環(huán)境下， MOSFET相比于IGBT和三極管器件功耗低、工作頻率高，無電流拖尾等現(xiàn)象產(chǎn)生。世強硬創(chuàng)平臺匯聚國產(chǎn)知名MOSFET功率器件制造商， 可提供20V-1700V，包含低壓，中壓，高壓MOSFET，工作溫度最高可達175℃，推動研發(fā)項目快速國產(chǎn)化選型。
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ST幾款高壓半橋驅(qū)動器介紹
ST的高壓驅(qū)動器旨在優(yōu)化矢量電機驅(qū)動系統(tǒng)，在高開關(guān)頻率和智能關(guān)機時具有優(yōu)異的性能，以保護最終應(yīng)用。 STDRIVE MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器集成了一個比較器保護，一個運放電流傳感和一個集成的引導二極管，從而減少了系統(tǒng)級別所需的外部組件的數(shù)量。
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級聯(lián) MOSFET 中高壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計注意事項
金屬氧化物半導體場效應(yīng)管（英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），簡稱金氧半場效晶體管是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。金屬氧化物半導體場效應(yīng)管依照其“溝道”的極性不同，可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型金氧半場效晶體管（NMOSFET）與P型金氧半場效晶體管（PMOSFET）。
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英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性
【2022年3月31日，德國慕尼黑訊】在數(shù)字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下，電力消耗日益增加。與此同時，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)當下全球發(fā)展大勢并滿足相關(guān)市場需求，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)，廣泛適用于大功率應(yīng)用，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、工業(yè)SMPS、電動汽車快速充電、電機驅(qū)動、太陽能系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)和電池化成等。
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Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍
新模型還可在原型設(shè)計前對EMC性能進行調(diào)查
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雙向DC/DC性能分析及研究
摘要:通過對雙向DC/DC變換器的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及功率損耗的分析研究,以尋求合理的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和性能參數(shù),達到提高雙向DC/DC變換性能的目的。通過對系統(tǒng)電路結(jié)構(gòu)及工作原理的分析、核心器件參數(shù)的計算和選擇、功率損耗的分析,首先進行了理論仿真,再經(jīng)過實驗測試,研究了在雙向DC/DC變換中驅(qū)動脈沖占空比及頻率、輸出電流等對雙向DC/DC性能及參數(shù)所產(chǎn)生的影響,從而確定了其最佳工作條件及參數(shù)。
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英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，樹立技術(shù)新標準
【2022年3月14日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標準。這些新器件采用薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，尺寸極小，卻具有顯著的性能優(yōu)勢。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列已針對服務(wù)器、通訊、便攜式充電器和無線充電等SMPS應(yīng)用中的同步整流進行了優(yōu)化。這些功率MOSFET還可在無人機中，應(yīng)用于小型無刷電機的ESC(電子速度控制)模塊。眾所周知，無人機通常需要尺寸小、重量輕的元器件。
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國內(nèi)率先實現(xiàn)12寸晶圓中低壓MOSFET，月產(chǎn)能可達100KK~150KK
新能源汽車和5G需要搭載大量電源管理IC，其中新能源汽車需要負荷瞬間大電流，因此需要更多的中高壓MOSFET。在疫情影響導致產(chǎn)能降低的情況下，IDM大廠為搶占新興市場，將部分中低壓MOSFET產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至中高壓MOSFET，使中低壓MOSFET出現(xiàn)供給短缺。中低壓MOSFET供應(yīng)商的交期平均為十幾周，有的甚至超過30周。銳駿憑借自建封裝廠和合作國內(nèi)封裝大廠，月產(chǎn)能100KK~150KK，中低壓MOSFET交期只需要2~4周。
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英飛凌推出新一代MOTIX?半橋驅(qū)動IC
繼發(fā)布BTN89xx獲得成功之后，英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）再次推出了全新的MOTIX? BTN99xx（NovalithIC?+）系列智能半橋驅(qū)動集成芯片。
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從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢對比
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應(yīng)用等下游市場的驅(qū)動，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅這樣的寬帶隙（WBG）器件也給應(yīng)用研發(fā)帶來了設(shè)計挑戰(zhàn)，因而業(yè)界對于碳化硅 MOSFET平面柵和溝槽柵的選擇和權(quán)衡以及其浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮。
