以下內(nèi)容中，小編將對(duì)包含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)功率MOSFET等效電路的了解，和小編一起來(lái)看看吧。

一、等效電路

所謂“等效”，是指在保持電路的效果不變的情況下，為簡(jiǎn)化電路分析，將復(fù)雜的電路或概念用簡(jiǎn)單電路或已知概念來(lái)代替或轉(zhuǎn)化，這種物理思想或分析方法稱為“等效”變換。需要注意的是，“等效”概念只是應(yīng)用于電路的理論分析中，是電工教學(xué)中的一個(gè)概念，與真實(shí)電路中的“替換”概念不同，即“等效”僅是應(yīng)用于理論假設(shè)中，不是真實(shí)電路中的“替換”。“等效”的目的是為了在電路分析時(shí)，簡(jiǎn)化分析過(guò)程，易于理解的一種電路分析手段。

在許多情況下，人們常利用作用的效果相同，來(lái)認(rèn)識(shí)和處理復(fù)雜的問(wèn)題。現(xiàn)代電子技術(shù)中，在分析一些復(fù)雜電路時(shí)，人們常常只關(guān)注整個(gè)電路(或電路的某一部分)的輸入、輸出關(guān)系，即電流和電壓的變化關(guān)系。這樣我們就可以用一個(gè)簡(jiǎn)單的電路代替復(fù)雜電路，使問(wèn)題得到簡(jiǎn)化。這個(gè)簡(jiǎn)單的電路就是復(fù)雜電路的等效電路。在《電子線路》等相關(guān)書(shū)籍中所提到的戴維南定理其實(shí)就是采用等效電路的思想將一個(gè)個(gè)十分復(fù)雜的電路進(jìn)行簡(jiǎn)化。通常情況下將電流表作短路處理，電壓表作開(kāi)路處理，結(jié)果是復(fù)雜的電路簡(jiǎn)化為純電阻的串并聯(lián)關(guān)系，再運(yùn)用并串聯(lián)電阻的求和方法將電路簡(jiǎn)化為只有一個(gè)電阻的情形。

二、包含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路

等效電路 說(shuō)明： 實(shí)際的功率MOSFET 可用三個(gè)結(jié)電容，三個(gè)溝道電阻，和一個(gè)內(nèi)部二極管及一個(gè)理想MOSFET 來(lái)等效。三個(gè)結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小有關(guān)，而門(mén)極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個(gè)溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時(shí)的通態(tài)電阻。

功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程原理 (1)：開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程實(shí)驗(yàn)電路

(2)：MOSFET 的電壓和電流波形

(3)：開(kāi)關(guān)過(guò)程原理 開(kāi)通過(guò)程[ t0 ~ t4 ]：

在 t0 前，MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài)，t0 時(shí)，MOSFET 被驅(qū)動(dòng)開(kāi)通;

[t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對(duì)Cgs充電而上升，在t1時(shí)刻，到達(dá)維持電壓Vth，MOSFET 開(kāi)始導(dǎo)電;

[t1-t2]區(qū)間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內(nèi)因DS 電容的放電而放電，對(duì)GS 電容的充電影響不大;

[t2-t3]區(qū)間，至t2 時(shí)刻，MOSFET 的DS 電壓降至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容大大增加，外部驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)Millier 電容進(jìn)行充電，GS 電容的電壓不變，Millier 電容上電壓增加，而DS電容上的電壓繼續(xù)減小;

[t3-t4]區(qū)間，至t3 時(shí)刻，MOSFET 的DS 電壓降至飽和導(dǎo)通時(shí)的電壓，Millier 電容變小并和GS 電容一起由外部驅(qū)動(dòng)電壓充電，GS 電容的電壓上升，至t4 時(shí)刻為止。此時(shí)GS 電容電壓已達(dá)穩(wěn)態(tài)，DS 電壓也達(dá)最小，即穩(wěn)定的通態(tài)壓降。

關(guān)斷過(guò)程[ t5 ~t9 ]：

在 t5 前，MOSFET 工作于導(dǎo)通狀態(tài)， t5 時(shí)，MOSFET 被驅(qū)動(dòng)關(guān)斷;

[t5-t6]區(qū)間，MOSFET 的Cgs 電壓經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路電阻放電而下降，在t6 時(shí)刻，MOSFET 的通態(tài)電阻微微上升，DS 電壓梢稍增加，但DS 電流不變;

[t6-t7]區(qū)間，在t6 時(shí)刻，MOSFET 的Millier 電容又變得很大，故GS 電容的電壓不變，放電電流流過(guò)Millier 電容，使DS 電壓繼續(xù)增加;

[t7-t8]區(qū)間，至t7 時(shí)刻，MOSFET 的DS 電壓升至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容迅速減小，GS 電容開(kāi)始繼續(xù)放電，此時(shí)DS 電容上的電壓迅速上升，DS 電流則迅速下降;

[t8-t9]區(qū)間，至t8 時(shí)刻，GS 電容已放電至Vth，MOSFET 完全關(guān)斷;該區(qū)間內(nèi)GS 電容繼續(xù)放電直至零。

以上便是小編此次帶來(lái)的有關(guān)包含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路的全部?jī)?nèi)容，十分感謝大家的耐心閱讀，想要了解更多相關(guān)內(nèi)容，或者更多精彩內(nèi)容，請(qǐng)一定關(guān)注我們網(wǎng)站哦。