MOSFET
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降壓轉(zhuǎn)換器頂部FET Q1的典型開(kāi)關(guān)波形和損耗
MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗,真正的晶體管需要時(shí)間才能打開(kāi)或關(guān)閉。因此，在導(dǎo)通和關(guān)斷瞬變期間存在電壓和電流重疊，從而產(chǎn)生交流開(kāi)關(guān)損耗。
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Nexperia現(xiàn)提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封裝的汽車級(jí)小信號(hào)MOSFET
單/雙封裝比傳統(tǒng)封裝具有更優(yōu)異的熱性能
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比較 N 溝道 MOSFET 和 P 溝道 MOSFET：哪種最適合您的應(yīng)用？
它們的反向摻雜分布是主要區(qū)別：p 通道 MOSFET 依靠空穴作為多數(shù)電荷載流子，產(chǎn)生空穴電流，而 n 通道器件利用電子，產(chǎn)生電子電流。由于電子的遷移率較高，約為空穴的兩到三倍，因此在 p 通道器件中移動(dòng)空穴比在 n 通道器件中移動(dòng)電子更具挑戰(zhàn)性。
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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制
在電力電子技術(shù)的快速發(fā)展中，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車、工業(yè)變頻器、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。這些應(yīng)用領(lǐng)域?qū)υO(shè)備的可靠性和性能要求極高，因此，現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器必須具備高效的隔離功能和強(qiáng)大的功率處理能力。本文將深入探討現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在提供隔離功能時(shí)的最大功率限制及其實(shí)現(xiàn)機(jī)制。
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MOSFET柵極充電機(jī)理是什么？MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的振蕩問(wèn)題解析
本文中，小編將對(duì)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路予以介紹，如果你想對(duì)它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí)，或者想要增進(jìn)對(duì)它的了解程度，不妨請(qǐng)看以下內(nèi)容哦。
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MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路重要參數(shù)解讀：導(dǎo)通電阻+驅(qū)動(dòng)功率
以下內(nèi)容中，小編將對(duì)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的了解，和小編一起來(lái)看看吧。
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MOSFET工作原理是什么？MOSFET管關(guān)斷過(guò)程的分析
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)MOSFET的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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功率MOSFET的雪崩現(xiàn)象了解嗎？功率MOSFET特性解讀
功率MOSFET將是下述內(nèi)容的主要介紹對(duì)象，通過(guò)這篇文章，小編希望大家可以對(duì)功率MOSFET的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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對(duì)SiC MOSFET進(jìn)行柵極應(yīng)力測(cè)試
了解半導(dǎo)體器件的故障模式是創(chuàng)建篩選、鑒定和可靠性測(cè)試的關(guān)鍵，這些測(cè)試可以確保器件在數(shù)據(jù)表規(guī)定的范圍內(nèi)運(yùn)行，并滿足汽車和其他電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中要求的越來(lái)越嚴(yán)格的十億分之一故障率。在本文中，我們將討論對(duì)碳化硅 MOSFET 器件執(zhí)行的柵極開(kāi)關(guān)應(yīng)力 (GSS) 測(cè)試。
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MOSFET柵極充電機(jī)理是什么？柵極驅(qū)動(dòng)電路的振蕩問(wèn)題分析
本文中，小編將對(duì)MOSFET予以介紹，如果你想對(duì)它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí)，或者想要增進(jìn)對(duì)它的了解程度，不妨請(qǐng)看以下內(nèi)容哦。
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驅(qū)動(dòng)MOSFET了解嗎？MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)功率詳解！
以下內(nèi)容中，小編將對(duì)MOSFET的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)MOSFET的了解，和小編一起來(lái)看看吧。
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如何設(shè)計(jì)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路電源？大神呀！
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)MOSFET的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果MOSFET是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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MOSFET為什么需要柵極電阻？MOSFET柵極電阻器和開(kāi)關(guān)特性你了解嗎？
在這篇文章中，小編將對(duì)MOSFET的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。
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如何防止MOSFET自開(kāi)通？3款實(shí)用電路直接拿去！
MOSFET將是下述內(nèi)容的主要介紹對(duì)象，通過(guò)這篇文章，小編希望大家可以對(duì)MOSFET自開(kāi)通的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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MOSFET漏極導(dǎo)通特性了解嗎？看看大佬怎么講明白的
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)MOSFET漏極導(dǎo)通特性的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)MOSFET具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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Nexperia最新擴(kuò)充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設(shè)計(jì)靈活性
針對(duì)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的低RDSon、低尖峰和高效率進(jìn)行了優(yōu)化
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ROHM開(kāi)發(fā)出安裝可靠性高的10種型號(hào)、3種封裝的車載Nch MOSFET，非常適用于汽車車門、座椅等所用的各種電機(jī)以及LED前照燈等應(yīng)用！
符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101，有助于車載應(yīng)用的高效運(yùn)行和小型化
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MOSFET失效機(jī)理是什么？MOSFET關(guān)斷解讀！
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)MOSFET失效機(jī)理和關(guān)斷的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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貿(mào)澤開(kāi)售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
2024年7月24日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術(shù)，開(kāi)啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量?jī)?chǔ)存系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
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IGBT在交流和直流電路中的應(yīng)用
晶閘管是現(xiàn)代電子學(xué)中使用最多的元件，邏輯電路用于開(kāi)關(guān)和放大。BJT和MOSFET是最常用的晶體管類型，它們每個(gè)都有自己的優(yōu)勢(shì)和一些限制
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