MOSFET
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TrendForce集邦咨詢：預估2023年中國大陸成熟制程產能占比約29%，2027將擴大至33%
Oct. 18, 2023 ---- 據TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2023~2027年全球晶圓代工成熟制程(28nm及以上)及先進制程(16nm及以下)產能比重大約維持在7:3。中國大陸由于致力推動本土化生產等政策與補貼，擴產進度最為積極，預估中國大陸成熟制程產能占比將從今年的29%，成長至2027年的33%，其中以中芯國際(SMIC)、華虹集團(HuaHong Group)、合肥晶合集成(Nexchip)擴產最為積極。
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Littelfuse宣布推出采用改進型SOT-223-2L封裝的800V N溝道耗盡型MOSFET
非常適合工業(yè)、能源、電信和LED照明市場的電源應用
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美浦森半導體通過SGS可靠性檢測 獲AEC-Q101認證
深圳2023年9月21日 /美通社/ -- 近日，國際公認的測試、檢驗和認證機構SGS為深圳市美浦森半導體有限公司（以下簡稱：美浦森半導體）SLH60R041GTDA型號MOSFET產品頒發(fā)AEC-Q101認證證書。美浦森半導體應用總監(jiān)龐方杰、品質工程經理胡烺、SGS中國半導體及...
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意法半導體推出熱切換理想二極管控制器，適用于ASIL-D 汽車安全關鍵應用
這款理想二極管控制器驅動一個外部 MOSFET開關管，替代過去在輸入反向保護和輸出電壓保持電路中常用的肖特基二極管。MOSFET上的電壓降比肖特基二極管的正向電壓降低，因此，正常工作期間的耗散功率也低于二極管。當電源失效、掉電或輸入短路等故障導致反向電壓事件時，關斷 MOSFET功率管可以阻止相關的反向電流瞬變事件。
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ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET 以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸實現(xiàn)業(yè)界超低導通電阻
非常適用于通信基站和工業(yè)設備等的風扇電機，有助于設備進一步降低功耗和節(jié)省空間
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英飛凌高壓超結 MOSFET 系列產品新增工業(yè)級和車規(guī)級器件，用于靜態(tài)開關應用
【2023年7月27日，德國慕尼黑訊】在靜態(tài)開關應用中，電源設計側重于最大程度地降低導通損耗、優(yōu)化熱性能、實現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設計，同時以低成本實現(xiàn)高質量。為滿足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結（SJ）MOSFET 的產品陣容。該系列器件主要適用于開關電源（SMPS）、太陽能系統(tǒng)、電池保護、固態(tài)繼電器（SSR）、電機啟動器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險絲/電子斷路器和（混動）電動汽車車載充電器等應用。
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儒卓力攜手威世在2023年慕尼黑上海電子展聯(lián)合展示汽車解決方案
全球領先的電子元器件分銷商儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)再次與威世科技攜手參加于2023年7月11-13日在上海虹橋國家會展中心舉辦的慕尼黑上海電子展(electronica China)，展出多款最新汽車解決方案。
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采用TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC?溝槽式MOSFET推動電動出行的發(fā)展
【2023 年 7 月 3 日，德國慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車規(guī)級碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現(xiàn)雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統(tǒng)成本。
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意法半導體發(fā)布100V工業(yè)級STripFET F8晶體管，優(yōu)值系數提高 40%
2023 年 5 月 24 日，中國—— 意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數 (FoM) 比上一代同類產品提高40%。
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采用增強互連封裝技術的1200 V SiC MOSFET單管設計高能效焊機
近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產品，因此，關于焊機能效的強制性規(guī)定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。
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ROHM開發(fā)出具有業(yè)界超低導通電阻的Nch MOSFET，有助于提高應用設備工作效率
新推出40V～150V耐壓的共13款產品，非常適用于工業(yè)設備電源和各種電機驅動
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使用集成MOSFET限制電流的簡單方法
電子電路中的電流通常必須受到限制。例如，在USB端口中，必須防止電流過大，以便為電路提供可靠的保護。同樣，在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過高會導致電池的壓降太大和下游設備的供電電壓不足。
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英飛凌適合高功率應用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝注冊為JEDEC標準
【2023年4月13日，德國慕尼黑訊】追求高效率的高功率應用持續(xù)向更高功率密度及成本最佳化發(fā)展，也為電動汽車等產業(yè)創(chuàng)造了永續(xù)價值。為了應對相應的挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊為 JEDEC 標準。這項舉措不僅進一步鞏固了英飛凌將此標準封裝設計和外型的TSC 封裝推廣至廣泛新型設計的目標，也給OEM 廠商提供了更多的彈性與優(yōu)勢，幫助他們在市場中創(chuàng)造差異化的產品，并將功率密度提升至更高水準，以支持各種應用。
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Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET
【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達驅動、太陽能逆變器、數據中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動車 (EV) 電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。
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Nexperia推出首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET)，管腳尺寸縮小60%
RDS(on)額外降低40%，功率密度提高58倍，適合電信和熱插拔計算應用
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設計，第五部分EPAD MOSFET 開關
EPAD MOSFET 在以適當的柵極電壓開啟時充當開關，其中在漏極和源極端子之間形成導電通道。源極端子作為輸入，漏極端子作為輸出。開關的導通電阻取決于由柵極電壓控制的溝道導通電流。在這種情況下，如果使用增強型器件，則可以通過柵極端子上的正偏置電壓打開開關，信號從源極傳播到漏極端子。信號本質上可以是數字的或模擬的，只要用戶考慮相對于開關通道導通電阻的輸入和輸出阻抗水平。
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設計，第四部分EPAD MOSFET 隔離和（二極管）鉗位介紹
許多電路需要將其輸入和輸入阻抗與輸出阻抗隔離，以便輸出負載不會干擾輸入信號。這有時可以通過使用晶體管緩沖器或運算放大器緩沖器來實現(xiàn)，每種緩沖器都存在許多設計權衡。例如，使用 ALD110800 零閾值 MOSFET，可以提供這種隔離，同時提供偏置到與輸入電平范圍相同的電壓電平的電路輸出。這是零閾值 MOSFET 的基本能力。輸入和輸出電平也可以偏置在固定電壓附近，例如 0.0V。
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設計，第三部分使用超低電源電壓驅動
在 5V、3.3V 或更低電壓下運行的低壓系統(tǒng)通常需要具有 1V 或更低閾值或開啟電壓的有源 MOSFET 器件。對于模擬設計，該閾值電壓直接影響工作信號電壓范圍。
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設計，第二部分EPAD MOSFET 關鍵性能特征
EPAD MOSFET 專為實現(xiàn)器件電氣特性的出色匹配而設計。這些器件專為實現(xiàn)最小失調電壓和差分熱響應而構建。由于集成在同一塊單片芯片上，它們還具有出色的溫度系數跟蹤特性。
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設計，第一部分EPAD MOSFET器件介紹
在電路設計中追求更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢，這給電氣工程師帶來了艱巨的挑戰(zhàn)，因為他們遇到了基本半導體器件特性對他們施加的限制。長期以來，工程師們一直將這些特性視為基本特性，并且可能阻礙了他們將可用電壓范圍最大化，否則會使新電路獲得成功。
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