本文中，小編將對功率MOSFET的正反向導通等效電路予以介紹，如果你想對功率MOSFET的詳細情況有所認識，或者想要增進對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。

一、功率MOSFET

功率MOSFET的內(nèi)部結構和電氣符號如圖1所示；其導通時只有一種極性的載流子（多子）參與導電，是單極型晶體管。導電機理與小功率mos管相同，但結構上有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向導電器件，功率MOSFET大都采用垂直導電結構，又稱為VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。功率MOSFET為多元集成結構，如國際整流器公司（International Rectifier）的HEXFET采用了六邊形單元；西門子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形單元；摩托羅拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形單元按“品”字形排列。

功率MOSFET工作原理如下：

截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結J1反偏，漏源極之間無電流流過。

導電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會有柵極電流流過。但柵極的正電壓會將其下面P區(qū)中的空穴推開，而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面

當UGS大于UT（開啟電壓或閾值電壓）時，柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過空穴濃度，使P型半導體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結J1消失，漏極和源極導電。

二、功率MOSFET的正反向導通等效電路集錦

1、功率MOSFET的正向導通等效電路

等效電路 說明： 功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。

2、功率MOSFET的反向導通等效電路

等效電路（門極不加控制） 說明： 即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。

3、功率MOSFET的反向導通等效電路

等效電路（門極加控制） 說明： 功率 MOSFET 在門級控制下的反向導通，也可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。此工作狀態(tài)稱為MOSFET 的同步整流工作，是低壓大電流輸出開關電源中非常重要的一種工作狀態(tài)。

4、功率MOSFET的正向截止等效電路

等效電路 說明： 功率 MOSFET 正向截止時可用一電容等效，其容量與所加的正向電壓、環(huán)境溫度等有關，大小可從制造商的手冊中獲得。

功率MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結 (1)：功率MOSFET 穩(wěn)態(tài)時的電流/電壓曲線

(2)：說明 功率 MOSFET 正向飽和導通時的穩(wěn)態(tài)工作點：

當門極不加控制時，其反向導通的穩(wěn)態(tài)工作點同二極管。 (3)：穩(wěn)態(tài)特性總結

門極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導通狀態(tài);當VgsVth時，器件處于導通狀態(tài);器件的通態(tài)電阻與Vgs有關，Vgs大，通態(tài)電阻小;多數(shù)器件的Vgs為 12V-15V ，額定值為+-30V;

器件的漏極電流額定是用它的有效值或平均值來標稱的;只要實際的漏極電流有效值沒有超過其額定值，保證散熱沒問題，則器件就是安全的;

器件的通態(tài)電阻呈正溫度系數(shù)，故原理上很容易并聯(lián)擴容，但實際并聯(lián)時，還要考慮驅動的對稱性和動態(tài)均流問題;

目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態(tài)電阻很小;

器件的同步整流工作狀態(tài)已變得愈來愈廣泛，原因是它的通態(tài)電阻非常小(目前最小的為2-4 毫歐)，在低壓大電流輸出的DC/DC 中已是最關鍵的器件;

經(jīng)由小編的介紹，不知道你對功率MOSFET是否充滿了興趣？如果你想對它有更多的了解，不妨嘗試在我們的網(wǎng)站里進行搜索哦。