電源是電子電路中有源器件工作的能量來源，電源的性能直接影響電子電路的性能，電源可以說是電子系統(tǒng)的“心臟”。
因為電源的反饋端加入了前饋電容，所以與反饋電阻形成新的零點和極點，雖然Cff在其零點頻率之后引入了增益提升，此處涉及較深的控制理論，不再展開敘述。
隨著汽車電動化程度的不斷提高，電機(jī)驅(qū)動功率模塊的性能和可靠性愈發(fā)重要。然而，這些模塊在工作過程中會產(chǎn)生大量熱量，若不能及時有效地散發(fā)出去，將導(dǎo)致模塊溫度過高，進(jìn)而影響其性能和壽命。例如，IGBT 模塊在導(dǎo)通和關(guān)斷過程中會產(chǎn)生功率損耗，這些損耗以熱量的形式釋放出來。而且，汽車運行工況復(fù)雜多變，功率模塊的發(fā)熱情況也隨之動態(tài)變化，這對冷卻系統(tǒng)的適應(yīng)性提出了很高要求。
在電子電路設(shè)計領(lǐng)域，放大器是極為關(guān)鍵的元件，用于增強(qiáng)電信號的幅度，以滿足各類電子設(shè)備的需求。內(nèi)置增益設(shè)置電阻的放大器和分立差動放大器是兩種常見類型，它們在電路結(jié)構(gòu)、性能表現(xiàn)、成本以及設(shè)計靈活性等方面存在諸多不同。深入了解這些差異，有助于工程師在設(shè)計電路時做出更合適的選擇，確保電路性能最優(yōu)化。
在現(xiàn)代科技高速發(fā)展的今天，靜電問題如影隨形，尤其是靜電放電(ESD)帶來的危害不容小覷。ESD 可能會導(dǎo)致電子元件損壞、設(shè)備故障，甚至引發(fā)火災(zāi)等嚴(yán)重后果，影響生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量。但別擔(dān)心，只要掌握科學(xué)的方法，ESD 靜電問題是可以輕松解決的。接下來，我們就深入探討如何有效應(yīng)對 ESD 靜電問題。
可控硅，即晶閘管，作為一種功率半導(dǎo)體器件，憑借其能夠在高電壓、大電流條件下實現(xiàn)電能控制的特性，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電力電子等眾多領(lǐng)域。在交流電路中，可控硅可用于調(diào)壓、整流、變頻等多種功能。然而，要實現(xiàn)精確的電能控制，不僅需要掌握可控硅的導(dǎo)通方法，更要深入理解其在交流通路下的關(guān)閉機(jī)制。本文將詳細(xì)探討可控硅在交流通路情況下的關(guān)閉原理與具體實現(xiàn)方法。
隨著芯片設(shè)計復(fù)雜度突破千億晶體管，傳統(tǒng)物理驗證（Physical Verification, PV）工具面臨資源爭用、任務(wù)調(diào)度混亂等問題。本文提出一種基于Kubernetes的EDA容器化部署方案，通過資源隔離、動態(tài)調(diào)度與彈性伸縮技術(shù)，在AWS云平臺上實現(xiàn)高并發(fā)物理驗證。實驗表明，該方案可使DRC/LVS驗證任務(wù)并發(fā)量提升5倍，關(guān)鍵任務(wù)響應(yīng)時間縮短70%，資源利用率從45%提升至88%。通過結(jié)合cgroups、NetworkPolicy和自定義資源定義（CRD），本文為超大規(guī)模芯片設(shè)計提供了安全、高效的云端物理驗證環(huán)境。
隨著7nm及以下工藝節(jié)點的普及，負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性（NBTI/PBTI）和熱載流子注入（HCI）效應(yīng)已成為影響芯片長期可靠性的關(guān)鍵因素。本文提出一種基于物理機(jī)理的老化感知時序收斂方法，通過建立BTI/HCI聯(lián)合老化模型，結(jié)合靜態(tài)時序分析（STA）與動態(tài)老化追蹤技術(shù)，實現(xiàn)從設(shè)計階段到簽核階段的全流程老化防護(hù)。實驗表明，該方法可使芯片在10年壽命周期內(nèi)的時序違規(guī)率降低92%，同時保持小于5%的面積開銷。
隨著先進(jìn)制程下芯片規(guī)模突破百億門級，傳統(tǒng)時序分析工具在路徑提取階段面臨計算復(fù)雜度指數(shù)級增長的問題。本文針對開源時序分析工具OpenTimer提出一種基于拓?fù)浼糁εc動態(tài)規(guī)劃的O(n)復(fù)雜度路徑提取算法，通過消除冗余計算、優(yōu)化數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)及并行化處理，使大規(guī)模電路的時序路徑提取效率提升兩個數(shù)量級。實驗表明，在3nm工藝28億晶體管GPU設(shè)計中，該算法將關(guān)鍵路徑分析時間從12小時縮短至42分鐘，內(nèi)存占用降低65%，為開源EDA工具的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用提供了關(guān)鍵支撐。
在電子電路設(shè)計與實踐中，穩(wěn)壓芯片是維持穩(wěn)定輸出電壓的關(guān)鍵組件。然而，當(dāng)我們將兩個輸出電壓不同的穩(wěn)壓芯片的輸出腳連接在一起時，會引發(fā)一系列復(fù)雜的物理現(xiàn)象和潛在風(fēng)險。這一操作不僅違反了常規(guī)的電路設(shè)計原則，還可能對電路系統(tǒng)造成不可逆的損害。接下來，我們將從電路原理、實際影響等多個角度深入探討這一問題。
在開關(guān)電源設(shè)計中，地彈噪聲（Ground Bounce）引發(fā)的邏輯誤觸發(fā)、信號完整性劣化及電磁輻射問題已成為制約系統(tǒng)可靠性的核心瓶頸。某DC-DC轉(zhuǎn)換器在12V轉(zhuǎn)3.3V電路中，因布局不合理導(dǎo)致1%產(chǎn)品無法啟動，經(jīng)分析發(fā)現(xiàn)地彈噪聲使COMP引腳電壓跌破-0.5V閾值，觸發(fā)芯片保護(hù)模式。本文提出基于分割地層與磁珠選型的量化評估準(zhǔn)則，結(jié)合物理公式與仿真驗證，實現(xiàn)地彈噪聲抑制30dB以上的效果。
電力電子效率?是指電力電子設(shè)備在轉(zhuǎn)換電能過程中的效率，通常定義為輸出功率與輸入功率的比值。
航空航天領(lǐng)域?qū)﹄娮釉O(shè)備的可靠性要求極高，尤其是在復(fù)雜的太空環(huán)境中，PCB（印制電路板）面臨著輻射、極端溫度、濕度等多種惡劣因素的挑戰(zhàn)。輻射是其中最為關(guān)鍵的影響因素之一，它可能導(dǎo)致PCB上的電子元件性能下降甚至失效，嚴(yán)重影響航天器的正常運行。抗輻照設(shè)計成為航空航天PCB設(shè)計的核心任務(wù)，其中三防漆選型與單粒子效應(yīng)防護(hù)布局是兩個至關(guān)重要的方面。
隨著電子設(shè)備向小型化、輕量化和高性能化方向發(fā)展，對印制電路板（PCB）的集成度和性能要求日益提高。超薄芯板（芯板厚度≤50μm）因其能夠顯著減小PCB的厚度、提高布線密度和信號傳輸速度，成為高端電子產(chǎn)品的關(guān)鍵材料。然而，超薄芯板的量產(chǎn)工藝面臨諸多挑戰(zhàn)，其中機(jī)械鉆孔微孔偏斜控制和無膠填孔技術(shù)是亟待解決的關(guān)鍵問題。
系統(tǒng)級芯片(System on Chip，簡稱SoC)，也稱片上系統(tǒng)，意指它是一個產(chǎn)品，是一個有專用目標(biāo)的集成電路，其中包含完整系統(tǒng)并有嵌入軟件的全部內(nèi)容。
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