馬自達(dá)與羅姆開始聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導(dǎo)體的汽車零部件

通過GaN功率半導(dǎo)體的社會(huì)應(yīng)用，助力汽車技術(shù)創(chuàng)新

ROHM開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超高光輻射強(qiáng)度的小型表貼型近紅外LED

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出小型頂部發(fā)光型表貼近紅外 (NIR)*1 LED新產(chǎn)品，非常適用于VR/AR*2設(shè)備、工業(yè)光學(xué)傳感器、人體感應(yīng)傳感器等應(yīng)用。

ROHM開發(fā)出適用于AI服務(wù)器等高性能服務(wù)器電源的MOSFET

實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻和超寬SOA范圍

羅姆入選“CDP氣候變化”與“CDP水安全”管理“A級(jí)”榜單企業(yè)

“氣候變化”領(lǐng)域?yàn)槭状稳脒x，“水安全”領(lǐng)域已連續(xù)四年入選

羅姆的EcoGaN?被村田制作所Murata Power Solutions的AI服務(wù)器電源采用

650V耐壓、TOLL封裝的GaN HEMT有助于進(jìn)一步提高電源效率

ROHM開發(fā)出適用于便攜式A4打印機(jī)的小型熱敏打印頭

～8英寸型號(hào)，實(shí)現(xiàn)業(yè)界先進(jìn)的11.67mm縱向?qū)挾龋?.2V驅(qū)動(dòng)，打印更節(jié)能～

羅姆功率半導(dǎo)體產(chǎn)品概要

近年來，全球耗電量逐年增加，在工業(yè)和交通運(yùn)輸領(lǐng)域的增長尤為顯著。另外，以化石燃料為基礎(chǔ)的火力發(fā)電和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)所產(chǎn)生的CO2(二氧化碳)排放量增加已成為嚴(yán)重的社會(huì)問題。因此，為了實(shí)現(xiàn)零碳社會(huì)，努力提高能源利用效率并實(shí)現(xiàn)碳中和已成為全球共同的目標(biāo)。

ROHM面向支持自動(dòng)駕駛的高速車載通信系統(tǒng)，開發(fā)出支持“CAN FD”的TVS二極管“ESDCANxx系列”

低電容設(shè)計(jì)可防止信號(hào)劣化，出色的抗浪涌能力可提高車載電子設(shè)備的保護(hù)性能

羅姆與臺(tái)積公司在車載氮化鎵功率器件領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited就車載氮化鎵功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。

ROHM開發(fā)出更小的通用貼片電阻器新產(chǎn)品“MCRx系列”

羅姆SoC用PMIC被無晶圓廠半導(dǎo)體制造商Telechips的 新一代座艙電源參考設(shè)計(jì)采用

羅姆生產(chǎn)的SoC用PMIC*1被無晶圓廠車載半導(dǎo)體綜合制造商Telechips Inc.的新一代座艙用SoC*2“Dolphin3”和“Dolphin5”為主的電源參考設(shè)計(jì)采用。該參考設(shè)計(jì)計(jì)劃用于歐洲汽車制造商的座艙，這種座艙預(yù)計(jì)于2025年開始量產(chǎn)。

羅姆的SoC用PMIC被無晶圓廠綜合性半導(dǎo)體制造商Telechips的新一代座艙電源參考設(shè)計(jì)采用

計(jì)劃于2025 年開始向歐洲汽車制造商供貨

法雷奧與羅姆聯(lián)合開發(fā)新一代功率電子領(lǐng)域

業(yè)界先進(jìn)的汽車零部件制造商Valeo Group（以下簡稱“法雷奧”）與全球知名半導(dǎo)體及電子元器件制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）將通過結(jié)合雙方在功率電子領(lǐng)域的專業(yè)知識(shí)和技術(shù)優(yōu)勢(shì)，聯(lián)合開發(fā)面向牽引逆變器的新一代功率模塊。作為雙方合作的第一步，羅姆將為法雷奧的新一代動(dòng)力總成解決方案提供碳化硅（SiC）塑封型模塊“TRCDRIVE pack?”。

ROHM開發(fā)出適合高分辨率音源播放的MUS-IC?系列第2代音頻DAC芯片

內(nèi)置ROHM自有的HD單聲道模式，除“空間音效”、“靜謐性”、“規(guī)模感”三要素外，還能真實(shí)地表現(xiàn)出樂器原本的“質(zhì)感”

采用自主設(shè)計(jì)封裝，絕緣電阻顯著提高！ROHM開發(fā)出支持更高電壓xEV系統(tǒng)的SiC肖特基勢(shì)壘二極管

與普通產(chǎn)品相比，可確保約1.3倍的爬電距離。即使是表貼型也無需進(jìn)行樹脂灌封絕緣處理