MOSFET
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Littelfuse推出高性能超級結(jié)X4-Class 200V功率MOSFET
提供業(yè)界領(lǐng)先的低通態(tài)電阻，使電池儲能和電源設(shè)備應(yīng)用的電路設(shè)計(jì)更加簡化，性能得到提升。
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英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET，賦能先進(jìn)的熱插拔技術(shù)和電池保護(hù)功能
【2024年11月25日, 德國慕尼黑訊】為了滿足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的 RDS(on) 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專為實(shí)現(xiàn)溝槽 MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面 MOSFET 的寬安全工作區(qū)（SOA）之間的理想平衡而設(shè)計(jì)。該半導(dǎo)體器件通過限制高浪涌電流防止對負(fù)載造成損害，并因其低RDS(on) 而能夠在工作期間將損耗降至最低。與上一代產(chǎn)品OptiMOS? Linear FET相比，OptiMOS? Linear FET 2改善了高溫下的 SOA、降低了柵極漏電流，并擴(kuò)大了封裝選擇范圍。
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電動(dòng)汽車的DC-DC轉(zhuǎn)換器類型
DC-DC轉(zhuǎn)換器是一種機(jī)電設(shè)備或電路，用于根據(jù)電路要求將直流電壓從一個(gè)電平轉(zhuǎn)換到另一個(gè)電平。作為電力轉(zhuǎn)換器家族的一部分，DC-DC轉(zhuǎn)換器可用于小電壓應(yīng)用，如電池，或高電壓應(yīng)用，如高壓電力傳輸。
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減輕 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)過沖
由于 SiC MOSFET 尺寸緊湊、效率更高，并且在高功率應(yīng)用中具有卓越的性能，因此目前正在開關(guān)應(yīng)用中取代 Si 器件。 SiC 器件可實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)時(shí)間，從而顯著降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢源于 SiC 器件獨(dú)特的電氣和材料特性——MOSFET 體二極管結(jié)構(gòu)固有的快速反向恢復(fù)，這削弱了 SiC MOSFET 的優(yōu)勢。在快速反向恢復(fù)事件期間，設(shè)備可能會(huì)經(jīng)歷較大的電壓尖峰，從而給設(shè)備和整個(gè)系統(tǒng)帶來風(fēng)險(xiǎn)。其他設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)包括增加的電磁干擾 (EMI) 和意外故障，例如假柵極事件或寄生導(dǎo)通 。幸運(yùn)的是，您可以減輕這些影響，從而優(yōu)化系統(tǒng)性能。
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意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 STGAP3S為 IGBT 和 SiC MOSFET 提供靈活的保護(hù)功能
面向空調(diào)、家電和工廠自動(dòng)化等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和充電站、儲能系統(tǒng)、電源等能源應(yīng)用的功率控制
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SiC上車提速，清純半導(dǎo)體把握國產(chǎn)替代先機(jī)
綜合自中汽協(xié)、EVvolumes.com的多方數(shù)據(jù)，新能源汽車行業(yè)增長勢頭強(qiáng)勁。我國2021、2022、2023年新能源汽車銷量分別為350萬輛、689萬輛、950萬輛，市場占有率31.6% 預(yù)計(jì)2024年產(chǎn)銷量1200-1300萬輛，市占率超過45%；約占全世界產(chǎn)銷量60%。
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業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列
數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)設(shè)備中高效電源解決方案的理想選擇
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線性放大電路中的乙類推挽功率放大器設(shè)計(jì)
開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。
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抑制紋波提高開關(guān)電源整體性能
開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制PWM控制IC和MOSFET構(gòu)成，控制開關(guān)管時(shí)間比率維持穩(wěn)定的輸出電壓。
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MOSFET柵極充電機(jī)理是什么？如何提高M(jìn)OSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？
一直以來，MOSFET都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)鞰OSFET的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請看下文。
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IGBT如何改善寄生電容，適合高頻操作
在導(dǎo)通特性方面，IGBT的導(dǎo)通損耗由器件導(dǎo)通時(shí)的壓降造成，其參數(shù)為Vce(sat)，隨溫度變化較小。而SiC MOSFET的導(dǎo)通特性表現(xiàn)得更像一個(gè)電阻輸出特性，具有更小的導(dǎo)通損耗，特別是在電流較小的情況下?2。
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雙管正激式開關(guān)電源主要組成部分詳解
雙管正激式開關(guān)電源是一種常見的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，采用了兩個(gè)功率開關(guān)管進(jìn)行功率調(diào)節(jié)。在這篇文章中，我將詳細(xì)解釋雙管正激式開關(guān)電源的原理、工作方式以及其應(yīng)用領(lǐng)域。
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MOSFET常見電路有哪些？3款MOSFET應(yīng)用電路介紹
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對MOSFET的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果MOSFET是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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MOSFET的應(yīng)用電路你都了解嗎？MOSFET在什么應(yīng)用條件要考慮雪崩能量？
一直以來，MOSFET都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)鞰OSFET的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請看下文。
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MOSFET對驅(qū)動(dòng)電路有哪些要求？常見的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路有哪些
MOSFET驅(qū)動(dòng)電路將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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你了解MOSFET驅(qū)動(dòng)電路嗎？2款常見的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路分享
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OSFET驅(qū)動(dòng)電路的有關(guān)報(bào)道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。
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MOSFET負(fù)載開關(guān)基本電路了解嗎？雙MOS如何設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開關(guān)？
本文中，小編將對MOSFET負(fù)載開關(guān)予以介紹，如果你想對它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識，或者想要增進(jìn)對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。
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MOSFET與IGBT的定義與特性
MOSFET，全稱Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。它由金屬、氧化物（如SiO?或SiN）及半導(dǎo)體三種材料制成，具有三個(gè)主要電極：源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
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IGBT和MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)有哪些
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為兩種重要的半導(dǎo)體功率器件，在電力電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。它們各自具有獨(dú)特的優(yōu)缺點(diǎn)，以下是對兩者優(yōu)缺點(diǎn)的詳細(xì)分析：
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一文詳解MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理
MOSFET的工作基于柵極電壓對導(dǎo)電溝道的控制。當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定值時(shí)，會(huì)在半導(dǎo)體中形成導(dǎo)電溝道，從而控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。
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