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MOSFET

我要報(bào)錯(cuò)
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

  • 非常見問題解答第225期：原來為硅MOSFET設(shè)計(jì)的DC-DC控制器能否用來驅(qū)動(dòng)GaNFET？

    眾所周知，GaNFET比較難驅(qū)動(dòng)，如果使用原本用于驅(qū)動(dòng)硅(Si) MOSFET的驅(qū)動(dòng)器，可能需要額外增加保護(hù)元件。適當(dāng)選擇正確的驅(qū)動(dòng)電壓和一些小型保護(hù)電路，可以為四開關(guān)降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅(qū)動(dòng)。

  • 首款新型TPSMB非對(duì)稱TVS二極管為汽車SiC MOSFET提供卓越的柵極驅(qū)動(dòng)器保護(hù)

    專為下一代電動(dòng)汽車基礎(chǔ)設(shè)施而設(shè)計(jì)，為高能效車載充電和逆變器提供結(jié)構(gòu)緊湊的單元件解決方案

  • 詳解PWM死區(qū)的意義

    電路中出現(xiàn)的死區(qū)是指輸入電壓在一定范圍內(nèi)時(shí)輸出電壓不變的現(xiàn)象。例如，在脈沖寬度調(diào)制(PWM)電路中，當(dāng)輸入信號(hào)的幅值超過某一閾值時(shí)，開關(guān)管就會(huì)打開，輸出信號(hào)的幅值就會(huì)隨之增加。但是，當(dāng)輸入信號(hào)幅值降至某一范圍內(nèi)時(shí)，輸出信號(hào)的幅值保持不變，從而產(chǎn)生了死區(qū)。

  • 在電力電子系統(tǒng)中，IGBT或MOSFET的死區(qū)介紹

    在電力電子系統(tǒng)中，特別是使用IGBT或MOSFET等功率元件時(shí)，死區(qū)時(shí)間非常重要。它確保在一個(gè)功率元件關(guān)閉后，另一個(gè)元件才能開啟，從而避免同時(shí)導(dǎo)通導(dǎo)致的短路風(fēng)險(xiǎn)。?

  • 哪些工藝參數(shù)會(huì)影響MOSFET閾值電壓？MOSFET雪崩失效解讀

    今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OSFET的有關(guān)報(bào)道，通過閱讀這篇文章，大家可以對(duì)MOSFET具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。

  • 非常見問題解答第224期：熱插拔控制器中的寄生振蕩

    使用高端N溝道MOSFET開關(guān)的熱插拔器件在啟動(dòng)和限流期間可能會(huì)發(fā)生振蕩。雖然這不是新問題，但數(shù)據(jù)手冊(cè)通常缺少解決方案的詳細(xì)信息。如果不了解基本原理，只是添加一個(gè)小柵極電阻進(jìn)行簡(jiǎn)單修復(fù)，可能會(huì)導(dǎo)致電路布局容易產(chǎn)生振蕩。本文旨在解釋寄生振蕩的理論，并為正確實(shí)施解決方案提供指導(dǎo)。

  • 用MATLAB實(shí)現(xiàn)單相半橋和全橋逆變器

    交流電(AC)電源幾乎用于所有的住宅、商業(yè)和工業(yè)需求。但是交流電最大的問題是它不能儲(chǔ)存起來以備將來使用。交流電被轉(zhuǎn)換成直流電，然后直流電被儲(chǔ)存在電池和超級(jí)電容器中?，F(xiàn)在，每當(dāng)需要交流時(shí)，直流又被轉(zhuǎn)換成交流電來運(yùn)行基于交流電的電器。所以把直流電轉(zhuǎn)換成交流電的裝置就叫做逆變器。

  • 使用MOSFET的簡(jiǎn)單h橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路

    一開始，驅(qū)動(dòng)電機(jī)似乎是一項(xiàng)簡(jiǎn)單的任務(wù)——只要把電機(jī)連接到合適的電壓軌道上，它就會(huì)開始旋轉(zhuǎn)。但這并不是驅(qū)動(dòng)電機(jī)的完美方式，特別是當(dāng)電路中涉及到其他組件時(shí)。這里我們將討論一種最常用和最有效的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)方式——H橋電路。

  • 用運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)一個(gè)簡(jiǎn)單的恒流吸收電路

    電流源和電流匯是電子設(shè)計(jì)中使用的兩個(gè)主要術(shù)語，這兩個(gè)術(shù)語決定了有多少電流可以離開或進(jìn)入終端。例如，典型8051單片機(jī)數(shù)字輸出引腳的吸收電流和源電流分別為1.6mA和60uA。這意味著引腳在高電平時(shí)可以提供(源)高達(dá)60uA，在低電平時(shí)可以接收(接收器)高達(dá)1.6mA。在我們的電路設(shè)計(jì)過程中，我們有時(shí)必須建立我們自己的電流源和電流吸收電路。在上一篇教程中，我們使用普通運(yùn)算放大器和MOSFET構(gòu)建了一個(gè)電壓控制的電流源電路，可用于向負(fù)載提供電流，但在某些情況下，我們需要電流吸收選項(xiàng)而不是源電流。

  • 使用MOSFET和晶體管的可編程增益放大器

    在測(cè)量行業(yè)中，一個(gè)非常關(guān)鍵的功能模塊是可編程增益放大器(PGA)。如果您是電子愛好者或大學(xué)生，您可能已經(jīng)見過萬用表或示波器非常珍貴地測(cè)量非常小的電壓，因?yàn)殡娐肪哂袃?nèi)置PGA和功能強(qiáng)大的ADC，有助于精確測(cè)量過程。

  • 230V交流電源過電壓保護(hù)電路

    由于技術(shù)的進(jìn)步和更好的設(shè)計(jì)偏好，大多數(shù)電源現(xiàn)在都非常可靠，但由于制造缺陷，或者可能是主開關(guān)晶體管或MOSFET壞了，總是有可能發(fā)生故障。此外，它也有可能由于輸入過電壓而失效，盡管像金屬氧化物壓敏電阻(MOV)這樣的保護(hù)裝置可以用作輸入保護(hù)，但是一旦MOV觸發(fā)，它就會(huì)使設(shè)備失效。

  • 簡(jiǎn)單的MOSFET開關(guān)電路-如何打開/關(guān)閉n溝道和p溝道MOSFET

    MOSFET是一種利用場(chǎng)效應(yīng)的晶體管。MOSFET代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它有一個(gè)柵極。為了簡(jiǎn)單起見，你可以把這個(gè)門想象成一個(gè)水龍頭你逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)水龍頭水開始流出水龍頭，你順時(shí)針旋轉(zhuǎn)它水停止流出水龍頭。同樣，柵極電壓決定器件的導(dǎo)電性。根據(jù)這個(gè)柵極電壓，我們可以改變電導(dǎo)率，因此我們可以把它用作開關(guān)或放大器，就像我們用晶體管作為開關(guān)或放大器一樣。自20世紀(jì)80年代功率MOSFET問世以來，功率開關(guān)變得更快、更高效。幾乎所有現(xiàn)代開關(guān)電源都使用某種形式的功率mosfet作為開關(guān)元件。

  • 如何使用MOSFET構(gòu)建高效的D類音頻放大器

    在過去的幾十年里，音頻內(nèi)容已經(jīng)走過了漫長的道路，從經(jīng)典的電子管放大器到現(xiàn)代的媒體播放器，技術(shù)進(jìn)步改變了數(shù)字媒體的消費(fèi)方式。在所有這些創(chuàng)新中，便攜式媒體播放器已成為消費(fèi)者的首選之一，因?yàn)樗鼈兙哂谐錆M活力的音質(zhì)和長電池壽命。那么它是如何工作的，它聽起來是多么的好。作為一個(gè)電子發(fā)燒友，這個(gè)問題總是出現(xiàn)在我的腦海里。盡管揚(yáng)聲器技術(shù)取得了進(jìn)步，但放大器方法的改進(jìn)發(fā)揮了重要作用，這個(gè)問題的明顯答案是D類放大器。因此，在本項(xiàng)目中，我們將借此機(jī)會(huì)討論D類放大器，并了解其優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。最后，我們將構(gòu)建放大器的硬件原型并測(cè)試其性能。聽起來很有趣，對(duì)嗎?讓我們開始吧。

  • 使用IRF540N MOSFET的DIY泡沫切割機(jī)

    但是使用聚苯乙烯泡沫塑料通常需要大量的加熱元件工具，這些工具價(jià)格昂貴，對(duì)于業(yè)余愛好者來說是遙不可及的。這里最好的選擇是自己創(chuàng)建一個(gè)加熱的泡沫塑料切割工具，因?yàn)榇蠖鄶?shù)在線教程都遵循使用固定電源的方法，它們將用戶體驗(yàn)限制在電線的長度上。因此，在本教程中，我們將使用鎳鉻合金線制作便攜式泡沫切割工具。

  • Zeus：一個(gè)交流到直流的高瓦電源單元

    當(dāng)我們?cè)诩依镒鲆粋€(gè)定制的RGB LED設(shè)置時(shí)，基本上它是一堆可尋址的5v LED WS2812，但不幸的是，我們沒有一個(gè)高電流的電源來正確地點(diǎn)亮它們。因?yàn)橛泻芏?，它需要大約9安培的電流來照亮全亮度。這導(dǎo)致我們?cè)O(shè)計(jì)一個(gè)電源為這個(gè)目的，以及gerber是共享的，所以如果有人想做這個(gè)電源，他們可以很容易地做到這一點(diǎn)。

  • Littelfuse推出高性能超級(jí)結(jié)X4-Class 200V功率MOSFET

    提供業(yè)界領(lǐng)先的低通態(tài)電阻，使電池儲(chǔ)能和電源設(shè)備應(yīng)用的電路設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)化，性能得到提升。

  • 英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET，賦能先進(jìn)的熱插拔技術(shù)和電池保護(hù)功能

    【2024年11月25日, 德國慕尼黑訊】為了滿足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的 RDS(on) 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專為實(shí)現(xiàn)溝槽 MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面 MOSFET 的寬安全工作區(qū)（SOA）之間的理想平衡而設(shè)計(jì)。該半導(dǎo)體器件通過限制高浪涌電流防止對(duì)負(fù)載造成損害，并因其低RDS(on) 而能夠在工作期間將損耗降至最低。與上一代產(chǎn)品OptiMOS? Linear FET相比，OptiMOS? Linear FET 2改善了高溫下的 SOA、降低了柵極漏電流，并擴(kuò)大了封裝選擇范圍。

  • 電動(dòng)汽車的DC-DC轉(zhuǎn)換器類型

    DC-DC轉(zhuǎn)換器是一種機(jī)電設(shè)備或電路，用于根據(jù)電路要求將直流電壓從一個(gè)電平轉(zhuǎn)換到另一個(gè)電平。作為電力轉(zhuǎn)換器家族的一部分，DC-DC轉(zhuǎn)換器可用于小電壓應(yīng)用，如電池，或高電壓應(yīng)用，如高壓電力傳輸。

  • 減輕 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)過沖

    由于 SiC MOSFET 尺寸緊湊、效率更高，并且在高功率應(yīng)用中具有卓越的性能，因此目前正在開關(guān)應(yīng)用中取代 Si 器件。 SiC 器件可實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)時(shí)間，從而顯著降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢(shì)源于 SiC 器件獨(dú)特的電氣和材料特性——MOSFET 體二極管結(jié)構(gòu)固有的快速反向恢復(fù)，這削弱了 SiC MOSFET 的優(yōu)勢(shì)。在快速反向恢復(fù)事件期間，設(shè)備可能會(huì)經(jīng)歷較大的電壓尖峰，從而給設(shè)備和整個(gè)系統(tǒng)帶來風(fēng)險(xiǎn)。其他設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)包括增加的電磁干擾 (EMI) 和意外故障，例如假柵極事件或寄生導(dǎo)通 。幸運(yùn)的是，您可以減輕這些影響，從而優(yōu)化系統(tǒng)性能。

  • 意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 STGAP3S為 IGBT 和 SiC MOSFET 提供靈活的保護(hù)功能

    面向空調(diào)、家電和工廠自動(dòng)化等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電源等能源應(yīng)用的功率控制