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非線性損耗建?？蓽?zhǔn)確估計(jì) SiC 轉(zhuǎn)換器性能
碳化硅 (SiC) MOSFET 因其技術(shù)固有的特性(例如高電壓能力、較低的導(dǎo)通電阻、耐高溫操作以及相對(duì)于硅更高的功率密度)而越來(lái)越受到電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的歡迎。因此，基于 SiC 的轉(zhuǎn)換器和逆變器是電池供電車輛 (BEV)、可再生能源以及需要最高效率的所有其他應(yīng)用的最佳選擇。
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SiC和GaN的可靠性
近年來(lái)，電力電子應(yīng)用中越來(lái)越多地從硅轉(zhuǎn)向碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。在過(guò)去的十年中，后者已被委托給SiC和GaN半導(dǎo)體，這無(wú)疑為電氣化和強(qiáng)勁的未來(lái)鋪平了道路。由于其固有特性，寬帶隙半導(dǎo)體在許多電力應(yīng)用中正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基器件。硅現(xiàn)在已經(jīng)風(fēng)光無(wú)限，其應(yīng)用的可靠性一直非常高。現(xiàn)在，有必要驗(yàn)證這兩種新型半導(dǎo)體從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看是否可以提供相同的安全前景，以及它們?cè)谖磥?lái)是否對(duì)設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)是可靠的。
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電力電子熱管理的未來(lái)趨勢(shì)
在快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，熱管理已成為確保設(shè)備可靠性、效率和壽命的關(guān)鍵因素。這對(duì)于電動(dòng)汽車等能源密集型行業(yè)尤其重要，其中碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 電子電路解決方案(例如逆變器、轉(zhuǎn)換器和充電電路)正在徹底改變這一領(lǐng)域。
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TrendForce集邦咨詢: 3Q24中國(guó)電動(dòng)車牽引逆變器裝機(jī)量占全球61%，歐洲積極推進(jìn)改革
Dec. 10, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，2024年第三季度全球電動(dòng)車牽引逆變器總裝機(jī)量達(dá)687萬(wàn)臺(tái)，雖季增7%，但增長(zhǎng)幅度較去年同期已有縮減。其中，PHEV牽引逆變器的裝機(jī)量季增16%，雖然低于前一季的35%，但仍是所有動(dòng)力模式中增幅最高的。
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英飛凌攜手Stellantis，推動(dòng)下一代汽車架構(gòu)的功率轉(zhuǎn)換和分配創(chuàng)新
【2024年11月18日, 德國(guó)慕尼黑和阿姆斯特丹訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和Stellantis N.V. 近日宣布，雙方將共同開(kāi)發(fā)Stellantis電動(dòng)汽車的功率架構(gòu)，助力Stellantis實(shí)現(xiàn)為大眾提供環(huán)保、安全、經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的出行方式這一遠(yuǎn)大目標(biāo)。
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意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 STGAP3S為 IGBT 和 SiC MOSFET 提供靈活的保護(hù)功能
面向空調(diào)、家電和工廠自動(dòng)化等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電源等能源應(yīng)用的功率控制
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采用自主設(shè)計(jì)封裝，絕緣電阻顯著提高！ROHM開(kāi)發(fā)出支持更高電壓xEV系統(tǒng)的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
與普通產(chǎn)品相比，可確保約1.3倍的爬電距離。即使是表貼型也無(wú)需進(jìn)行樹(shù)脂灌封絕緣處理
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SiC上車提速，清純半導(dǎo)體把握國(guó)產(chǎn)替代先機(jī)
綜合自中汽協(xié)、EVvolumes.com的多方數(shù)據(jù)，新能源汽車行業(yè)增長(zhǎng)勢(shì)頭強(qiáng)勁。我國(guó)2021、2022、2023年新能源汽車銷量分別為350萬(wàn)輛、689萬(wàn)輛、950萬(wàn)輛，市場(chǎng)占有率31.6% 預(yù)計(jì)2024年產(chǎn)銷量1200-1300萬(wàn)輛，市占率超過(guò)45%；約占全世界產(chǎn)銷量60%。
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科索3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用羅姆的EcoSiC?
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆生產(chǎn)的EcoSiC?產(chǎn)品——SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”），被日本先進(jìn)電源制造商COSEL CO., LTD. （以下簡(jiǎn)稱“科索”）生產(chǎn)的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用。強(qiáng)制風(fēng)冷型“HFA系列”和傳導(dǎo)散熱型“HCA系列”均搭載了羅姆的SiC MOSFET和SiC SBD，從而實(shí)現(xiàn)了最大94%的工作效率。“HCA系列”于2023年開(kāi)始量產(chǎn)和銷售，“HFA系列”于2024年開(kāi)始量產(chǎn)和銷售。
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業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對(duì)稱瞬態(tài)抑制二極管系列
數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)設(shè)備中高效電源解決方案的理想選擇
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IGBT如何改善寄生電容，適合高頻操作
在導(dǎo)通特性方面，IGBT的導(dǎo)通損耗由器件導(dǎo)通時(shí)的壓降造成，其參數(shù)為Vce(sat)，隨溫度變化較小。而SiC MOSFET的導(dǎo)通特性表現(xiàn)得更像一個(gè)電阻輸出特性，具有更小的導(dǎo)通損耗，特別是在電流較小的情況下?2。
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軟開(kāi)關(guān)和 SiC 器件如何改善功率轉(zhuǎn)換
效率和功率密度都是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的重要因素。每個(gè)造成能量損失的因素都會(huì)產(chǎn)生熱量，而這些熱量需要通過(guò)昂貴且耗電的冷卻系統(tǒng)來(lái)去除。軟開(kāi)關(guān)和碳化硅 (SiC) 技術(shù)的結(jié)合可以提高開(kāi)關(guān)頻率，從而可以減小臨時(shí)存儲(chǔ)能量的無(wú)源元件的尺寸和數(shù)量，并平滑開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器的輸出。SiC 還為產(chǎn)生更少熱量并利用更小散熱器的轉(zhuǎn)換器提供了基礎(chǔ)。
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如何量化 SiC FET 的脈沖電流能力
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體器件，例如碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)，以其最小的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗而聞名。除了這些特性之外，該技術(shù)還可以承受高脈沖電流，在固態(tài)斷路器等應(yīng)用中特別有優(yōu)勢(shì)。本文深入探討了 SiC FET 的特性，并與傳統(tǒng)硅解決方案進(jìn)行了比較分析。
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SiC 和 GaN 器件如何老化？
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 寬帶隙 (WBG) 技術(shù)因其在許多高功率領(lǐng)域優(yōu)于硅 (Si) 的性能而聞名，包括其高效率和高開(kāi)關(guān)頻率。然而，與單晶硅不同，SiC 和 GaN 具有獨(dú)特的設(shè)計(jì)和應(yīng)用問(wèn)題，工程師在將這些技術(shù)用于設(shè)計(jì)時(shí)需要解決這些問(wèn)題。
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芯動(dòng)半導(dǎo)體與羅姆簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
通過(guò)開(kāi)發(fā)車載功率模塊，助力xEV技術(shù)創(chuàng)新
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電動(dòng)壓縮機(jī)設(shè)計(jì)-SiC模塊篇
壓縮機(jī)是汽車空調(diào)的一部分，它通過(guò)將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經(jīng)冷凝器，節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱，實(shí)現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動(dòng)機(jī)為動(dòng)力，通過(guò)皮帶帶動(dòng)壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。而新能源汽車脫離了發(fā)動(dòng)機(jī)，以電池為動(dòng)力，通過(guò)逆變電路驅(qū)動(dòng)無(wú)刷直流電機(jī)，從而帶動(dòng)壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)空調(diào)的冷熱交換功能。
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實(shí)現(xiàn)SiC器件與先進(jìn)電機(jī)、電控系統(tǒng)的全方位優(yōu)化、匹配，并促使逆變器更加“智能化”和“傻瓜化”
CISSOID與南京航空航天大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院電氣工程系達(dá)成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議，建立聯(lián)合電驅(qū)動(dòng)實(shí)驗(yàn)室，共同開(kāi)展相關(guān)前沿技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)
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低電壓無(wú)功補(bǔ)償投切電容器裝置研究
切換電容器接觸器、晶閘管投切電容器裝置(Tsc)、復(fù)合開(kāi)關(guān)投切電容器裝置作為工業(yè)低壓系統(tǒng)中常用的電容器投切裝置 ,在可靠性、體積、能耗、壽命等方面各有不同的缺陷 。鑒于第三代半導(dǎo)體材料sic已在電力電子器件中大量使用 ,試圖通過(guò)新型材料電力電子器件的選用和對(duì)交流接觸器的適應(yīng)性設(shè)計(jì) ,提出新的電容器投切裝置方案 ,并通過(guò)MATLAB仿真驗(yàn)證方案。
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提高 SiC 逆變器和其他應(yīng)用中隔離偏置電源的共模瞬態(tài)電壓抗擾度 (CMTI)
近年來(lái)，碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 在牽引逆變器設(shè)計(jì)中的使用顯著增加。其主要原因是 SiC FET 可以在高開(kāi)關(guān)頻率下工作，從而在保持高效率的同時(shí)提高功率密度。另一方面，SiC 逆變器可以產(chǎn)生大于 100V/ns 的大瞬態(tài)電壓 (dv/dt) 信號(hào)，引發(fā)人們對(duì)共模瞬態(tài)電壓抗擾度 (CMTI) 的擔(dān)憂。這在設(shè)計(jì)逆變器柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離偏置電源時(shí)提出了新的挑戰(zhàn)。
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羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨協(xié)議
全球知名半導(dǎo)體廠商羅姆（ROHM Co., Ltd.，以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）于近日與中國(guó)汽車行業(yè)一級(jí)綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下簡(jiǎn)稱“UAES”）簽署了SiC功率元器件的長(zhǎng)期供貨協(xié)議。
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