器件額定電流4 A~40 A,采用MPS結(jié)構(gòu)設計,降低開關(guān)損耗和溫變影響
全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)為了增強SiC功率元器件的產(chǎn)能,在ROHM Apollo Co.,Ltd.(總部位于日本福岡縣)筑后工廠投建了新廠房。
新型Wolfspeed WolfPACK?模塊系列助力高增長的中功率技術(shù)的快速量產(chǎn)
提到半導體公司,能夠最先想到的是哪個公司?或許是Intel、三星、海力士、美光這些企業(yè)。而提到電源、傳感器、模擬器件這些領(lǐng)域,就不得不提到安森美半導體(ONsemi)這家企業(yè)了。
這家企業(yè)正在以驚人速度發(fā)展,成為半導體新興的領(lǐng)袖之一。那么這家企業(yè)在去年一年如何應對行業(yè)各種突發(fā)事件,未來又將如何發(fā)展?21ic中國電子網(wǎng)受邀參加安森美半導體線上交流會,共話公司戰(zhàn)略及發(fā)展情況。
人類社會的進步離不開社會上各行各業(yè)的努力,各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設計者的努力,其實很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成,比如SiC光伏并網(wǎng)逆變器。
英飛凌科技股份公司推出了采用轉(zhuǎn)模封裝的1200 V碳化硅(SiC)集成功率模塊(IPM),并在今年大規(guī)模推出了SiC解決方案。
聯(lián)合汽車電子有限公司與全球知名半導體制造商羅姆在中國上海的UAES總部成立了“SiC技術(shù)聯(lián)合實驗室”,并于2020年10月舉行了啟動儀式。
業(yè)界首批750V器件為高增長電源應用設定性能基準
作為第三代半導體,SiC憑借著多方面更優(yōu)異的性能正在向更多應用領(lǐng)域擴展,但不容回避,成本、易用性方面,傳統(tǒng)的SiC器件在某些方面仍然稍遜于硅器件,這也讓碳化硅器件取代硅器件的發(fā)展之路面臨挑戰(zhàn)。
Yole Development 的市場調(diào)查報告表明,自硅功率半導體器件誕生以來,應用的需求一直推動著結(jié)溫升高,目前已達到150℃。
在生活中,你可能接觸過各種各樣的電子產(chǎn)品,那么你可能并不知道它的一些組成部分,比如它可能含有的相臂SiCMOSFET模塊,那么接下來讓小編帶領(lǐng)大家一起學習相臂SiCMOSFET模塊。
在科學技術(shù)飛速發(fā)展的今天,人們的生活越來越離不開電子產(chǎn)品,而電子元器件的多樣性也促進了電子產(chǎn)品的發(fā)展,比如全SiC功率模塊,那么你知道什么是全SiC功率模塊嗎?
當前,新型快速開關(guān)的碳化硅(SiC)功率晶體管主要以分立器件或裸芯片的形式被廣泛供應,SiC器件的一系列特性,如高阻斷電壓、低導通電阻、高開關(guān)速度和耐高溫性能,使系統(tǒng)工程師能夠在電機驅(qū)動控制器和電池充電器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得顯著進展,同時推動SiC器件的價格持續(xù)下降。
新產(chǎn)品通過汽車電子委員會(AEC)-Q101認證,旨在幫助電動汽車實現(xiàn)最高水平的可靠性和耐用性
新產(chǎn)品在碳化硅(SiC)浪涌電流穩(wěn)健性方面樹立新的基準
今天我們來聊了聊有關(guān)碳化硅作為高壓低損耗的功率半導體器件材料的潛力
作為新材料的SiC與傳統(tǒng)硅材料相比,從物理特性來看,電子遷移率相差不大,但其介電擊穿場強、電子飽和速度、能帶隙和熱導率分別是硅材料的10倍、2倍、3倍和3倍。
領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導體制造商UnitedSiC宣布與益登科技簽署代理協(xié)議,益登科技是總部位于臺灣的半導體產(chǎn)品主要分銷商和解決方案供應商。
SiC應用十幾年了,現(xiàn)在這個第三代半導體材料發(fā)展現(xiàn)狀如何了?21ic中國電子網(wǎng)記者連線了安森美半導體電源方案部產(chǎn)品市場經(jīng)理王利民,講述安森美半導體在SiC上的故事。