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安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET
優(yōu)異的開(kāi)關(guān)和更高的可靠性在各種挑戰(zhàn)性應(yīng)用中提高功率密度
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Vishay推出新型650 V SiC肖特基二極管，提升高頻應(yīng)用能效
器件額定電流4 A~40 A，采用MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，降低開(kāi)關(guān)損耗和溫變影響
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羅姆阿波羅筑后工廠的環(huán)保型新廠房竣工，為SiC功率元器件生產(chǎn)增能!
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)為了增強(qiáng)SiC功率元器件的產(chǎn)能，在ROHM Apollo Co.，Ltd.(總部位于日本福岡縣)筑后工廠投建了新廠房。
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科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列，為電動(dòng)汽車快速充電和太陽(yáng)能市場(chǎng)提供業(yè)界領(lǐng)先的效率
新型Wolfspeed WolfPACK?模塊系列助力高增長(zhǎng)的中功率技術(shù)的快速量產(chǎn)
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這家公司如何看待2020年的四大關(guān)鍵詞：疫情、并購(gòu)、缺貨、SiC
提到半導(dǎo)體公司，能夠最先想到的是哪個(gè)公司？或許是Intel、三星、海力士、美光這些企業(yè)。而提到電源、傳感器、模擬器件這些領(lǐng)域，就不得不提到安森美半導(dǎo)體（ONsemi）這家企業(yè)了。
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這家公司如何看待2020年的四大關(guān)鍵詞：疫情、并購(gòu)、缺貨、SiC
這家企業(yè)正在以驚人速度發(fā)展，成為半導(dǎo)體新興的領(lǐng)袖之一。那么這家企業(yè)在去年一年如何應(yīng)對(duì)行業(yè)各種突發(fā)事件，未來(lái)又將如何發(fā)展？21ic中國(guó)電子網(wǎng)受邀參加安森美半導(dǎo)體線上交流會(huì)，共話公司戰(zhàn)略及發(fā)展情況。
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什么是SiC光伏并網(wǎng)逆變器？你知道嗎？
人類社會(huì)的進(jìn)步離不開(kāi)社會(huì)上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開(kāi)我們的設(shè)計(jì)者的努力，其實(shí)很多人并不會(huì)去了解電子產(chǎn)品的組成，比如SiC光伏并網(wǎng)逆變器。
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英飛凌推出CoolSiC? CIPOS? Maxi，全球首款采用轉(zhuǎn)模封裝的1200 V碳化硅IPM
英飛凌科技股份公司推出了采用轉(zhuǎn)模封裝的1200 V碳化硅(SiC)集成功率模塊(IPM)，并在今年大規(guī)模推出了SiC解決方案。
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UAES與羅姆成立“SiC技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”并舉行啟動(dòng)儀式
聯(lián)合汽車電子有限公司與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆在中國(guó)上海的UAES總部成立了“SiC技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，并于2020年10月舉行了啟動(dòng)儀式。
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聯(lián)合碳化硅基于第四代先進(jìn)技術(shù)推出新型SiC FET器件
業(yè)界首批750V器件為高增長(zhǎng)電源應(yīng)用設(shè)定性能基準(zhǔn)
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SiC取代Si器件的道路上，最大的挑戰(zhàn)已被攻克
作為第三代半導(dǎo)體，SiC憑借著多方面更優(yōu)異的性能正在向更多應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展，但不容回避，成本、易用性方面，傳統(tǒng)的SiC器件在某些方面仍然稍遜于硅器件，這也讓碳化硅器件取代硅器件的發(fā)展之路面臨挑戰(zhàn)。
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SiC助力功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用結(jié)溫升高，將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)格局
Yole Development 的市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告表明，自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來(lái)，應(yīng)用的需求一直推動(dòng)著結(jié)溫升高，目前已達(dá)到150℃。
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兼具SiC MOSFET與二極管之長(zhǎng)的相臂SiCMOSFET模塊
在生活中，你可能接觸過(guò)各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你可能并不知道它的一些組成部分，比如它可能含有的相臂SiCMOSFET模塊，那么接下來(lái)讓小編帶領(lǐng)大家一起學(xué)習(xí)相臂SiCMOSFET模塊。
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值得學(xué)習(xí)的全SiC功率模塊詳細(xì)解析
在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，人們的生活越來(lái)越離不開(kāi)電子產(chǎn)品，而電子元器件的多樣性也促進(jìn)了電子產(chǎn)品的發(fā)展，比如全SiC功率模塊，那么你知道什么是全SiC功率模塊嗎?
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智能功率模塊助力業(yè)界加速邁向基于碳化硅(SiC)的電動(dòng)汽車
當(dāng)前，新型快速開(kāi)關(guān)的碳化硅(SiC)功率晶體管主要以分立器件或裸芯片的形式被廣泛供應(yīng)，SiC器件的一系列特性，如高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和耐高溫性能，使系統(tǒng)工程師能夠在電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器和電池充電器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得顯著進(jìn)展，同時(shí)推動(dòng)SiC器件的價(jià)格持續(xù)下降。
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Microchip 推出汽車用700/1200V 碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管
新產(chǎn)品通過(guò)汽車電子委員會(huì)(AEC)-Q101認(rèn)證，旨在幫助電動(dòng)汽車實(shí)現(xiàn)最高水平的可靠性和耐用性
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聯(lián)合碳化硅 擴(kuò)大肖特基二極管產(chǎn)品組合
新產(chǎn)品在碳化硅(SiC)浪涌電流穩(wěn)健性方面樹(shù)立新的基準(zhǔn)
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碳化硅功率器件特性，你應(yīng)該有所了解？
今天我們來(lái)聊了聊有關(guān)碳化硅作為高壓低損耗的功率半導(dǎo)體器件材料的潛力
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緊盯四大領(lǐng)域，看SiC市場(chǎng)新貴的新玩法
作為新材料的SiC與傳統(tǒng)硅材料相比，從物理特性來(lái)看，電子遷移率相差不大，但其介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和速度、能帶隙和熱導(dǎo)率分別是硅材料的10倍、2倍、3倍和3倍。
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UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議 加速業(yè)界采用碳化硅技術(shù)
領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布與益登科技簽署代理協(xié)議，益登科技是總部位于臺(tái)灣的半導(dǎo)體產(chǎn)品主要分銷商和解決方案供應(yīng)商。
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