奈梅亨，2025年3月20日：Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢以及通孔技術(shù)的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準(zhǔn)滿足了眾多高功率(工業(yè))應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢，得以實現(xiàn)卓越的熱性能表現(xiàn)。這些器件在電池儲能系統(tǒng)(BESS)、光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動器以及不間斷電源(UPS)等工業(yè)應(yīng)用場景中表現(xiàn)卓越。此外，在包括充電樁在內(nèi)的電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域同樣能發(fā)揮出眾效能。

X.PAK封裝允許將散熱器直接連接至引線框架，進(jìn)一步提升了Nexperia SiC MOSFET的散熱性能，實現(xiàn)從外殼頂部高效散熱。這一設(shè)計有效降低了通過PCB散熱所帶來的負(fù)面影響。同時，Nexperia的X.PAK封裝使表面貼裝組件具備低電感特性，并支持自動化電路板封裝流程。

新款X.PAK封裝器件具備Nexperia SiC MOSFET一貫的優(yōu)異品質(zhì)因數(shù)(FoM)。其中，RDS(on)作為關(guān)鍵參數(shù)，對導(dǎo)通損耗影響顯著。然而，許多制造商往往僅關(guān)注該參數(shù)(常溫)的標(biāo)稱值，卻忽略了一個事實，即隨著器件工作溫度的升高，標(biāo)稱值可能會增加100%以上，從而造成相當(dāng)大的導(dǎo)通損耗。與之不同，Nexperia SiC MOSFET展現(xiàn)出出色的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度區(qū)間內(nèi)，RDS(on)的標(biāo)稱值僅增加38%。

Nexperia SiC分立器件和模塊資深總監(jiān)兼負(fù)責(zé)人Katrin Feurle表示：“我們推出采用X.PAK封裝的SiC MOSFET，標(biāo)志著在高功率應(yīng)用散熱管理與功率密度方面取得重要突破?；诖饲俺晒ν瞥龅腡O-247和SMD D2PAK-7封裝分立式SiC MOSFET器件，我們研發(fā)了這款新型頂部散熱的產(chǎn)品方案。這充分彰顯了Nexperia致力于為客戶提供先進(jìn)、靈活的產(chǎn)品組合，以滿足其不斷進(jìn)化的設(shè)計需求的堅定承諾?！?

首批產(chǎn)品組合涵蓋RDS(on)值為30、40、60 mΩ的型號(NSF030120T2A0、NSF040120T2A1、NSF060120T2A0)，并計劃于2025年4月推出一款17mΩ產(chǎn)品。2025年后續(xù)還將推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的X.PAK封裝SiC MOSFET產(chǎn)品系列，以及80 mΩ等更多RDson等級的產(chǎn)品。