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通過(guò)SiC技術(shù)電機(jī)逆變器實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車(chē)行駛里程拓展的承諾
目前有兩大因素影響著車(chē)輛運(yùn)輸和半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)。行業(yè)正在擁抱令人振奮的新方法，即以清潔的電力驅(qū)動(dòng)我們的汽車(chē)，同時(shí)重新設(shè)計(jì)支撐電動(dòng)汽車(chē)(EV)子系統(tǒng)的半導(dǎo)體材料，以最大程度地提高功效比，進(jìn)而增加電動(dòng)汽車(chē)的行駛里程。
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環(huán)旭電子預(yù)計(jì)2022量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊
搭配電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)，近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開(kāi)始布局切入功率半導(dǎo)體國(guó)際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測(cè)試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶(hù)青睞，預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。
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即刻報(bào)名 | 直播啦！先進(jìn)汽車(chē)電子方案大薈萃
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們隨著汽車(chē)功能電子化、自動(dòng)駕駛、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)的快速進(jìn)展，汽車(chē)的發(fā)展可謂一日千里，正在改變個(gè)人交通的界限。如何使汽車(chē)更輕、續(xù)航更遠(yuǎn)、實(shí)現(xiàn)更高級(jí)別的自動(dòng)駕駛并提升先進(jìn)安全?安森美(onsemi)的智能電源和智能感知技術(shù)和方案提供“相輔相成”的力量和最先...
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第三代半導(dǎo)體潮起，我國(guó)GaN射頻市場(chǎng)迎何機(jī)遇？
第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。
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派恩杰SiC MOSFET批量“上車(chē)”，擬建車(chē)用SiC模塊封裝產(chǎn)線(xiàn)
自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車(chē)企紛紛加速SiC MOSFET在汽車(chē)上的應(yīng)用落地。但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外壟斷，據(jù)Yole數(shù)據(jù)，Cree，英飛凌，羅姆，意法半導(dǎo)體占據(jù)了90%的市場(chǎng)份額。國(guó)產(chǎn)廠商已有不少推出了碳化硅二極管，但具有SiC MOSFET研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)鳳毛麟角。
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意法半導(dǎo)體的穩(wěn)健的隔離式 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器采用窄型 SO-8 封裝可節(jié)省空間
點(diǎn)擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！中國(guó)，2021年10月19日意法半導(dǎo)體的?STGAP2SiCSN?是為控制碳化硅MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的PWM控制。SiC功率技術(shù)被廣泛用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，SiC驅(qū)動(dòng)器ST...
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列，繼續(xù)擴(kuò)充寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品
工業(yè)級(jí)650V、10A SiC肖特基二極管樣品現(xiàn)已開(kāi)始供貨。還將計(jì)劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車(chē)規(guī)級(jí)部件
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羅姆獲選為UAES的SiC功率解決方案優(yōu)先型供應(yīng)商
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM Co., Ltd.，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”）獲選為中國(guó)汽車(chē)行業(yè)一級(jí)綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“UAES”）的SiC功率解決方案優(yōu)先型供應(yīng)商。
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使用新的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器替換老化的光耦合器柵極驅(qū)動(dòng)器
電動(dòng)機(jī)用于電梯、食品加工設(shè)備、工廠自動(dòng)化、機(jī)器人、起重機(jī)……不勝枚舉。交流感應(yīng)電機(jī)在此類(lèi)應(yīng)用中很常見(jiàn)，并且總是使用功率級(jí)中用于驅(qū)動(dòng)它們的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。典型的總線(xiàn)電壓為 200 V DC至 1,000 V DC。IGBT 進(jìn)行電子換向以實(shí)現(xiàn)交流感應(yīng)電機(jī)所需的正弦電流。
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650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比，國(guó)產(chǎn)器件重載時(shí)溫度更低
自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后，目前市場(chǎng)上CREE、UnitedSiC、羅姆、Infineon都有650V?SiC MOSFET產(chǎn)品。國(guó)內(nèi)廠商派恩杰半導(dǎo)體也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相較于國(guó)外廠商，國(guó)內(nèi)廠商的SiC MOSFET產(chǎn)品性能到底如何？派恩杰半導(dǎo)體采用自主設(shè)計(jì)的Buck-Boost效率測(cè)試平臺(tái)針對(duì)650V 60mΩSiC MOSFET高溫性能進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試。本文分享測(cè)試結(jié)果。
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Wolfspeed 與致瞻科技采用SiC技術(shù)提升燃料電池汽車(chē)性能
2021年10月19日，美國(guó)北卡羅來(lái)納州達(dá)勒姆市與中國(guó)上海市訊 — 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布與致瞻科技（上海）有限公司的成功合作。致瞻科技（上海）有限公司是寬禁帶器件應(yīng)用和先進(jìn)電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的創(chuàng)新者，該公司燃料電池汽車(chē)全碳化硅控制器采用了Wolfspeed? 1200V SiC MOSFET。
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意法半導(dǎo)體的穩(wěn)健的隔離式 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器采用窄型 SO-8 封裝可節(jié)省空間
中國(guó)，2021 年 10 月 19 日——意法半導(dǎo)體的 STGAP2SiCSN是為控制碳化硅 MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，采用節(jié)省空間的窄體 SO-8 封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的 PWM 控制。
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首款國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET獲“低碳能效獎(jiǎng)“，可提升電源效率4%！
P3M173K0K3是派恩杰半導(dǎo)體有限公司針對(duì)高壓輔助電源應(yīng)用而開(kāi)發(fā)，具有較高的耐壓，極低的柵極電荷，較小的導(dǎo)通電阻Rds(on), 使其廣泛適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)，光伏，直流充電樁，儲(chǔ)能變換器器以及UPS等三相功率變換系統(tǒng)中輔助電源設(shè)計(jì)，可以提高輔助電源系統(tǒng)效率、簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，降低散熱成本，大幅度減少輔助開(kāi)關(guān)電源成本。
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通用汽車(chē)與 Wolfspeed 達(dá)成戰(zhàn)略供應(yīng)商協(xié)議，在通用汽車(chē)未來(lái)電動(dòng)汽車(chē)計(jì)劃中采用 SiC
該協(xié)議標(biāo)志著通用汽車(chē)開(kāi)始做出轉(zhuǎn)變，將在其電動(dòng)汽車(chē)電力電子中采用 SiC 提供安全、長(zhǎng)期的供貨 SiC 賦能電動(dòng)汽車(chē)更長(zhǎng)續(xù)航里程
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車(chē)載 GaN FET 可實(shí)現(xiàn) HEVEV 的高頻和穩(wěn)健性設(shè)計(jì)
為了解決消費(fèi)者對(duì)電動(dòng)汽車(chē) (EV) 普及的里程、充電時(shí)間和價(jià)格等問(wèn)題，世界各地的汽車(chē)制造商都在增加電池容量而不增加尺寸、重量或組件成本。我正在尋找一種加快速度的方法充電。
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UnitedSiC推出9款新品：6mΩ導(dǎo)通電阻750V SiC暫無(wú)敵手
日前，UnitedSiC推出業(yè)界最小導(dǎo)通電阻RDS（on）6mΩ的750V第四代碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管，并一口氣推出9款全新的UJ4C/SC器件。
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SiC 器件專(zhuān)有的可靠性保證途徑及其重要性
作為一家開(kāi)發(fā)SiC技術(shù)的領(lǐng)先廠商，英飛凌認(rèn)識(shí)到需要更新基于硅器件模型而制定的現(xiàn)有可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，以保證碳化硅器件達(dá)到足夠高可靠性水平。英飛凌的方法側(cè)重于碳化硅可靠性的三個(gè)特定領(lǐng)域。
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UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET
新增的9款器件可實(shí)現(xiàn)更高水平的設(shè)計(jì)靈活性
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仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問(wèn)題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
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模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB與國(guó)產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰達(dá)成長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作，共同推動(dòng)全球SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2021年9月6日，模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和國(guó)產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰聯(lián)合對(duì)外宣布，雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓建立長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作關(guān)系，此前雙方已經(jīng)合作近三年時(shí)間。
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