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安森美(onsemi)將收購GT Advanced Technologies
交易加速安森美推動創(chuàng)新，以創(chuàng)造智能電源和感知技術(shù)及構(gòu)建可持續(xù)未來的使命，拓展安森美的碳化硅實(shí)力并確?？蛻艄?yīng)，以滿足可持續(xù)生態(tài)系統(tǒng)的快速增長，包括電動車(EV)、電動車充電和能源基礎(chǔ)設(shè)施，加強(qiáng)安森美對顛覆性、高增長技術(shù)進(jìn)行重大投資的承諾。
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貿(mào)澤備貨Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT賦能4G和5G通信應(yīng)用
2021年8月23日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨Qorvo? QPD0011高電子遷移率晶體管 (HEMT)。
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泰克解鎖SiC功率器件動態(tài)測試系統(tǒng)，華南首臺在深圳美浦森半導(dǎo)體正式交付
DPT1000A功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)由泰克科技領(lǐng)先研發(fā)，一經(jīng)推出就受到廣大科研和企業(yè)用戶的強(qiáng)烈關(guān)注。
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Cree | Wolfspeed與意法半導(dǎo)體擴(kuò)大現(xiàn)有150mm SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議
2021年8月19日，美國北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊 –– 全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳Cree, Inc.與意法半導(dǎo)體STMicroelectronics宣布擴(kuò)大現(xiàn)有的多年長期碳化硅(SiC)晶圓供應(yīng)協(xié)議。
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GaAs/InP/GaN晶圓代工服務(wù)上線世強(qiáng)硬創(chuàng)電商平臺，年代工產(chǎn)能30000片，最快10周可交付
目前，整個市場的晶圓代工產(chǎn)能嚴(yán)重不足。在這種情況下，海威華芯在世強(qiáng)硬創(chuàng)電商平臺上線六英寸(兼容4英寸)化合物半導(dǎo)體晶圓代工服務(wù)。
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英飛凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立器件系列，提供優(yōu)異效率
近日，英飛凌科技股份有限公司推出 650 V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管產(chǎn)品組合，具有650 V阻斷電壓。
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安森美半導(dǎo)體推出創(chuàng)新的超高密度離線電源方案
業(yè)界首款圖騰柱PFC控制器以高性價比提供高性能
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Power Integrations推出具有極低Qrr、適用于高效高開關(guān)速度設(shè)計(jì)的汽車級Qspeed硅二極管
600V 12A二極管可替代汽車應(yīng)用中的SiC元件
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ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”
有助于大幅削減工廠的安裝成本，并為工業(yè)設(shè)備提供更小型、更高可靠性及更節(jié)能的解決方案
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科銳攜手高斯寶，為服務(wù)器電源市場帶來SiC解決方案
SiC 基器件支持下一代數(shù)據(jù)中心，設(shè)計(jì)滿足快速演進(jìn)的存儲環(huán)境的需求
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安森美半導(dǎo)體在APEC 2021發(fā)布，新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案
全面的寬禁帶器件組合實(shí)現(xiàn)高性能充電方案
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意法半導(dǎo)體發(fā)布2021年可持續(xù)發(fā)展報告：加快推進(jìn)可持續(xù)發(fā)展承諾計(jì)劃
中國，2021年5月20日 – 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體發(fā)布了第24版可持續(xù)發(fā)展報告，詳細(xì)介紹了2020年取得的成績。
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CISSOID推出適用于航空應(yīng)用的SiC智能功率模塊，以滿足其對自然冷卻的需求
— CISSOID高溫芯片和模塊技術(shù)亦將大力推動電動汽車動力總成的深度整合 —
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領(lǐng)先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動
面向新一代功率轉(zhuǎn)換器的ADI隔離式柵極驅(qū)動器、電源控制器和處理器
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通過合適的柵極驅(qū)動技術(shù)最大化SiC的性能
電動汽車革命即將來臨。汽車公司拼命地尋求技術(shù)優(yōu)勢，驅(qū)動電動汽車的電力電子設(shè)備正在迅速發(fā)展。
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賦能未來，勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiC MOSFET十周年文章
2021年3月18日，美國北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊––全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳Cree, Inc. 聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官John Palmour 博士發(fā)表了以《賦能未來，勇往直前：SiC MOSFET問世10周年的思索》為題的文章。
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UnitedSiC發(fā)布新的FET-Jet計(jì)算器TM
易于使用的在線功率設(shè)計(jì)工具可以幫助工程師找出理想的SiC FET設(shè)計(jì)解決方案
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加碼碳化硅賽道，斯達(dá)半導(dǎo)體定增募資35億元
3月3日，嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“斯達(dá)半導(dǎo)體”）發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股票預(yù)案。公告中披露本次非公開發(fā)行股票募集資金總額不超過35億元，主要投向高壓特色工藝功率芯片和 SiC 芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，以及功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動化改造項(xiàng)目，同時補(bǔ)充公司流動資金。
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安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor)，發(fā)布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，適用于功率密度、能效和可靠性攸關(guān)的高要求應(yīng)用。設(shè)計(jì)人員用新的SiC器件取代現(xiàn)有的硅開關(guān)技術(shù)，將在電動汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變...
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安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET
優(yōu)異的開關(guān)和更高的可靠性在各種挑戰(zhàn)性應(yīng)用中提高功率密度
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