www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

SIC

我要報錯

  • 電源設計說明：面向高性能應用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

    在本文中，我們分析了一些碳化硅和氮化鎵 FET器件的靜態(tài)和動態(tài)行為。公司正在將精力集中在這些類型的組件上，這些組件允許創(chuàng)建高效轉(zhuǎn)換器和逆變器。

  • 從硅到 SiC 和 GaN MOSFET 技術(shù)的發(fā)展

    本文追溯了電力電子的歷史，可追溯到硅MOSFET仍用于驅(qū)動強大的電子負載時。讓我們通過描述、應用和模擬重新發(fā)現(xiàn)硅的世界，了解電子世界是如何在短短幾年內(nèi)發(fā)生巨大變化的，因為新的 SiC 和 GaN MOSFET 的發(fā)現(xiàn)和開發(fā)。

    功率器件
    2022-07-07
    MOSFET GaN SiC

  • 用于下一代電動汽車的 SiC MOSFET

    電動和混合動力汽車的設計人員致力于提高能量轉(zhuǎn)換效率，這些設備具有緊湊的封裝和高熱可靠性電力電子模塊的組裝，并降低了開關(guān)損耗。

  • 安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設計挑戰(zhàn)

    隨著云計算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應用和大型設備的不斷發(fā)展，市場對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設計人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權(quán)衡取舍的挑戰(zhàn)，安森美(onsemi)基于新一代半導體材料碳化硅(SiC)的方案，有助于變革性地優(yōu)化UPS設計。

  • PCIM Europe歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展-碳化硅和氮化鎵應用介紹

    PCIM Europe德國紐倫堡電力電子系統(tǒng)及元器件展，創(chuàng)辦于1979年，每年一屆，至今已經(jīng)有30多年的歷史。該展是歐洲電力電子及其使用范疇、智能運動和電能質(zhì)量最具影響力的博覽會，也是全球最大的功率半導體展會。PCIM Europe以其高質(zhì)量的專業(yè)觀眾，成為享譽電力電子行業(yè)的專業(yè)國際性展會。

  • SiC 推動電源應用的創(chuàng)新

    在過去的四十年里，由于采用了更好的設計和制造工藝，以及高質(zhì)量材料的可用性，基于硅技術(shù)的功率器件取得了重大進展。然而，大多數(shù)商用功率器件現(xiàn)在正在接近硅提供的理論性能極限，特別是在它們阻擋高壓的能力、在導通狀態(tài)下提供低電壓降以及它們在非常高的頻率下開關(guān)的能力方面。

  • PCIM Europe歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展-碳化硅部分

    德國紐倫堡—2022年5月10日-12日,一年一度的PCIM Europe盛大開幕，PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展,是電力電子、智能運動、可再生能源和能源管理領(lǐng)域最具影響力的博覽會,也是全球最大的功率半導體展會,繼連續(xù)兩年舉辦線上展會后,于今年終于回歸線下。

  • 貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET為各類電源應用提供更好的支持

    2022年6月9日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo?收購)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導通電阻特性，適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案，如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。

  • 電源設計說明：線性方案中的 SiC MOSFET

    SiC MOSFET 在開關(guān)狀態(tài)下工作。然而，了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的，這可能發(fā)生在驅(qū)動器發(fā)生故障的情況下，或者出于某些目的，當設計者編程時會發(fā)生這種情況。

  • 智能能源時代的 SiC

    隨著硅達到功率器件的理論性能限制，電力電子行業(yè)一直在向?qū)拵恫牧?WBG) 過渡?；谔蓟?(SiC) 和氮化鎵技術(shù)的 WBG 功率半導體器件提供的設計優(yōu)勢可提高應用性能，包括：低漏電流、顯著降低的功率損耗、更高的功率密度、更高的工作頻率以及耐受更高工作溫度的能力. 使用比純硅等效器件更小的器件尺寸，所有這些都是可能的。穩(wěn)健性和更高的可靠性是其他重要屬性，從而提高了設備的總預期壽命和運行穩(wěn)定性。

    功率器件
    2022-05-07
    WBG SiC

  • ATFX2022年第二季《交易者雜志》正式上線

    （全球TMT2022年4月30日訊）近期，匯集2022年第二季度展望的ATFX《交易者雜志》正式上線，分析師團隊從專業(yè)的視角為投資者提供內(nèi)容詳盡的深度行情解讀。此次《交易者雜志》的全球分析團隊更大強大。ATFX不但再次添加了兩位中東和北非市場分析師Mohamed Nabawy和...

  • 安森美將在PCIM Europe 2022展示高能效方案

    USB-C電源套件包(Power Bundle)、第7代1200 V IGBT和二極管以及首款TOLL封裝的650 V 碳化硅(SiC) MOSFET器件簡化高能效電源方案的設計

  • 羅姆集團旗下的SiCrystal成立25周年　

    全球知名半導體制造商羅姆集團旗下的 SiCrystal GmbH(以下簡稱“SiCrystal”)迎來了成立25周年紀念日。

    ROHM
    2022-04-21
    晶圓 羅姆 SiC

  • 寬帶隙 (WBG) 材料在電源應用的前景

    寬帶隙 (WBG) 材料逐漸在電源管理和其他應用的成本效益分析中幸存下來，電動汽車可能會推動采用成本高但性能更高的碳化硅，并按降序排列氮化鎵器件。使用 WBG 半導體可產(chǎn)生超過 95% 的潛在效率，大大擴展范圍。 功率轉(zhuǎn)換器是利用可再生能源進行運輸和工業(yè)應用的關(guān)鍵組件。為了促進功率轉(zhuǎn)換器設計所需的進步，可以選擇基于碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的新型 WBG 半導體技術(shù)。

  • SiC 和 GaN：兩種半導體的故事

    在過去的幾十年中，碳化硅和氮化鎵技術(shù)的進步一直以發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高和有望實現(xiàn)數(shù)十億美元收入為特征。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國英飛凌的肖特基二極管的形式問世。隨之而來的是快速發(fā)展，到 2026 年，工業(yè)部門現(xiàn)在有望超過 40 億美元。 2010 年，當總部位于美國的 EPC 交付其超快速開關(guān)晶體管時，GaN 首次驚艷了整個行業(yè)。市場采用率尚未與 SiC 相匹配，但到 2026 年，功率 GaN 收入可能達到 10 億美元。

    功率器件
    2022-04-15
    GaN SiC

  • 英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進一步降低應用損耗并提高可靠性

    【2022年3月31日，德國慕尼黑訊】在數(shù)字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下，電力消耗日益增加。與此同時，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應當下全球發(fā)展大勢并滿足相關(guān)市場需求，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)，廣泛適用于大功率應用，包括服務器、電信設備、工業(yè)SMPS、電動汽車快速充電、電機驅(qū)動、太陽能系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)和電池化成等。

  • 如何贏得一半以上的碳化硅MOSFET市場份額，并將其持續(xù)擴大？

    ST獲得了全球50%以上的SiC MOSFET市場份額；并且在寬禁帶半導體領(lǐng)域進行了襯底技術(shù)收購、產(chǎn)能投資，擁有了全生產(chǎn)鏈條的掌控力。本文分享了ST在SiC領(lǐng)域獲得成功的原因，如何保持領(lǐng)先的未來戰(zhàn)略規(guī)劃，以及對于整個寬禁帶器件行業(yè)的前景解讀。

    劉巖軒
    2022-03-02
    ST GaN SiC

  • 一文解讀！搶占寬禁帶半導體材料及應用的戰(zhàn)略制高點！

    2021年9月5日，由保定市人民政府和第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同主辦的“2021白石山第三代半導體峰會”在保定市淶源成功召開。中國工程院院士、北京有色金屬研究總院名譽院長、中國有色金屬工業(yè)協(xié)會特邀副會長屠海令線上參加并致辭，指出發(fā)展第三代半導體要做好頂層設計，研發(fā)和生產(chǎn)并重。本文長聯(lián)半導體為您介紹如何搶占寬禁帶半導體材料及應用的戰(zhàn)略制高點。

  • 車規(guī)級SiC供應商桑德斯，填補國內(nèi)1200V 25mΩ SiC MOS空白

    2021年12月9日，桑德斯微電子器件(南京)有限公司與世強硬創(chuàng)平臺達成協(xié)議，授權(quán)世強代理旗下碳化硅(SiC)、二級管等產(chǎn)品代理。

  • 通過SiC技術(shù)電機逆變器實現(xiàn)電動汽車行駛里程拓展的承諾

    目前有兩大因素影響著車輛運輸和半導體技術(shù)的未來。行業(yè)正在擁抱令人振奮的新方法，即以清潔的電力驅(qū)動我們的汽車，同時重新設計支撐電動汽車(EV)子系統(tǒng)的半導體材料，以最大程度地提高功效比，進而增加電動汽車的行駛里程。