為下一代800V電動(dòng)汽車牽引逆變器平臺(tái)帶來(lái)更長(zhǎng)續(xù)航與長(zhǎng)期的卓越性能
TrendForce集邦咨詢: SiC襯底市場(chǎng)2024年?duì)I收年減9%,但長(zhǎng)期需求樂(lè)觀
英飛凌SiC超結(jié)技術(shù)樹立新標(biāo)準(zhǔn),加速電動(dòng)汽車普及與工業(yè)效率提升
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SiC MOSFET 如何提高 AI 數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),LED照明系統(tǒng)中的效率與散熱協(xié)同優(yōu)化
Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導(dǎo)體預(yù)測(cè)報(bào)告》:GaN將在多個(gè)行業(yè)達(dá)到應(yīng)用臨界點(diǎn),進(jìn)一步提高能源效率
英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:開始交付首批產(chǎn)品
基于SiC的高電壓電池?cái)嚅_開關(guān)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
分布式顯示卡(墨水屏電子標(biāo)簽)原型設(shè)計(jì)
預(yù)算:¥20000