-
安森美將在PCIM Europe 2022展示高能效方案
USB-C電源套件包(Power Bundle)、第7代1200 V IGBT和二極管以及首款TOLL封裝的650 V 碳化硅(SiC) MOSFET器件簡(jiǎn)化高能效電源方案的設(shè)計(jì)
-
羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal成立25周年
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆集團(tuán)旗下的 SiCrystal GmbH(以下簡(jiǎn)稱“SiCrystal”)迎來(lái)了成立25周年紀(jì)念日。
-
寬帶隙 (WBG) 材料在電源應(yīng)用的前景
寬帶隙 (WBG) 材料逐漸在電源管理和其他應(yīng)用的成本效益分析中幸存下來(lái)，電動(dòng)汽車可能會(huì)推動(dòng)采用成本高但性能更高的碳化硅，并按降序排列氮化鎵器件。使用 WBG 半導(dǎo)體可產(chǎn)生超過(guò) 95% 的潛在效率，大大擴(kuò)展范圍。 功率轉(zhuǎn)換器是利用可再生能源進(jìn)行運(yùn)輸和工業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵組件。為了促進(jìn)功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)所需的進(jìn)步，可以選擇基于碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的新型 WBG 半導(dǎo)體技術(shù)。
-
SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的故事
在過(guò)去的幾十年中，碳化硅和氮化鎵技術(shù)的進(jìn)步一直以發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高和有望實(shí)現(xiàn)數(shù)十億美元收入為特征。第一個(gè)商用 SiC 器件于 2001 年以德國(guó)英飛凌的肖特基二極管的形式問(wèn)世。隨之而來(lái)的是快速發(fā)展，到 2026 年，工業(yè)部門現(xiàn)在有望超過(guò) 40 億美元。 2010 年，當(dāng)總部位于美國(guó)的 EPC 交付其超快速開(kāi)關(guān)晶體管時(shí)，GaN 首次驚艷了整個(gè)行業(yè)。市場(chǎng)采用率尚未與 SiC 相匹配，但到 2026 年，功率 GaN 收入可能達(dá)到 10 億美元。
-
英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進(jìn)一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性
【2022年3月31日，德國(guó)慕尼黑訊】在數(shù)字化、城市化和電動(dòng)汽車等大趨勢(shì)的推動(dòng)下，電力消耗日益增加。與此同時(shí)，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)當(dāng)下全球發(fā)展大勢(shì)并滿足相關(guān)市場(chǎng)需求，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟(jì)實(shí)用等特點(diǎn)，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進(jìn)的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)，廣泛適用于大功率應(yīng)用，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、工業(yè)SMPS、電動(dòng)汽車快速充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)和電池化成等。
-
如何贏得一半以上的碳化硅MOSFET市場(chǎng)份額，并將其持續(xù)擴(kuò)大？
ST獲得了全球50%以上的SiC MOSFET市場(chǎng)份額；并且在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行了襯底技術(shù)收購(gòu)、產(chǎn)能投資，擁有了全生產(chǎn)鏈條的掌控力。本文分享了ST在SiC領(lǐng)域獲得成功的原因，如何保持領(lǐng)先的未來(lái)戰(zhàn)略規(guī)劃，以及對(duì)于整個(gè)寬禁帶器件行業(yè)的前景解讀。
-
一文解讀！搶占寬禁帶半導(dǎo)體材料及應(yīng)用的戰(zhàn)略制高點(diǎn)！
2021年9月5日，由保定市人民政府和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同主辦的“2021白石山第三代半導(dǎo)體峰會(huì)”在保定市淶源成功召開(kāi)。中國(guó)工程院院士、北京有色金屬研究總院名譽(yù)院長(zhǎng)、中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)特邀副會(huì)長(zhǎng)屠海令線上參加并致辭，指出發(fā)展第三代半導(dǎo)體要做好頂層設(shè)計(jì)，研發(fā)和生產(chǎn)并重。本文長(zhǎng)聯(lián)半導(dǎo)體為您介紹如何搶占寬禁帶半導(dǎo)體材料及應(yīng)用的戰(zhàn)略制高點(diǎn)。
-
車規(guī)級(jí)SiC供應(yīng)商桑德斯，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)1200V 25mΩ SiC MOS空白
2021年12月9日，桑德斯微電子器件(南京)有限公司與世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)達(dá)成協(xié)議，授權(quán)世強(qiáng)代理旗下碳化硅(SiC)、二級(jí)管等產(chǎn)品代理。
-
通過(guò)SiC技術(shù)電機(jī)逆變器實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車行駛里程拓展的承諾
目前有兩大因素影響著車輛運(yùn)輸和半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)。行業(yè)正在擁抱令人振奮的新方法，即以清潔的電力驅(qū)動(dòng)我們的汽車，同時(shí)重新設(shè)計(jì)支撐電動(dòng)汽車(EV)子系統(tǒng)的半導(dǎo)體材料，以最大程度地提高功效比，進(jìn)而增加電動(dòng)汽車的行駛里程。
-
環(huán)旭電子預(yù)計(jì)2022量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊
搭配電動(dòng)車市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)，近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開(kāi)始布局切入功率半導(dǎo)體國(guó)際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測(cè)試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞，預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。
-
即刻報(bào)名 | 直播啦！先進(jìn)汽車電子方案大薈萃
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們隨著汽車功能電子化、自動(dòng)駕駛、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)的快速進(jìn)展，汽車的發(fā)展可謂一日千里，正在改變個(gè)人交通的界限。如何使汽車更輕、續(xù)航更遠(yuǎn)、實(shí)現(xiàn)更高級(jí)別的自動(dòng)駕駛并提升先進(jìn)安全?安森美(onsemi)的智能電源和智能感知技術(shù)和方案提供“相輔相成”的力量和最先...
-
第三代半導(dǎo)體潮起，我國(guó)GaN射頻市場(chǎng)迎何機(jī)遇？
第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。
-
派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線
自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外壟斷，據(jù)Yole數(shù)據(jù)，Cree，英飛凌，羅姆，意法半導(dǎo)體占據(jù)了90%的市場(chǎng)份額。國(guó)產(chǎn)廠商已有不少推出了碳化硅二極管，但具有SiC MOSFET研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)鳳毛麟角。
-
意法半導(dǎo)體的穩(wěn)健的隔離式 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器采用窄型 SO-8 封裝可節(jié)省空間
點(diǎn)擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！中國(guó)，2021年10月19日意法半導(dǎo)體的?STGAP2SiCSN?是為控制碳化硅MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的PWM控制。SiC功率技術(shù)被廣泛用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，SiC驅(qū)動(dòng)器ST...
-
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列，繼續(xù)擴(kuò)充寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品
工業(yè)級(jí)650V、10A SiC肖特基二極管樣品現(xiàn)已開(kāi)始供貨。還將計(jì)劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車規(guī)級(jí)部件
-
羅姆獲選為UAES的SiC功率解決方案優(yōu)先型供應(yīng)商
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM Co., Ltd.，以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）獲選為中國(guó)汽車行業(yè)一級(jí)綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下簡(jiǎn)稱“UAES”）的SiC功率解決方案優(yōu)先型供應(yīng)商。
-
使用新的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器替換老化的光耦合器柵極驅(qū)動(dòng)器
電動(dòng)機(jī)用于電梯、食品加工設(shè)備、工廠自動(dòng)化、機(jī)器人、起重機(jī)……不勝枚舉。交流感應(yīng)電機(jī)在此類應(yīng)用中很常見(jiàn)，并且總是使用功率級(jí)中用于驅(qū)動(dòng)它們的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。典型的總線電壓為 200 V DC至 1,000 V DC。IGBT 進(jìn)行電子換向以實(shí)現(xiàn)交流感應(yīng)電機(jī)所需的正弦電流。
-
650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比，國(guó)產(chǎn)器件重載時(shí)溫度更低
自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后，目前市場(chǎng)上CREE、UnitedSiC、羅姆、Infineon都有650V?SiC MOSFET產(chǎn)品。國(guó)內(nèi)廠商派恩杰半導(dǎo)體也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相較于國(guó)外廠商，國(guó)內(nèi)廠商的SiC MOSFET產(chǎn)品性能到底如何？派恩杰半導(dǎo)體采用自主設(shè)計(jì)的Buck-Boost效率測(cè)試平臺(tái)針對(duì)650V 60mΩSiC MOSFET高溫性能進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試。本文分享測(cè)試結(jié)果。
-
Wolfspeed 與致瞻科技采用SiC技術(shù)提升燃料電池汽車性能
2021年10月19日，美國(guó)北卡羅來(lái)納州達(dá)勒姆市與中國(guó)上海市訊 — 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布與致瞻科技（上海）有限公司的成功合作。致瞻科技（上海）有限公司是寬禁帶器件應(yīng)用和先進(jìn)電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的創(chuàng)新者，該公司燃料電池汽車全碳化硅控制器采用了Wolfspeed? 1200V SiC MOSFET。
-
意法半導(dǎo)體的穩(wěn)健的隔離式 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器采用窄型 SO-8 封裝可節(jié)省空間
中國(guó)，2021 年 10 月 19 日——意法半導(dǎo)體的 STGAP2SiCSN是為控制碳化硅 MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，采用節(jié)省空間的窄體 SO-8 封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的 PWM 控制。
fangmailbox
太陽(yáng)系的天體
qmei2008
asklaibao
szhr998
neomissing
EasierDX
martian618
probigfat
liubeihua
Matthew2018
walk_bird
Fillmore
hu519922633
wudi1219
qinkunkun
liang_fu
張老板
newlcd2008
JasonAPP
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第二期：傳感器賦予設(shè)備感知萬(wàn)物之力
- 泰克全棧式電源測(cè)試解決方案來(lái)襲，讓AI數(shù)據(jù)中心突破性能極限
- 學(xué)習(xí)狀態(tài)監(jiān)控CbM系統(tǒng)設(shè)計(jì)，完成測(cè)試
- 挑戰(zhàn)趣味測(cè)試，了解PI電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC超能力
- 分享設(shè)計(jì)槽點(diǎn)，尋找華邦電子為您帶來(lái)的小確幸
- 我與貿(mào)澤不得不說(shuō)的秘密，如何讓選型和設(shè)計(jì)更輕松與愜意？
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第一期：探索能源采集芯片的奧義
