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為下一代800V電動汽車牽引逆變器平臺帶來更長續(xù)航與長期的卓越性能
為實現(xiàn)零排放的未來，汽車行業(yè)迫切需要重塑。汽車制造商必須加速推出差異化的電動車型。恩智浦?jǐn)y手Wolfspeed，共同推出一款經(jīng)過全面驗證的800V牽引逆變器參考設(shè)計，有效幫助電動汽車系統(tǒng)架構(gòu)師克服諸多技術(shù)障礙。
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TrendForce集邦咨詢: SiC襯底市場2024年營收年減9%，但長期需求樂觀
May 12, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，受2024年汽車和工業(yè)需求走弱，SiC襯底出貨量成長放緩，與此同時，市場競爭加劇，產(chǎn)品價格大幅下跌，導(dǎo)致2024年全球N-type(導(dǎo)電型)SiC襯底產(chǎn)業(yè)營收年減9%，為10.4億美元。
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英飛凌SiC超結(jié)技術(shù)樹立新標(biāo)準(zhǔn)，加速電動汽車普及與工業(yè)效率提升
【2025年5月7日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）作為碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET溝槽柵技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，始終以卓越性能與高可靠性相結(jié)合的解決方案引領(lǐng)行業(yè)。目前，CoolSiC?產(chǎn)品系列覆蓋了400 V至3.3 kV的電壓范圍，應(yīng)用領(lǐng)域包括汽車動力傳動系統(tǒng)、電動汽車充電、光伏系統(tǒng)、儲能及高功率牽引逆變器等?，F(xiàn)在，英飛凌又憑借豐富的SiC業(yè)務(wù)開發(fā)經(jīng)驗以及在硅基電荷補償器件（CoolMOS?）領(lǐng)域的創(chuàng)新優(yōu)勢，推出了SiC溝槽型超結(jié)（TSJ）技術(shù)。
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2025 慕展回顧 | MPS展會資料一鍵下載！
4月15 日 - 17日，MPS攜“汽車智駕、綠色能源、人工智能、新型工業(yè)”四大主題，驚艷亮相慕尼黑上海電子展。MPS 工程師團隊為現(xiàn)場觀眾展示了 60+ 最新產(chǎn)品Demo，涵蓋汽車?yán)走_、智能座艙、傳感器、電機驅(qū)動、儲能BMS、SiC 新品、AI解決方案、ACDC、電源模塊、隔離電源、ADC、音頻功放、工業(yè)電機等多個領(lǐng)域的前沿技術(shù)和專業(yè)解決方案！ 下面，我們就一起來看看這些豐富的展品有哪些亮點吧~
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SiC MOSFET 如何提高 AI 數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效
國際能源署 (IEA) 指出，人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預(yù)計在 2022 年到 2025 年的三年間，數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營成本，還給早已不堪重負(fù)的老舊電力基礎(chǔ)設(shè)施帶來了巨大的壓力，亟需大規(guī)模的投資升級。
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SiC MOSFET驅(qū)動設(shè)計，LED照明系統(tǒng)中的效率與散熱協(xié)同優(yōu)化
在LED照明技術(shù)持續(xù)演進的背景下，功率半導(dǎo)體器件的性能成為制約系統(tǒng)效率與可靠性的核心因素。碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)憑借其高開關(guān)頻率、低導(dǎo)通損耗與高溫穩(wěn)定性，逐漸成為LED驅(qū)動電路的首選方案。然而，SiC MOSFET的驅(qū)動設(shè)計需在效率提升與散熱管理之間尋求動態(tài)平衡，這一過程涉及驅(qū)動電路拓?fù)?、材料選擇、封裝工藝及控制策略的多維度協(xié)同優(yōu)化。
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Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
全新X.PAK封裝融合卓越散熱性能、緊湊尺寸與便捷封裝特性，適用于高功率應(yīng)用場景
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英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導(dǎo)體預(yù)測報告》：GaN將在多個行業(yè)達到應(yīng)用臨界點，進一步提高能源效率
【2025年2月26日, 德國慕尼黑訊】在全球持續(xù)面臨氣候變化和環(huán)境可持續(xù)發(fā)展挑戰(zhàn)之際，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY)一直站在創(chuàng)新前沿，利用包括硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在內(nèi)的所有相關(guān)半導(dǎo)體材料大幅推動低碳化和數(shù)字化領(lǐng)域的發(fā)展。
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英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品
【2025年2月18日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供先進的SiC功率技術(shù)，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運輸和電動汽車等。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150 mm晶圓向直徑更大、更高效的200 mm晶圓過渡。新建的第三廠區(qū)將根據(jù)市場需求開始大批量生產(chǎn)。
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基于SiC的高電壓電池斷開開關(guān)的設(shè)計注意事項
得益于固態(tài)電路保護，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統(tǒng)（由單相或三相電網(wǎng)電源或儲能系統(tǒng)（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設(shè)計高電壓固態(tài)電池斷開開關(guān)時，需要考慮幾項基本的設(shè)計決策。其中關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)、器件類型、熱封裝、器件耐用性以及電路中斷期間的感應(yīng)能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)和定義高電壓、高電流電池斷開開關(guān)的半導(dǎo)體封裝時的一些設(shè)計注意事項，以及表征系統(tǒng)的寄生電感和過流保護限值的重要性。
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首款新型TPSMB非對稱TVS二極管為汽車SiC MOSFET提供卓越的柵極驅(qū)動器保護
專為下一代電動汽車基礎(chǔ)設(shè)施而設(shè)計，為高能效車載充電和逆變器提供結(jié)構(gòu)緊湊的單元件解決方案
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非線性損耗建模可準(zhǔn)確估計 SiC 轉(zhuǎn)換器性能
碳化硅 (SiC) MOSFET 因其技術(shù)固有的特性(例如高電壓能力、較低的導(dǎo)通電阻、耐高溫操作以及相對于硅更高的功率密度)而越來越受到電源系統(tǒng)設(shè)計人員的歡迎。因此，基于 SiC 的轉(zhuǎn)換器和逆變器是電池供電車輛 (BEV)、可再生能源以及需要最高效率的所有其他應(yīng)用的最佳選擇。
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SiC和GaN的可靠性
近年來，電力電子應(yīng)用中越來越多地從硅轉(zhuǎn)向碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。在過去的十年中，后者已被委托給SiC和GaN半導(dǎo)體，這無疑為電氣化和強勁的未來鋪平了道路。由于其固有特性，寬帶隙半導(dǎo)體在許多電力應(yīng)用中正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基器件。硅現(xiàn)在已經(jīng)風(fēng)光無限，其應(yīng)用的可靠性一直非常高。現(xiàn)在，有必要驗證這兩種新型半導(dǎo)體從長遠來看是否可以提供相同的安全前景，以及它們在未來是否對設(shè)計人員來說是可靠的。
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電力電子熱管理的未來趨勢
在快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，熱管理已成為確保設(shè)備可靠性、效率和壽命的關(guān)鍵因素。這對于電動汽車等能源密集型行業(yè)尤其重要，其中碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 電子電路解決方案(例如逆變器、轉(zhuǎn)換器和充電電路)正在徹底改變這一領(lǐng)域。
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TrendForce集邦咨詢: 3Q24中國電動車牽引逆變器裝機量占全球61%，歐洲積極推進改革
Dec. 10, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，2024年第三季度全球電動車牽引逆變器總裝機量達687萬臺，雖季增7%，但增長幅度較去年同期已有縮減。其中，PHEV牽引逆變器的裝機量季增16%，雖然低于前一季的35%，但仍是所有動力模式中增幅最高的。
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英飛凌攜手Stellantis，推動下一代汽車架構(gòu)的功率轉(zhuǎn)換和分配創(chuàng)新
【2024年11月18日, 德國慕尼黑和阿姆斯特丹訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和Stellantis N.V. 近日宣布，雙方將共同開發(fā)Stellantis電動汽車的功率架構(gòu)，助力Stellantis實現(xiàn)為大眾提供環(huán)保、安全、經(jīng)濟實惠的出行方式這一遠大目標(biāo)。
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意法半導(dǎo)體先進的電隔離柵極驅(qū)動器 STGAP3S為 IGBT 和 SiC MOSFET 提供靈活的保護功能
面向空調(diào)、家電和工廠自動化等工業(yè)電機驅(qū)動裝置和充電站、儲能系統(tǒng)、電源等能源應(yīng)用的功率控制
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采用自主設(shè)計封裝，絕緣電阻顯著提高！ROHM開發(fā)出支持更高電壓xEV系統(tǒng)的SiC肖特基勢壘二極管
與普通產(chǎn)品相比，可確保約1.3倍的爬電距離。即使是表貼型也無需進行樹脂灌封絕緣處理
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SiC上車提速，清純半導(dǎo)體把握國產(chǎn)替代先機
綜合自中汽協(xié)、EVvolumes.com的多方數(shù)據(jù)，新能源汽車行業(yè)增長勢頭強勁。我國2021、2022、2023年新能源汽車銷量分別為350萬輛、689萬輛、950萬輛，市場占有率31.6% 預(yù)計2024年產(chǎn)銷量1200-1300萬輛，市占率超過45%；約占全世界產(chǎn)銷量60%。
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科索3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用羅姆的EcoSiC?
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆生產(chǎn)的EcoSiC?產(chǎn)品——SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”），被日本先進電源制造商COSEL CO., LTD. （以下簡稱“科索”）生產(chǎn)的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用。強制風(fēng)冷型“HFA系列”和傳導(dǎo)散熱型“HCA系列”均搭載了羅姆的SiC MOSFET和SiC SBD，從而實現(xiàn)了最大94%的工作效率?！癏CA系列”于2023年開始量產(chǎn)和銷售，“HFA系列”于2024年開始量產(chǎn)和銷售。
之一知足
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