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體積更小且支持大功率!ROHM開(kāi)始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET
中國(guó)上海，2025年10月16日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)TOLL(TO-LeadLess)封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品(TO-263-7L)相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務(wù)器電源、ESS(儲(chǔ)能系統(tǒng))以及要求扁平化設(shè)計(jì)的薄型電源等工業(yè)設(shè)備。
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GaNSiC功率器件應(yīng)用，高頻高效電路設(shè)計(jì)與熱管理挑戰(zhàn)
在新能源汽車(chē)、5G通信、數(shù)據(jù)中心等高算力場(chǎng)景，功率電子器件正經(jīng)歷一場(chǎng)由傳統(tǒng)硅基向?qū)捊麕Р牧?GaN氮化鎵、SiC碳化硅)的革命性轉(zhuǎn)型。GaN與SiC憑借其獨(dú)特的物理特性，不僅重塑了功率器件的性能邊界，更對(duì)高頻電路設(shè)計(jì)與熱管理系統(tǒng)提出了全新挑戰(zhàn)。
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功率半導(dǎo)體的極致演繹，英飛凌從晶圓、封裝、模塊、方案進(jìn)行全面技術(shù)創(chuàng)新
從工業(yè)數(shù)字化、到電動(dòng)出行、再到現(xiàn)在的AI革命，離不開(kāi)創(chuàng)新的能源技術(shù)驅(qū)動(dòng)，尤其是以SiC/GaN為代表的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。而英飛凌憑借在該領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，牢牢把握這一趨勢(shì)。
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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性，為客戶(hù)帶來(lái)更高靈活度
【2025年9月25日，德國(guó)慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。雙方旨在對(duì)應(yīng)用于車(chē)載充電器、太陽(yáng)能發(fā)電、儲(chǔ)能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的SiC功率器件封裝展開(kāi)合作，推動(dòng)彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商。未來(lái)，客戶(hù)可同時(shí)從英飛凌與羅姆采購(gòu)兼容封裝的產(chǎn)品，既能靈活滿(mǎn)足客戶(hù)的各類(lèi)應(yīng)用需求，亦可輕松實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品切換。此次合作將顯著提升客戶(hù)在設(shè)計(jì)與采購(gòu)環(huán)節(jié)的便利性。
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AC-DC電源中SiC MOSFET與超結(jié)MOSFET的對(duì)比選型：開(kāi)關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗的權(quán)衡分析
在AC-DC電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率器件的選型直接影響系統(tǒng)效率、體積與成本。隨著第三代半導(dǎo)體材料的突破，碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低損耗特性，逐漸在高壓、高頻場(chǎng)景中替代傳統(tǒng)硅基器件。而超結(jié)(Super Junction, SJ)MOSFET作為硅基器件的升級(jí)方案，通過(guò)電荷平衡結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了高耐壓與低導(dǎo)通電阻的平衡。本文將從開(kāi)關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗的權(quán)衡視角，結(jié)合實(shí)際案例與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，深入分析兩種器件的技術(shù)特性與選型策略。
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ROHM推出二合一SiC模塊“DOT-247”，可實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性和功率密度
中國(guó)上海，2025年9月22日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出二合一結(jié)構(gòu)的SiC模塊“DOT-247”，該產(chǎn)品非常適合光伏逆變器、UPS和半導(dǎo)體繼電器等工業(yè)設(shè)備的應(yīng)用場(chǎng)景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性和功率密度。
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羅姆攜眾多先進(jìn)解決方案和技術(shù)亮相2025 PCIM Asia Shanghai
中國(guó)上海，2025年9月11日——全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布，將于9月24日～26日參加上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)暨研討會(huì)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Asia Shanghai)。屆時(shí)，羅姆將展示其在工業(yè)設(shè)備和汽車(chē)領(lǐng)域中卓越的SiC和GaN產(chǎn)品和技術(shù)。同時(shí)，羅姆還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦技術(shù)研討會(huì)，分享其最新的電力電子解決方案。
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TrendForce集邦咨詢(xún): 2Q25全球牽引逆變器裝機(jī)量年增19%，增程式電動(dòng)車(chē)助力SiC機(jī)種普及
Sept. 10, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的《全球電動(dòng)車(chē)逆變器市場(chǎng)數(shù)據(jù)》，2025年第二季受惠純電動(dòng)車(chē)(BEV)銷(xiāo)售成長(zhǎng)，全球電動(dòng)車(chē)(注1)牽引逆變器裝機(jī)量達(dá)766萬(wàn)臺(tái)，年增19%。從動(dòng)力模式分析，BEV的裝機(jī)比例為52%，繼2024年第一季后再度位列第一，甚至超越油電混合車(chē)(HEV)、插電混合式電動(dòng)車(chē)(PHEV)、增程式電動(dòng)車(chē)(REEV)等混合動(dòng)力車(chē)的合計(jì)占比。
2025-09-11 -
搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開(kāi)始量產(chǎn)
中國(guó)上海，2025年9月10日——全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)與德國(guó)大型汽車(chē)零部件供應(yīng)商舍弗勒集團(tuán)(總部位于德國(guó)赫爾佐根奧拉赫，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“舍弗勒”)宣布，作為戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系的重要里程碑，舍弗勒開(kāi)始量產(chǎn)搭載羅姆SiC(碳化硅)MOSFET裸芯片的新型高電壓逆變磚。這是面向中國(guó)大型汽車(chē)制造商設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。
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e絡(luò)盟全面開(kāi)售 Nexperia 廣泛新品組合
中國(guó)上海，2025 年9月9日 — Nexperia 每年增加 800 多種新產(chǎn)品類(lèi)型。2024 年，僅模擬和電源管理應(yīng)用便推出了超過(guò) 70 種新部件。為支持 Nexperia 產(chǎn)品擴(kuò)展，e絡(luò)盟緊跟其不斷擴(kuò)大的產(chǎn)品組合，擴(kuò)充了自身的庫(kù)存產(chǎn)品型號(hào)范圍，以便更精準(zhǔn)的服務(wù)全球工程師。
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X-FAB現(xiàn)推出GaN-on-Si代工服務(wù)
XG035 dMode工藝將提供MPW、原型設(shè)計(jì)及量產(chǎn)服務(wù)
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拆解安森美核心光伏方案：從器件到系統(tǒng)，全面推動(dòng)能效提升
太陽(yáng)能逆變器種類(lèi)豐富，可按類(lèi)型（集中式、組串式、微型）或終端應(yīng)用場(chǎng)景（住宅、商業(yè)、公用事業(yè)）進(jìn)行劃分。目前，組串式逆變器因具備靈活性高、易于安裝的特點(diǎn)而應(yīng)用最為廣泛。隨著功率器件的不斷迭代升級(jí)，單臺(tái)逆變器的功率水平與功率密度持續(xù)提升，而單價(jià)和尺寸卻不斷下降，這使其成為太陽(yáng)能逆變器市場(chǎng)的主流產(chǎn)品。
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東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET
-三款新器件助力提升工業(yè)設(shè)備的效率和功率密度-
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Vishay Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二極管在提高效率的同時(shí)增強(qiáng)電絕緣性
這些1 A和2 A器件采用小尺寸SlimSMA HV (DO-221AC)封裝，提供了低電容電荷和3.2 mm的較大最小爬電距離
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開(kāi)啟電子熱管理技術(shù)圈的正向設(shè)計(jì)之門(mén)|魯歐智造第三屆用戶(hù)大會(huì)成功舉辦
7月18日，由魯歐智造(山東)數(shù)字科技有限公司主辦、中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園、北航確信可靠性聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室協(xié)辦的第三屆用戶(hù)大會(huì)在北京朗麗茲西山花園酒店成功舉辦。本次大會(huì)以“開(kāi)啟電子熱管理技術(shù)圈的正向設(shè)計(jì)之門(mén)”為主題，吸引了來(lái)自全國(guó)各地的300余名行業(yè)專(zhuān)家、企業(yè)代表及技術(shù)精英齊聚北京。
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奇瑞-羅姆供應(yīng)鏈技術(shù)共創(chuàng)交流日：攜手譜寫(xiě)汽車(chē)電子技術(shù)新篇章
中國(guó)上海，2025年7月8日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，與中國(guó)知名OEM廠商奇瑞汽車(chē)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“奇瑞”）于2025年6月5日在奇瑞總部共同舉辦的“奇瑞-羅姆供應(yīng)鏈技術(shù)共創(chuàng)交流日”圓滿(mǎn)落幕。奇瑞汽車(chē)股份有限公司執(zhí)行副總裁 高新華博士、羅姆高級(jí)執(zhí)行官 阪井 正樹(shù)等多位高層領(lǐng)導(dǎo)出席本次活動(dòng)。雙方技術(shù)專(zhuān)家及供應(yīng)鏈核心伙伴齊聚一堂，共話(huà)汽車(chē)電子前沿技術(shù)，致力于為未來(lái)智慧出行注入強(qiáng)勁創(chuàng)新動(dòng)力。
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基于SiC的熔絲保護(hù)高壓電氣系統(tǒng)
在減少排放和實(shí)現(xiàn)凈零目標(biāo)的前進(jìn)道路上，碳化硅技術(shù)將在可持續(xù)發(fā)展應(yīng)用中發(fā)揮關(guān)鍵作用。這些應(yīng)用可以通過(guò)在系統(tǒng)中添加電力電子器件（例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器）或增強(qiáng)現(xiàn)有系統(tǒng)中的電力電子器件以達(dá)到更高的電壓并提高效率。隨著越來(lái)越多的應(yīng)用集成電氣系統(tǒng)，對(duì)電路保護(hù)的需求至關(guān)重要。維修或更換組件的成本可能很高，因此設(shè)計(jì)人員正在實(shí)施更強(qiáng)大的電路保護(hù)方法。僅限于保護(hù)線路的電路中斷裝置對(duì)于敏感的電子負(fù)載已不再足夠。電子電路中斷解決方案（例如電子熔絲）可以保護(hù)線路并限制傳輸?shù)焦收县?fù)載的短路允通電流和能量，從而可以防止負(fù)載自身?yè)p壞。
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羅姆的SiC MOSFET應(yīng)用于豐田全新純電車(chē)型“bZ5”
應(yīng)用于牽引逆變器，助力續(xù)航里程和性能提升
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IGBT 主導(dǎo)新能源汽車(chē)上半場(chǎng)，SiC 提速上車(chē)劍指新周期
在新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，功率器件作為核心 “大腦”，其重要性不言而喻。回顧過(guò)往，IGBT 主導(dǎo)了新能源汽車(chē)的上半場(chǎng)，而如今，SiC 正加速上車(chē)，開(kāi)啟新的發(fā)展周期。
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SiC MOSFET 并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)
基于多個(gè)高功率應(yīng)用案例，我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢(shì)，兩者在10kW至50kW功率范圍內(nèi)存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個(gè)區(qū)間，但分立MOSFET卻能帶來(lái)獨(dú)特優(yōu)勢(shì)：設(shè)計(jì)自由度更高和更豐富的產(chǎn)品組合。當(dāng)單個(gè) MOSFET 無(wú)法滿(mǎn)足功率需求時(shí)，再并聯(lián)一顆MOSFET即可解決問(wèn)題。
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