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奇瑞-羅姆供應鏈技術(shù)共創(chuàng)交流日：攜手譜寫汽車電子技術(shù)新篇章
中國上海，2025年7月8日——全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，與中國知名OEM廠商奇瑞汽車股份有限公司（以下簡稱“奇瑞”）于2025年6月5日在奇瑞總部共同舉辦的“奇瑞-羅姆供應鏈技術(shù)共創(chuàng)交流日”圓滿落幕。奇瑞汽車股份有限公司執(zhí)行副總裁 高新華博士、羅姆高級執(zhí)行官 阪井 正樹等多位高層領導出席本次活動。雙方技術(shù)專家及供應鏈核心伙伴齊聚一堂，共話汽車電子前沿技術(shù)，致力于為未來智慧出行注入強勁創(chuàng)新動力。
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基于SiC的熔絲保護高壓電氣系統(tǒng)
在減少排放和實現(xiàn)凈零目標的前進道路上，碳化硅技術(shù)將在可持續(xù)發(fā)展應用中發(fā)揮關鍵作用。這些應用可以通過在系統(tǒng)中添加電力電子器件（例如電機驅(qū)動器）或增強現(xiàn)有系統(tǒng)中的電力電子器件以達到更高的電壓并提高效率。隨著越來越多的應用集成電氣系統(tǒng)，對電路保護的需求至關重要。維修或更換組件的成本可能很高，因此設計人員正在實施更強大的電路保護方法。僅限于保護線路的電路中斷裝置對于敏感的電子負載已不再足夠。電子電路中斷解決方案（例如電子熔絲）可以保護線路并限制傳輸?shù)焦收县撦d的短路允通電流和能量，從而可以防止負載自身損壞。
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羅姆的SiC MOSFET應用于豐田全新純電車型“bZ5”
應用于牽引逆變器，助力續(xù)航里程和性能提升
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IGBT 主導新能源汽車上半場，SiC 提速上車劍指新周期
在新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，功率器件作為核心 “大腦”，其重要性不言而喻?；仡欉^往，IGBT 主導了新能源汽車的上半場，而如今，SiC 正加速上車，開啟新的發(fā)展周期。
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SiC MOSFET 并聯(lián)的關鍵技術(shù)
基于多個高功率應用案例，我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢，兩者在10kW至50kW功率范圍內(nèi)存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個區(qū)間，但分立MOSFET卻能帶來獨特優(yōu)勢：設計自由度更高和更豐富的產(chǎn)品組合。當單個 MOSFET 無法滿足功率需求時，再并聯(lián)一顆MOSFET即可解決問題。
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SiC 市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
碳化硅結(jié)型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導通。
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為下一代800V電動汽車牽引逆變器平臺帶來更長續(xù)航與長期的卓越性能
為實現(xiàn)零排放的未來，汽車行業(yè)迫切需要重塑。汽車制造商必須加速推出差異化的電動車型。恩智浦攜手Wolfspeed，共同推出一款經(jīng)過全面驗證的800V牽引逆變器參考設計，有效幫助電動汽車系統(tǒng)架構(gòu)師克服諸多技術(shù)障礙。
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TrendForce集邦咨詢: SiC襯底市場2024年營收年減9%，但長期需求樂觀
May 12, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，受2024年汽車和工業(yè)需求走弱，SiC襯底出貨量成長放緩，與此同時，市場競爭加劇，產(chǎn)品價格大幅下跌，導致2024年全球N-type(導電型)SiC襯底產(chǎn)業(yè)營收年減9%，為10.4億美元。
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英飛凌SiC超結(jié)技術(shù)樹立新標準，加速電動汽車普及與工業(yè)效率提升
【2025年5月7日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）作為碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET溝槽柵技術(shù)的領導者，始終以卓越性能與高可靠性相結(jié)合的解決方案引領行業(yè)。目前，CoolSiC?產(chǎn)品系列覆蓋了400 V至3.3 kV的電壓范圍，應用領域包括汽車動力傳動系統(tǒng)、電動汽車充電、光伏系統(tǒng)、儲能及高功率牽引逆變器等。現(xiàn)在，英飛凌又憑借豐富的SiC業(yè)務開發(fā)經(jīng)驗以及在硅基電荷補償器件（CoolMOS?）領域的創(chuàng)新優(yōu)勢，推出了SiC溝槽型超結(jié)（TSJ）技術(shù)。
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2025 慕展回顧 | MPS展會資料一鍵下載！
4月15 日 - 17日，MPS攜“汽車智駕、綠色能源、人工智能、新型工業(yè)”四大主題，驚艷亮相慕尼黑上海電子展。MPS 工程師團隊為現(xiàn)場觀眾展示了 60+ 最新產(chǎn)品Demo，涵蓋汽車雷達、智能座艙、傳感器、電機驅(qū)動、儲能BMS、SiC 新品、AI解決方案、ACDC、電源模塊、隔離電源、ADC、音頻功放、工業(yè)電機等多個領域的前沿技術(shù)和專業(yè)解決方案！ 下面，我們就一起來看看這些豐富的展品有哪些亮點吧~
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SiC MOSFET 如何提高 AI 數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效
國際能源署 (IEA) 指出，人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預計在 2022 年到 2025 年的三年間，數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎設施帶來了巨大的壓力，亟需大規(guī)模的投資升級。
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SiC MOSFET驅(qū)動設計，LED照明系統(tǒng)中的效率與散熱協(xié)同優(yōu)化
在LED照明技術(shù)持續(xù)演進的背景下，功率半導體器件的性能成為制約系統(tǒng)效率與可靠性的核心因素。碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)憑借其高開關頻率、低導通損耗與高溫穩(wěn)定性，逐漸成為LED驅(qū)動電路的首選方案。然而，SiC MOSFET的驅(qū)動設計需在效率提升與散熱管理之間尋求動態(tài)平衡，這一過程涉及驅(qū)動電路拓撲、材料選擇、封裝工藝及控制策略的多維度協(xié)同優(yōu)化。
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Nexperia推出采用行業(yè)領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
全新X.PAK封裝融合卓越散熱性能、緊湊尺寸與便捷封裝特性，適用于高功率應用場景
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英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導體預測報告》：GaN將在多個行業(yè)達到應用臨界點，進一步提高能源效率
【2025年2月26日, 德國慕尼黑訊】在全球持續(xù)面臨氣候變化和環(huán)境可持續(xù)發(fā)展挑戰(zhàn)之際，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY)一直站在創(chuàng)新前沿，利用包括硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在內(nèi)的所有相關半導體材料大幅推動低碳化和數(shù)字化領域的發(fā)展。
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英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品
【2025年2月18日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為高壓應用領域提供先進的SiC功率技術(shù)，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運輸和電動汽車等。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150 mm晶圓向直徑更大、更高效的200 mm晶圓過渡。新建的第三廠區(qū)將根據(jù)市場需求開始大批量生產(chǎn)。
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基于SiC的高電壓電池斷開開關的設計注意事項
得益于固態(tài)電路保護，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統(tǒng)（由單相或三相電網(wǎng)電源或儲能系統(tǒng)（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設計高電壓固態(tài)電池斷開開關時，需要考慮幾項基本的設計決策。其中關鍵因素包括半導體技術(shù)、器件類型、熱封裝、器件耐用性以及電路中斷期間的感應能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導體技術(shù)和定義高電壓、高電流電池斷開開關的半導體封裝時的一些設計注意事項，以及表征系統(tǒng)的寄生電感和過流保護限值的重要性。
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首款新型TPSMB非對稱TVS二極管為汽車SiC MOSFET提供卓越的柵極驅(qū)動器保護
專為下一代電動汽車基礎設施而設計，為高能效車載充電和逆變器提供結(jié)構(gòu)緊湊的單元件解決方案
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非線性損耗建?？蓽蚀_估計 SiC 轉(zhuǎn)換器性能
碳化硅 (SiC) MOSFET 因其技術(shù)固有的特性(例如高電壓能力、較低的導通電阻、耐高溫操作以及相對于硅更高的功率密度)而越來越受到電源系統(tǒng)設計人員的歡迎。因此，基于 SiC 的轉(zhuǎn)換器和逆變器是電池供電車輛 (BEV)、可再生能源以及需要最高效率的所有其他應用的最佳選擇。
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SiC和GaN的可靠性
近年來，電力電子應用中越來越多地從硅轉(zhuǎn)向碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。在過去的十年中，后者已被委托給SiC和GaN半導體，這無疑為電氣化和強勁的未來鋪平了道路。由于其固有特性，寬帶隙半導體在許多電力應用中正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基器件。硅現(xiàn)在已經(jīng)風光無限，其應用的可靠性一直非常高?，F(xiàn)在，有必要驗證這兩種新型半導體從長遠來看是否可以提供相同的安全前景，以及它們在未來是否對設計人員來說是可靠的。
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電力電子熱管理的未來趨勢
在快速發(fā)展的電力電子領域，熱管理已成為確保設備可靠性、效率和壽命的關鍵因素。這對于電動汽車等能源密集型行業(yè)尤其重要，其中碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 電子電路解決方案(例如逆變器、轉(zhuǎn)換器和充電電路)正在徹底改變這一領域。
