?英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品

?這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)

?200 mm SiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所有功率半導體材料領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢

【2025年2月18日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）在200 mmSiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為高壓應用領(lǐng)域提供先進的SiC功率技術(shù)，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運輸和電動汽車等。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150 mm晶圓向直徑更大、更高效的200 mm晶圓過渡。新建的第三廠區(qū)將根據(jù)市場需求開始大批量生產(chǎn)。

英飛凌200mm SiC晶圓

英飛凌科技首席運營官Rutger Wijburg博士表示：“我們正在按計劃實施SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)，并且十分高興將開始為客戶提供首批產(chǎn)品。通過菲拉赫和居林生產(chǎn)基地的SiC產(chǎn)品分階段進入量產(chǎn)，我們正在提升成本效益并持續(xù)保證產(chǎn)品質(zhì)量，同時確保我們的產(chǎn)能滿足客戶對SiC功率半導體的需求?！?

英飛凌200mm SiC晶圓

SiC半導體為大功率應用帶來了變革，它進一步提高了電源開關(guān)的效率、在極端條件下具有高度的可靠性和穩(wěn)健性，并且能夠?qū)崿F(xiàn)更小尺寸的設(shè)計。借助英飛凌的SiC產(chǎn)品，客戶能夠為電動汽車、快速充電站和鐵路運輸，以及可再生能源系統(tǒng)和AI數(shù)據(jù)中心開發(fā)節(jié)能解決方案。向客戶提供首批基于200 mm晶圓技術(shù)的SiC產(chǎn)品標志著英飛凌在SiC產(chǎn)品路線圖上邁出了實質(zhì)性的一步，該路線圖的重點是為客戶提供全面的高性能功率半導體產(chǎn)品組合，推動綠色能源的發(fā)展并對二氧化碳的減排做出貢獻。

作為專注于高度創(chuàng)新寬禁帶（WBG）技術(shù)的“英飛凌虛擬協(xié)同工廠”，英飛凌位于菲拉赫和居林的生產(chǎn)基地通過共享技術(shù)和制程工藝，實現(xiàn)了SiC和氮化鎵（GaN）產(chǎn)品制造的快速進入量產(chǎn)和平穩(wěn)高效的運營?，F(xiàn)在，200 mm SiC的生產(chǎn)為英飛凌業(yè)界領(lǐng)先的半導體技術(shù)和功率系統(tǒng)解決方案錦上添花，鞏固了公司在硅以及碳化硅和氮化鎵等整個功率半導體領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。