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除了業(yè)界最小RDSon之外，與硅器件相同的驅(qū)動特性才是United SiC FET的殺手锏
采用Si基MOSFET和SiC基的JFET，采用共源共柵的方式將其燒結(jié)在一起，是United SiC的最大設(shè)計特色。這種結(jié)構(gòu)確保其產(chǎn)品可以保持與Si類功率器件保持一致的驅(qū)動電壓，從而可以幫助可以直接在原有的Si基礎(chǔ)的電路中進(jìn)行直接的升級和替換。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件，更是以小于10mΩ的業(yè)界最低Rds(on)將SiC器件的性能提升到了新的高度，面對電動汽車和5G等全新應(yīng)用需求，United SiC可以給客戶提供集成度更高、更加高效、更為穩(wěn)定可靠的解決方案。
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為什么超低阻抗SiC FET受歡迎？
與包括SiC MOSFET、硅MOSFET和GaN HEMT在內(nèi)的其他可用功率晶體管相比，常開型SiC JFET的單位芯片面積具有更低的導(dǎo)通阻抗。如圖1a所示，當(dāng)?shù)蛪篗OSFET堆疊在JFET上時，為了實現(xiàn)圖1b的共源共柵架構(gòu)，就形成了低阻抗常關(guān)斷型開關(guān)
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UnitedSiC新款SiC FET
新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布將推出四種新型SiC FET――UF3SC。據(jù)介紹，該產(chǎn)品的RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動汽車（EV）逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器
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意法半導(dǎo)體完成對碳化硅晶圓廠商Norstel AB的并購
?從材料專業(yè)知識和工藝工程，到SiC MOSFET和二極管設(shè)計制造，意法半導(dǎo)體加強內(nèi)部SiC生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)
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科銳與意法半導(dǎo)體擴大并延伸現(xiàn)有SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議
科銳與意法半導(dǎo)體宣布擴大并延伸現(xiàn)有多年長期碳化硅(SiC)晶圓供應(yīng)協(xié)議至5億多美元。意法半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域。這一延伸協(xié)議是原先協(xié)議價值的雙倍，科銳將在未來數(shù)年向意法半導(dǎo)體提供先進(jìn)的150mm SiC裸晶圓和外延片。這一提升的晶圓供應(yīng)，幫助意法半導(dǎo)體應(yīng)對在全球范圍內(nèi)快速增長的SiC功率器件需求，特別是在汽車應(yīng)用和工業(yè)應(yīng)用。
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SiC MOSFET在汽車和電源應(yīng)用中優(yōu)勢顯著
摘要：傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機械特性更好，能夠提高M(jìn)OSFET的性能，是一項關(guān)注度很高的替代技術(shù)。
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1200V 450A全SiC半橋功率模塊問世
根據(jù)Wolfspeed的說法，該半橋模塊利用了公司優(yōu)化的第三代MOSFET技術(shù)。XM3的SiC封裝最高支持175°C。 Wolfspeed表示，XM3功率模塊平臺可最大限度地發(fā)揮SiC的優(yōu)勢，同時保持模塊和系統(tǒng)設(shè)計的穩(wěn)健，簡單和經(jīng)濟(jì)高效等特性。
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關(guān)于SiC在電動車市場的應(yīng)用
電源設(shè)計的工程師已經(jīng)意識到SiC晶體管確實是新開關(guān)模式設(shè)計的最佳選擇，雖然它們可能比替代品貴一點，但它們提供了更多優(yōu)勢。以下是SiC與MOSFET和IGBT相比的優(yōu)勢：
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科銳將在美國建造全球最大SiC制造廠
這一新制造工廠是先前所宣布計劃的一部分，旨在顯著提升用于Wolfspeed碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)的產(chǎn)能，將建設(shè)成為一座規(guī)模更大、高度自動化和更高生產(chǎn)能力的工廠。
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意法半導(dǎo)體提供先進(jìn)的碳化硅功率電子器件，助力雷諾-日產(chǎn)-三菱聯(lián)盟下一代電動汽車快充技術(shù)研發(fā)
·碳化硅(SiC)是一種性能極高的功率半導(dǎo)體技術(shù)，使可持續(xù)發(fā)展的智慧出行模式前景可期 ·意法半導(dǎo)體SiC器件的高能效、耐高溫表現(xiàn)、高可靠性和小尺寸讓電動汽車更具吸引力
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賀利氏鉑電阻溫度傳感器亮相2019中國(上海)傳感器技術(shù)與應(yīng)用展
近年來，由于市場對傳感器技術(shù)的需求不斷增長，賀利氏憑借適用于各類應(yīng)用的溫度傳感器產(chǎn)品取得了強勁的增長。賀利氏溫度傳感器能夠精確測量高達(dá)1050°C的溫度，強大的技術(shù)優(yōu)勢讓賀利氏在鉑電阻傳感器市場不斷擴大市場份額。
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SiC等新一代材料的功率器件開發(fā)
在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產(chǎn)品，然而大家只關(guān)注這些產(chǎn)品的使用，只有研究人員會關(guān)注內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這其中就要數(shù)功率器件了。從誕生之日起，市場對功率器件的需求都是一致的，即追求更快的開關(guān)速度、更高的耐壓、更大的電流、更強的耐沖擊性能、更好的高頻性能、更低的驅(qū)動損耗等。
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減少功率轉(zhuǎn)換損耗的SiC功率器件
在現(xiàn)代能源基礎(chǔ)設(shè)施中，電力電子技術(shù)仍以過去幾十年的陳舊技術(shù)為基礎(chǔ)。隨著社會的不斷進(jìn)步，技術(shù)的不斷發(fā)展，科技產(chǎn)品也日新月異，產(chǎn)品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的設(shè)計者來設(shè)計，功率器件對電子產(chǎn)品是功不可沒的。硅材料在很多方面已經(jīng)接近其理論性能極限，因此業(yè)界在不斷尋找新的半導(dǎo)體元器件材料，以期從根本上提升轉(zhuǎn)化和利用電力的效率。
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安森美的SiC及GaN產(chǎn)品
在日常生活中，電子產(chǎn)品處處可見，大家都知道如何使用，但是都不會去了解電子產(chǎn)品里面有什么，其實里面很重要的是功率器件。更為嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關(guān)鍵驅(qū)動因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級增長以跟上需求，其耗電量約占全球總電力供應(yīng)量(+ 400TWh)的3%，也占總溫室氣體排放量的2%，與航空業(yè)的碳排放量相同。
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美高森美的SiC解決方案的開發(fā)工作
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 發(fā)布專門用于高電流、低導(dǎo)通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模塊的極低電感封裝。
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為啥說SiC在功率器件領(lǐng)域更具有競爭力？
如今在需求龐大的功率半導(dǎo)體市場上，來自工藝材料方面的競爭十分激烈，傳統(tǒng)硅材料和新興的SiC、GaN工藝各有擁躉。不過，在當(dāng)前的時間節(jié)點，SiC的綜合優(yōu)勢似乎更具有競爭力。SiC是一種基于硅和碳的復(fù)合半
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SiC產(chǎn)業(yè)化，多項第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)通過評審
6月27日，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡稱“寬禁帶聯(lián)盟”）第三批團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)初審稿評審會舉行，對6項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)初審稿進(jìn)行評審。據(jù)寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟消息，與會專家一致同意以下6項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)初
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電動汽車上的“全SiC”功率器件，系關(guān)鍵要素
作為半導(dǎo)體界公認(rèn)的“一種未來的材料”，在沉寂了一段時間之后，SiC功率元器件終于在汽車市場迎來了爆發(fā)，尤其是在有著巨大增長機會的電動汽車領(lǐng)域。據(jù)了解，基于SiC的功率半導(dǎo)體先前主要用于電動汽車的車載充
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CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級碳化硅功率模塊高溫柵極驅(qū)動器創(chuàng)新成果
2019年7月16日,CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動器”的論文，并介紹公司在該領(lǐng)域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte將于19日在該會議上發(fā)表該文章。
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深入剖析碳化硅：羅姆為你揭示背后的成本秘密
作為第三代半導(dǎo)體中的明星，碳化硅因為其獨有的特性和優(yōu)勢受到各方青睞。尤其是時下電動汽車市場的火爆，助推了碳化硅器件的發(fā)展與應(yīng)用。不過，作為新興事物，碳化硅器件的產(chǎn)品良率及價格問題使得其應(yīng)用變得撲朔迷離。碳化硅器件到底好在哪?目前主要應(yīng)用領(lǐng)域?成本與硅相比差多少?發(fā)展前景如何?最近，碳化硅主要供應(yīng)商羅姆半導(dǎo)體公司舉辦座談會，羅姆半導(dǎo)體(北京)有限公司技術(shù)中心所長水原德建先生就這些問題進(jìn)行了詳細(xì)介紹。
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氯化鈣補鈣
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風(fēng)云ljh
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朱德榮
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