新能源汽車被重視，SiC 元器件為何迎來(lái)爆發(fā)？

作為半導(dǎo)體界公認(rèn)的“一種未來(lái)的材料”，在沉寂了一段時(shí)間之后，SiC功率元器件終于在汽車市場(chǎng)迎來(lái)了爆發(fā)，尤其是在有著巨大增長(zhǎng)機(jī)會(huì)的電動(dòng)汽車領(lǐng)域。

安森美半導(dǎo)體推出基于SiC的兩種IGBT門極驅(qū)動(dòng)器

安森美半導(dǎo)體，在德國(guó)紐倫堡歐洲PCIM 2019展會(huì)推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動(dòng)器隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動(dòng)器。

Microchip宣布推出碳化硅（SiC）產(chǎn)品，助力打造可靠的高壓電子設(shè)備

汽車、工業(yè)、太空和國(guó)防領(lǐng)域越來(lái)越需要能提升系統(tǒng)效率、穩(wěn)健性和功率密度的SiC功率產(chǎn)品。今日，Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）通過(guò)其子公司Microsemi（美高森美）宣布推出一系列SiC功率器件。該系列器件具有良好的耐用性，以及寬帶隙技術(shù)優(yōu)勢(shì)。它們將與Microchip各類單片機(jī)和模擬解決方案形成優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，加入Microchip不斷壯大的SiC產(chǎn)品組合，滿足電動(dòng)汽車和其他大功率應(yīng)用領(lǐng)域迅速發(fā)展的市場(chǎng)需求。

Microchip宣布推出碳化硅（SiC）產(chǎn)品，助力打造可靠的高壓電子設(shè)備

Microchip Technology Inc.是致力于智能、互聯(lián)和安全的嵌入式控制解決方案的領(lǐng)先半導(dǎo)體供應(yīng)商。 其易于使用的開(kāi)發(fā)工具和豐富的產(chǎn)品組合讓客戶能夠創(chuàng)建最佳設(shè)計(jì)，從而在降低風(fēng)險(xiǎn)的同時(shí)減少系統(tǒng)總成本，縮短上市時(shí)間。Microchip的解決方案為工業(yè)、汽車、消費(fèi)、航天和國(guó)防、通信以及計(jì)算市場(chǎng)中12.5萬(wàn)多家客戶提供服務(wù)。Microchip總部位于美國(guó)亞利桑那州Chandler市，提供出色的技術(shù)支持、可靠的產(chǎn)品交付和卓越的質(zhì)量。

全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器可最大程度提高效率及安全性

碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆變器應(yīng)用的開(kāi)關(guān)性能，能夠在增強(qiáng)熱性能的同時(shí)提供較高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)及開(kāi)關(guān)頻率。不過(guò)，SiC要求在更緊湊的設(shè)計(jì)中能夠獲得更快速的短路保護(hù)，這對(duì)門極驅(qū)動(dòng)器提出了獨(dú)特的挑戰(zhàn) —— 需要在不同的SiC架構(gòu)中支持各種不同的門極電壓。

安森美半導(dǎo)體推出新的工業(yè)級(jí)和符合車規(guī)的SiC MOSFET，補(bǔ)足成長(zhǎng)的生態(tài)系統(tǒng)，并為迅速增長(zhǎng)的應(yīng)用帶來(lái)寬禁帶性能的優(yōu)勢(shì)

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級(jí)NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級(jí)NVHL080N120SC1把寬禁帶技術(shù)的使能、廣泛性能優(yōu)勢(shì)帶到重要的高增長(zhǎng)終端應(yīng)用領(lǐng)域如汽車DC-DC、電動(dòng)汽車車載充電機(jī)、太陽(yáng)能、不間斷電源及服務(wù)器電源。

安森美推出新的工業(yè)級(jí)和符合車規(guī)的SiC MOSFET，為迅速增長(zhǎng)的應(yīng)用帶來(lái)寬禁帶性能的優(yōu)勢(shì)

安森美半導(dǎo)體新的SiC MOSFET另一獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)是具有專利的終端結(jié)構(gòu)，增加了可靠性和強(qiáng)固性，并增強(qiáng)了工作穩(wěn)定性。NVHL080N120SC1設(shè)計(jì)用于承受高浪涌電流，并提供高的雪崩能力和強(qiáng)固的短路保護(hù)。

顯著節(jié)約能耗，德州儀器推出首款適用于IGBT和SiC MOSFET且集成傳感功能的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

新型TI柵極驅(qū)動(dòng)器提供先進(jìn)的監(jiān)控和保護(hù)功能，同時(shí)還能提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率德州儀器(TI) (納斯達(dá)克代碼: TXN)近日推出多款新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。它們不僅能夠提供出色的監(jiān)控能力，還可為高壓系統(tǒng)構(gòu)筑

TI首款適用于IGBT和SiC MOSFET且集成傳感功能的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可顯著節(jié)約能耗，并為高壓系統(tǒng)構(gòu)筑堅(jiān)強(qiáng)屏障

新型TI柵極驅(qū)動(dòng)器提供先進(jìn)的監(jiān)控和保護(hù)功能，同時(shí)還能提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率

飛兆半導(dǎo)體收購(gòu)SiC公司TranSiC

SiC和GaN并不是終點(diǎn)，功率半導(dǎo)體氧化鎵到底是什么

SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來(lái)。

新的電源轉(zhuǎn)換標(biāo)桿：英飛凌CoolGaN可圈可點(diǎn)

未來(lái)十年，基于氮化鎵的器件市場(chǎng)總值有望超過(guò)10億美元，從市場(chǎng)的分布來(lái)說(shuō)，電源類產(chǎn)品大概占到整個(gè)市場(chǎng)的40%左右。在汽車類的應(yīng)用可能起步得比較晚，但是它的成長(zhǎng)非?？欤磥?lái)汽車關(guān)于氮化鎵的應(yīng)用是一個(gè)非常大的應(yīng)用。

廈門第三代半導(dǎo)體SiC生產(chǎn)線投產(chǎn)穩(wěn)定，每月可產(chǎn)30萬(wàn)顆

廈門芯光潤(rùn)澤科技有限公司自主研發(fā)的國(guó)內(nèi)首條碳化硅智能功率模塊(SiC IPM)生產(chǎn)線，于9月18日正式投產(chǎn)。據(jù)報(bào)道，兩個(gè)月來(lái)，該生產(chǎn)線投產(chǎn)穩(wěn)定，每月生產(chǎn)規(guī)?？蛇_(dá)30萬(wàn)顆，每年可達(dá)360萬(wàn)顆。

大力推廣Littelfuse SiC MOSFET、SiC二極管等產(chǎn)品，世強(qiáng)獲其“最佳市場(chǎng)開(kāi)發(fā)獎(jiǎng)”

2018年，本土十大分銷商，Littelfuse官方授權(quán)一級(jí)代理商——世強(qiáng)，對(duì)Littelfuse的SiC MOSFET、SiC二極管等最新產(chǎn)品，進(jìn)行了充分的市場(chǎng)推展，將這些產(chǎn)品帶入了車載OBC、車載DC-DC、光伏等領(lǐng)域，并取得了喜人的成績(jī)。由此，在Littelfuse 2018年度優(yōu)秀供應(yīng)商表彰大會(huì)中，世強(qiáng)斬獲“Littelfuse最佳市場(chǎng)開(kāi)發(fā)代理商大獎(jiǎng)”。

領(lǐng)先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)

目前，功率轉(zhuǎn)換器市場(chǎng)快速演進(jìn)，將來(lái)也會(huì)快速發(fā)展，從簡(jiǎn)單的高性價(jià)比設(shè)計(jì)模式走向更為廣泛、更具持續(xù)性的創(chuàng)新模式。新的挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)，比如，生產(chǎn)能供小型伺服驅(qū)動(dòng)使用或者能集成到分布式存能單元功率轉(zhuǎn)換器中的更小、更高效的功率轉(zhuǎn)換器。這也意味著，要用更高的工作電壓來(lái)管理更高的功率，卻不能增加重量和尺寸，比如，太陽(yáng)能串式逆變器和電動(dòng)汽車牽引電機(jī)等應(yīng)用場(chǎng)合。

憑借對(duì)SiC MOSFET的大力推廣 世強(qiáng)獲Littelfuse最佳市場(chǎng)開(kāi)發(fā)代理商

近日，全球排名第一的電路保護(hù)品牌Littelfuse向世強(qiáng)頒發(fā)了“最佳市場(chǎng)開(kāi)發(fā)代理商獎(jiǎng)”，以表彰其2018年在產(chǎn)品推廣與市場(chǎng)開(kāi)發(fā)方面所作出的杰出貢獻(xiàn)。

第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

1.GaN功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS管向以碳化硅(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、G

美高森美發(fā)布創(chuàng)新SiC MOSFET系列

新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件與SiC功率模塊相輔相成，顯著提升高壓應(yīng)用的系統(tǒng)效率，并提供最大功效，幫助客戶開(kāi)發(fā)更輕、更小、更可靠的系統(tǒng)設(shè)計(jì)致力于提供功率、安全、可靠

性價(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)

Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢撸S著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊

領(lǐng)先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)

目前，功率轉(zhuǎn)換器市場(chǎng)快速演進(jìn)，將來(lái)也會(huì)快速發(fā)展，從簡(jiǎn)單的高性價(jià)比設(shè)計(jì)模式走向更為廣泛、更具持續(xù)性的創(chuàng)新模式。新的挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)，比如，生產(chǎn)能供小型伺服驅(qū)動(dòng)使用或者能集成到分布式存能單元功率轉(zhuǎn)換器中的更小、更高效的功率轉(zhuǎn)換器。