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[導讀]3月3日,嘉興斯達半導體股份有限公司(以下簡稱“斯達半導體”)發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股票預案。公告中披露本次非公開發(fā)行股票募集資金總額不超過35億元,主要投向高壓特色工藝功率芯片和 SiC 芯片研發(fā)及產業(yè)化項目,以及功率半導體模塊生產線自動化改造項目,同時補充公司流動資金。

3月3日,嘉興斯達半導體股份有限公司(以下簡稱“斯達半導體”)發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股票預案。公告中披露本次非公開發(fā)行股票募集資金總額不超過35億元,主要投向高壓特色工藝功率芯片和 SiC 芯片研發(fā)及產業(yè)化項目,以及功率半導體模塊生產線自動化改造項目,同時補充公司流動資金。

第三代半導體具備高頻、高效、高功率、 耐高溫高壓等特點,契合節(jié)能減排、智能制造等國家重大戰(zhàn)略需求,已成為全球半導體技術和產業(yè)新的競爭焦點。國家先后印發(fā)鼓勵性、支持性政策,推動支持 SiC 等第三代半導體材料的制造及應用技術突破。

SiC 功率器件可以降低損耗,減小模塊體積重量,隨著新能源汽車市場迅速發(fā)展,SiC 功率器件在高端新能源汽車控制器中大批量應用。根據(jù) IHS 數(shù)據(jù),預計到 2027 年碳化硅功率器件的市場規(guī)模將超過 100 億美元。

而SiC也是此次斯達半導體募資的重點,繼三個月前斯達半導體擬2.29億元投建全碳化硅功率模組產業(yè)化項目后,再豪擲20億加碼SiC項目。

本次斯達半導體為其高壓特色工藝功率芯片和 SiC 芯片研發(fā)及產業(yè)化項目,募資20億。項目計劃建設周期為3年,可助力其實現(xiàn)高壓特色工藝功率芯片和 SiC 芯片研發(fā)及產業(yè)化。達產后,預計將形成年產 36 萬片功率半導體芯片的生產能力。

發(fā)行完成后,斯達半導體的主營業(yè)務范圍保持不變,注冊資本發(fā)生變化,發(fā)行后沈華、胡畏夫婦合計控制公司股份的比例將由 44.54%下降至 40.49%,仍為公司實際控制人。

斯達半導體稱,SiC方面,本次募資將有助于公司把握新能源汽車快速發(fā)展的市場機遇,滿足市場需求;豐富產品線,實現(xiàn)智能電網(wǎng)和軌道交通行業(yè)高壓功率器件的國產化替代。

功率半導體方面,有助于其緊追功率半導體市場快速發(fā)展機遇,滿足市場需求;提升企業(yè)質量管控能力,進一步提高公司產品質量穩(wěn)定性;進一步提升企業(yè)對下游市場的供貨保障能力,提高客戶供應鏈安 全性,提升企業(yè)競爭力。

本次發(fā)行完成后,公司資產總額與凈資產額將同時增加,資金實力將大幅增強。

來源:化合物半導體市場

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