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三安集成為寬禁帶電力半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)布全新升級生產(chǎn)平臺
為最前沿的電力電力技術(shù)提供更廣泛更全面的代工服務(wù)
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世強再添SiC頂尖品牌UnitedSiC，提供可直接替代Si器件的SiC FET免費樣品
據(jù)消息稱，美國專業(yè)功率半導體制造商UnitedSiC與擁有50萬工程師用戶的世強元件電商合作。
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韓國三星,現(xiàn)代,LG等SiC供應(yīng)商，世強再添第三代半導體功率器件品牌美浦森，提供免費樣品
世強元件電商再添第三代半導體功率器件品牌，授權(quán)代理全球SiC MOSFET頂尖制造商美浦森（Maplesemi）。
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實現(xiàn)SiC器件與高速電機、電控系統(tǒng)的全方位優(yōu)化、匹配，追求最佳效率、功率密度及可靠性，滿足工業(yè)和新能源汽車應(yīng)用的更高需求
CISSOID與華中科技大學電氣與電子工程學院達成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將共同開展相關(guān)前沿技術(shù)的研究開發(fā)
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電路中的碳化硅
什么是SiC?它的作用是什么?SiC材料在能源解決方案中的應(yīng)用正在汽車和工業(yè)市場中加速發(fā)展。制作碳化硅(SiC)晶圓比制作硅晶圓要復雜得多，并且隨著對SiC器件需求的增加，制造碳化硅(SiC)器件的公司不得不確定SiC晶圓的來源。
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SiC MOSFET在汽車和電源中的應(yīng)用
科學技術(shù)的不斷發(fā)展推動者電子元器件的不斷革新，傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導體的電、熱和機械特性更好，能夠提高MOSFET的性能，是一項關(guān)注度很高的替代技術(shù)。商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅(qū)動等電路設(shè)計。
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ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動汽車車載充電器
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被應(yīng)用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應(yīng)商
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安森美推出寬禁帶器件：900V和1200V SiC MOSFET
新的SiC MOSFET器件實現(xiàn)更好的性能、更高的能效和能在嚴苛條件下工作
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CISSOID三相SiC MOSFET智能功率模塊問市
這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機械和散熱設(shè)計及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅(qū)動的電動機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間。
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CISSOID強勁可靠的柵極驅(qū)動器為 Wolfspeed的快速開關(guān)碳化硅（SiC）功率模塊提供支持
各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID日前宣布，為Wolfspeed提供強勁可靠的柵極驅(qū)動器，以支持其XM3碳化硅（SiC）MOSFET功率模塊。
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新型IGBT誕生，made in China
當前，碳化硅基功率器件面臨著嚴峻的挑戰(zhàn)，現(xiàn)有的碳化硅基肖特基二極管，MOSFET等器件并不能有效地滿足實際應(yīng)用需要，對IGBT器件的需求日益迫切，必須突破碳化硅基IGBT研究中的瓶頸問題，增加器件耐壓強度
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除了業(yè)界最小RDSon之外，與硅器件相同的驅(qū)動特性才是United SiC FET的殺手锏
采用Si基MOSFET和SiC基的JFET，采用共源共柵的方式將其燒結(jié)在一起，是United SiC的最大設(shè)計特色。這種結(jié)構(gòu)確保其產(chǎn)品可以保持與Si類功率器件保持一致的驅(qū)動電壓，從而可以幫助可以直接在原有的Si基礎(chǔ)的電路中進行直接的升級和替換。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件，更是以小于10mΩ的業(yè)界最低Rds(on)將SiC器件的性能提升到了新的高度，面對電動汽車和5G等全新應(yīng)用需求，United SiC可以給客戶提供集成度更高、更加高效、更為穩(wěn)定可靠的解決方案。
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為什么超低阻抗SiC FET受歡迎？
與包括SiC MOSFET、硅MOSFET和GaN HEMT在內(nèi)的其他可用功率晶體管相比，常開型SiC JFET的單位芯片面積具有更低的導通阻抗。如圖1a所示，當?shù)蛪篗OSFET堆疊在JFET上時，為了實現(xiàn)圖1b的共源共柵架構(gòu)，就形成了低阻抗常關(guān)斷型開關(guān)
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UnitedSiC新款SiC FET
新型功率半導體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布將推出四種新型SiC FET――UF3SC。據(jù)介紹，該產(chǎn)品的RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動汽車（EV）逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器
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意法半導體完成對碳化硅晶圓廠商Norstel AB的并購
?從材料專業(yè)知識和工藝工程，到SiC MOSFET和二極管設(shè)計制造，意法半導體加強內(nèi)部SiC生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)
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科銳與意法半導體擴大并延伸現(xiàn)有SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議
科銳與意法半導體宣布擴大并延伸現(xiàn)有多年長期碳化硅(SiC)晶圓供應(yīng)協(xié)議至5億多美元。意法半導體是全球領(lǐng)先的半導體供應(yīng)商，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域。這一延伸協(xié)議是原先協(xié)議價值的雙倍，科銳將在未來數(shù)年向意法半導體提供先進的150mm SiC裸晶圓和外延片。這一提升的晶圓供應(yīng)，幫助意法半導體應(yīng)對在全球范圍內(nèi)快速增長的SiC功率器件需求，特別是在汽車應(yīng)用和工業(yè)應(yīng)用。
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SiC MOSFET在汽車和電源應(yīng)用中優(yōu)勢顯著
摘要：傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導體的電、熱和機械特性更好，能夠提高MOSFET的性能，是一項關(guān)注度很高的替代技術(shù)。
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1200V 450A全SiC半橋功率模塊問世
根據(jù)Wolfspeed的說法，該半橋模塊利用了公司優(yōu)化的第三代MOSFET技術(shù)。XM3的SiC封裝最高支持175°C。 Wolfspeed表示，XM3功率模塊平臺可最大限度地發(fā)揮SiC的優(yōu)勢，同時保持模塊和系統(tǒng)設(shè)計的穩(wěn)健，簡單和經(jīng)濟高效等特性。
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關(guān)于SiC在電動車市場的應(yīng)用
電源設(shè)計的工程師已經(jīng)意識到SiC晶體管確實是新開關(guān)模式設(shè)計的最佳選擇，雖然它們可能比替代品貴一點，但它們提供了更多優(yōu)勢。以下是SiC與MOSFET和IGBT相比的優(yōu)勢：
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科銳將在美國建造全球最大SiC制造廠
這一新制造工廠是先前所宣布計劃的一部分，旨在顯著提升用于Wolfspeed碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)的產(chǎn)能，將建設(shè)成為一座規(guī)模更大、高度自動化和更高生產(chǎn)能力的工廠。
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