本文中，小編將對MOSFET予以介紹，如果你想對MOSFET的詳細情況有所認識，或者想要增進對MOSFET的了解程度，不妨請看以下內容哦。

一、分階段解讀MOSFET工作原理

MOSFET的工作原理可以簡單地分為三個階段：

恢復階段(Charge Accumulation)：當MOSFET的柵極電壓為零時，正電荷和負電荷會均勻地分布在柵極和氧化物界面上。此時，源極和漏極之間形成一個導電通道，電流可以自由地流動。

調制階段(Depletion)：當MOSFET的柵極電壓開始增加時，會在氧化物表面形成一個電場。這個電場會使得半導體中的少數載流子向柵極靠近，從而形成一個空穴和電子的夾雜區(qū)，即MOSFET中的亞閾值區(qū)域。在這個區(qū)域中，源漏結上的電荷被控制，電流得到調制。

放大階段(Enhancement)：當MOSFET的柵極電壓進一步增加時，會吸引更多的少數載流子，使得亞閾值區(qū)域擴大，同時源漏結的電荷也被控制得更加嚴格。在這個階段中，MOSFET的導通狀態(tài)被進一步增強，電流得到更加精確的控制。

MOSFET的特點是具有高輸入電阻、低輸出電阻和高電壓控制能力。它能夠承受高電壓和高功率，因此在高頻和高速開關應用中廣泛使用。同時，MOSFET的尺寸越小，速度越快，功耗越低，因此在集成電路和微處理器中也得到了廣泛應用。

二、功率MOSFET等效電路分享

功率MOSFET的正向導通等效電路

（1）：等效電路

（2）：說明：

功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。

功率MOSFET的反向導通等效電路（1） （1）：等效電路（門極不加控制）

（2）：說明：

即內部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數情況下，因其特性很差，要避免使用。

功率MOSFET的反向導通等效電路（2）

（1）：等效電路（門極加控制）

（2）：說明：

功率 MOSFET 在門級控制下的反向導通，也可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。此工作狀態(tài)稱為MOSFET 的同步整流工作，是低壓大電流輸出開關電源中非常重要的一種工作狀態(tài)。

功率MOSFET的正向截止等效電路

（1）：等效電路

（2）：說明：

功率 MOSFET 正向截止時可用一電容等效，其容量與所加的正向電壓、環(huán)境溫度等有關，大小可從制造商的手冊中獲得。

以上便是小編此次帶來的有關MOSFET的全部內容，十分感謝大家的耐心閱讀，想要了解更多相關內容，或者更多精彩內容，請一定關注我們網站哦。