【2024年3月14日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓撲結構進行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應用（包括電動汽車充電、工業(yè)驅動器、太陽能和儲能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務器/數(shù)據(jù)中心、電信等）和汽車領域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉換器等）。

CoolSiC MOSFET 750V QDPAK

CoolSiC MOSFET 750 V G1技術的特點是出色的RDS(on) x Qfr和卓越的RDS(on) x Qoss優(yōu)值（FOM），在硬開關和軟開關拓撲結構中均具有超高的效率。其獨特的高閾值電壓（VGS(th)，典型值為4.3 V）與低QGD/QGS比率組合具有對寄生導通的高度穩(wěn)健性并且實現(xiàn)了單極柵極驅動，不僅提高了功率密度，還降低了系統(tǒng)成本。所有半導體器件均采用英飛凌的自主芯片連接技術，在同等裸片尺寸的情況下賦予芯片出色的熱阻。高度可靠的柵極氧化層設計加上英飛凌的認證標準保證了長期穩(wěn)定的性能。

全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列在25°C時的RDS(on)為8至140 mΩ，可滿足廣泛的需求。其在設計上具有較低的傳導和開關損耗，大幅提升了整體系統(tǒng)效率。創(chuàng)新的封裝更大程度地減少了熱阻、幫助改善散熱并優(yōu)化電路內(nèi)功率環(huán)路電感，在實現(xiàn)高功率密度的同時降低了系統(tǒng)成本。值得一提的是，該產(chǎn)品系列采用了先進的QDPAK頂部冷卻封裝。