意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。這些驅(qū)動(dòng)器具有集成的高壓半橋、單個(gè)和多個(gè)低壓柵極驅(qū)動(dòng)器，非常適合各種應(yīng)用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅(qū)動(dòng)器作為優(yōu)選解決方案，在輸入部分和被驅(qū)動(dòng)的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無縫集成和優(yōu)質(zhì)性能。

選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳功率轉(zhuǎn)換效率非常重要。隨著 SiC 技術(shù)得到廣泛采用，對(duì)可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時(shí)候都更高，而ST的 STGAP 系列電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器在此成為必不可缺的一環(huán)。STGAP2SICS系列針對(duì)SiC MOSFET 的安全控制進(jìn)行了專門優(yōu)化，并可在高達(dá)1200V的高壓下工作，使其成為節(jié)能型電源系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制裝置的絕佳選擇。從工業(yè)電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)到太陽能、感應(yīng)加熱和汽車 OBC DC-DC，STGAP2SICS系列可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、節(jié)省空間并增強(qiáng)穩(wěn)健性和可靠性。

STGAP2SICSA 是一款符合汽車 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，優(yōu)化控制SiC MOSFET，其采用了節(jié)省空間的窄體 SO-8 封裝 (相關(guān)型號(hào)：STGAP2SICSAN) 和寬體 SO-8W 封裝 (相關(guān)型號(hào)：STGAP2SICSA)，通過精確PWM 控制提供強(qiáng)大的性能。

STGAP2SICSA 在柵極驅(qū)動(dòng)通道和低壓控制之間具有電氣隔離，可在高達(dá)1700V (SO-8) 和 1200V (SO-8W) 的電壓工作。其小于 45ns 的輸入到輸出傳播時(shí)間可確保高PWM 精度，并憑借±100V/ns的共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 實(shí)現(xiàn)可靠的開關(guān)。內(nèi)置保護(hù)包括欠壓鎖定 (UVLO)，防止SiC電源開關(guān)在低效率或不安全條件下運(yùn)行，以及熱關(guān)斷，如果檢測(cè)到結(jié)溫過高，則將兩個(gè)驅(qū)動(dòng)器輸出調(diào)低。

STGAP2SICSA 具有帶米勒鉗位功能的單輸出配置。單輸出增強(qiáng)了高頻硬開關(guān)應(yīng)用的穩(wěn)定性，利用米勒鉗位來防止電源開關(guān)振蕩。

STGAP2SICSA 邏輯輸入低至3.3V并且與 TTL 和 CMOS 邏輯兼容，簡(jiǎn)化了與主機(jī)微控制器或DSP的連接。該驅(qū)動(dòng)器可在高達(dá)26V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下的推拉電流高達(dá)4A。具有獨(dú)立輸入引腳的關(guān)斷模式有助于最大限度地降低系統(tǒng)功耗。

近日，ST宣布與致瞻科技（下文為ZINSIGHT）建立合作伙伴關(guān)系。ZINSIGHT作為全球唯一一家在新能源汽車400V、800V、1000V平臺(tái)上成熟量產(chǎn)基于碳化硅方案的電動(dòng)壓縮機(jī)控制器企業(yè)， ST第三代SiC MOSFET和隔離柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)在ZINSIGHT一流的電動(dòng)壓縮機(jī)解決方案得以成功應(yīng)用。