MOSFET
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安森美推出全球首款TOLL封裝650 V碳化硅MOSFET
新器件縮小封裝尺寸60%，增強性能并減少損耗
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如何為 SiC MOSFET 選擇合適的柵極驅動器
碳化硅 (SiC) MOSFET 在功率半導體行業(yè)取得了重大進展，這要歸功于與硅基開關相比的一系列優(yōu)勢。這些包括更快的開關、更高的效率、更高的工作電壓和更高的溫度，從而產生更小、更輕的設計。 這些屬性導致了一系列汽車和工業(yè)應用。但是像 SiC 這樣的寬帶隙器件也帶來了設計挑戰(zhàn)，包括電磁干擾 (EMI)、過熱和過壓條件，這些可以通過選擇正確的柵極驅動器來解決。
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TI的FemtoFET功率 MOSFET 減少PCB體積
《星際迷航》如何預測未來的技術進步繼續(xù)讓我感到驚訝。《星際迷航：原始系列》中的手持通訊器在 1960 年代作為道具出現(xiàn)在電視節(jié)目中時似乎是一個奇跡。然而，它又大又笨重，而且在幾集中，通訊器丟失或停止工作，這使得傳送回船上是不可能的。
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如何使用柵極驅動器設備來控制繼電器
雖然 MOSFET/IGBT 柵極驅動器設計用于以短時間高峰值電流驅動高頻容性負載，但我們知道它們還可以驅動感性負載，例如功率繼電器線圈嗎？這就是 MOSFET/IGBT 柵極驅動器的秘密生命。 這不是新概念。當它們驅動感性負載時，它們通常以低得多的頻率切換，驅動電流受線圈電阻的限制。柵極驅動 IC 已用于驅動電感負載，例如柵極驅動變壓器，但頻率范圍為數(shù)十至數(shù)百千赫。
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同時實現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復時間和超低導通電阻的600V耐壓超級結 MOSFET “R60xxVNx系列”
非常有助于降低工業(yè)設備和白色家電的功耗
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最全！盤點20V到1700V全覆蓋的國產MOSFET功率器件，工溫最高175℃
MOSFET作為不可替代的基礎性產品，被廣泛應用在各個領域。在全球節(jié)能減排大環(huán)境下， MOSFET相比于IGBT和三極管器件功耗低、工作頻率高，無電流拖尾等現(xiàn)象產生。世強硬創(chuàng)平臺匯聚國產知名MOSFET功率器件制造商， 可提供20V-1700V，包含低壓，中壓，高壓MOSFET，工作溫度最高可達175℃，推動研發(fā)項目快速國產化選型。
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ST幾款高壓半橋驅動器介紹
ST的高壓驅動器旨在優(yōu)化矢量電機驅動系統(tǒng)，在高開關頻率和智能關機時具有優(yōu)異的性能，以保護最終應用。 STDRIVE MOSFET和IGBT柵極驅動器集成了一個比較器保護，一個運放電流傳感和一個集成的引導二極管，從而減少了系統(tǒng)級別所需的外部組件的數(shù)量。
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級聯(lián) MOSFET 中高壓轉換器的設計注意事項
金屬氧化物半導體場效應管（英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），簡稱金氧半場效晶體管是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。金屬氧化物半導體場效應管依照其“溝道”的極性不同，可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型金氧半場效晶體管（NMOSFET）與P型金氧半場效晶體管（PMOSFET）。
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英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進一步降低應用損耗并提高可靠性
【2022年3月31日，德國慕尼黑訊】在數(shù)字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下，電力消耗日益增加。與此同時，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應當下全球發(fā)展大勢并滿足相關市場需求，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產品。該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術，廣泛適用于大功率應用，包括服務器、電信設備、工業(yè)SMPS、電動汽車快速充電、電機驅動、太陽能系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)和電池化成等。
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Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍
新模型還可在原型設計前對EMC性能進行調查
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雙向DC/DC性能分析及研究
摘要:通過對雙向DC/DC變換器的系統(tǒng)結構及功率損耗的分析研究,以尋求合理的系統(tǒng)結構和性能參數(shù),達到提高雙向DC/DC變換性能的目的。通過對系統(tǒng)電路結構及工作原理的分析、核心器件參數(shù)的計算和選擇、功率損耗的分析,首先進行了理論仿真,再經過實驗測試,研究了在雙向DC/DC變換中驅動脈沖占空比及頻率、輸出電流等對雙向DC/DC性能及參數(shù)所產生的影響,從而確定了其最佳工作條件及參數(shù)。
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英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，樹立技術新標準
【2022年3月14日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列，旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業(yè)標準。這些新器件采用薄晶圓技術和創(chuàng)新的封裝，尺寸極小，卻具有顯著的性能優(yōu)勢。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列已針對服務器、通訊、便攜式充電器和無線充電等SMPS應用中的同步整流進行了優(yōu)化。這些功率MOSFET還可在無人機中，應用于小型無刷電機的ESC(電子速度控制)模塊。眾所周知，無人機通常需要尺寸小、重量輕的元器件。
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國內率先實現(xiàn)12寸晶圓中低壓MOSFET，月產能可達100KK~150KK
新能源汽車和5G需要搭載大量電源管理IC，其中新能源汽車需要負荷瞬間大電流，因此需要更多的中高壓MOSFET。在疫情影響導致產能降低的情況下，IDM大廠為搶占新興市場，將部分中低壓MOSFET產能轉移至中高壓MOSFET，使中低壓MOSFET出現(xiàn)供給短缺。中低壓MOSFET供應商的交期平均為十幾周，有的甚至超過30周。銳駿憑借自建封裝廠和合作國內封裝大廠，月產能100KK~150KK，中低壓MOSFET交期只需要2~4周。
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英飛凌推出新一代MOTIX?半橋驅動IC
繼發(fā)布BTN89xx獲得成功之后，英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）再次推出了全新的MOTIX? BTN99xx（NovalithIC?+）系列智能半橋驅動集成芯片。
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從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結構及性能優(yōu)劣勢對比
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅這樣的寬帶隙（WBG）器件也給應用研發(fā)帶來了設計挑戰(zhàn)，因而業(yè)界對于碳化硅 MOSFET平面柵和溝槽柵的選擇和權衡以及其浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮。
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英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET
高功率密度、出色的性能和易用性是當前電源系統(tǒng)設計的關鍵要求。
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如何最大限度地減少電池供電電機驅動器中的 MOSFET 傳導損耗
許多應用使用低壓電池（2-10 節(jié)鋰離子）供電的電機驅動器，如電動工具、園林工具和真空吸塵器。這些工具使用有刷或無刷直流電機(BLDC)。BLDC 電機效率更高，維護更少，噪音更低，使用壽命更長。
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使用 30V 柵極驅動器管理電源噪聲
世界是一個嘈雜的地方——電源也不例外。為了追求更高的效率，電源轉換器以越來越快的速度切換會產生意想不到的問題，包括增加系統(tǒng)對瞬態(tài)和噪聲的敏感性。在選擇如何設計電源以及使用哪些組件來設計電源時，考慮到這種敏感性很重要。
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沒有輸入電壓檢測是否可以實現(xiàn)功率因數(shù)校正 (PFC) ？
功率因數(shù)校正 (PFC) 強制輸入電流跟隨輸入電壓 (V IN )， 因此任何電氣負載看起來都像一個電阻器。此操作需要感測輸入電壓并基于該感測調制電流參考。電流環(huán)路將強制輸入電流跟隨參考。
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固態(tài)繼電器設計的現(xiàn)代方法
固態(tài)繼電器 (SSR) 是一種基于半導體的設備，用于對負載進行開/關控制。SSR中通常使用的半導體包括兩種類型的功率晶體管和兩種類型的晶閘管。功率晶體管包括雙極結型晶體管（BJT）和金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。晶閘管包括可控硅整流器 (SCR) 和三極交流開關 (TRIAC)。
