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[導讀]2023年12月22日,中國北京-服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM),與設(shè)計、研發(fā)、制造和銷售豪華智能電動車的中國新能源汽車龍頭廠商理想汽車(紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項碳化硅(SiC)長期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET,支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署。

2023年12月22日,中國北京-服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM),與設(shè)計、研發(fā)、制造和銷售豪華智能電動車的中國新能源汽車龍頭廠商理想汽車(紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項碳化硅(SiC)長期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET,支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署。

隨著汽車行業(yè)電動化和綠色低碳轉(zhuǎn)型的持續(xù)深入,高壓純電動車因其能效更高、續(xù)航里程更遠,已成為汽車制造商的熱門選擇。除知名的增程式電動汽車(EREV)以外,理想汽車也在進軍純電動車市場,其首款家庭科技純電旗艦MPV已于2023年第四季度初次亮相。未來理想汽車計劃推出更多高壓純電動車型。為確保新車型具有卓越的性能,需要在電驅(qū)逆變器中大量采用碳化硅MOSFET。

意法半導體的碳化硅具有更高的開關(guān)頻率、擊穿電壓和熱阻,可以顯著提高功率晶體管的性能和能效,這些特性在純電車的高電壓環(huán)境中非常重要。理想汽車即將推出的800V高壓純電平臺將在電驅(qū)逆變器中采用意法半導體的第三代1200V SiC MOSFET先進技術(shù),具有率先行業(yè)的工藝穩(wěn)定性、性能、能效和可靠性。

理想汽車供應(yīng)鏈副總裁孟慶鵬表示:“理想汽車致力于為家庭用戶提供超預(yù)期的豪華電動車。本次與ST的SiC供貨協(xié)議簽署印證了理想汽車開發(fā)純電動車產(chǎn)品的堅定決策。我們看好與全球碳化硅技術(shù)龍頭ST的未來合作,這必將是一段創(chuàng)新和成功的合作關(guān)系?!?

意法半導體在全球SiC MOSFET市場的份額超過50%,以其在電動汽車中的出色性能,贏得了頭部汽車OEM的高度好評。在新能源汽車領(lǐng)域,意法半導體的碳化硅已被廣泛用于車載充電和功率模塊中。

意法半導體執(zhí)行副總裁、中國區(qū)總裁曹志平表示:“意法半導體是全球功率半導體和寬禁帶技術(shù)的龍頭企業(yè),也是多家知名汽車制造商和一級供應(yīng)商的長期供貨商。我們與理想汽車簽署的碳化硅供應(yīng)協(xié)議標志著雙方在其他汽車應(yīng)用的長期合作基礎(chǔ)上,又邁出了重要一步。ST承諾支持理想汽車成為中國高端新能源汽車龍頭品牌,通過我們SiC創(chuàng)新技術(shù)為用戶提供卓越的汽車性能和續(xù)航里程。”

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