今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?a href="/tags/MOSFET" target="_blank">MOSFET的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對MOSFET具備清晰的認識，主要內(nèi)容如下。

一、哪些工藝參數(shù)會影響MOSFET閾值電壓

（1）溝道摻雜濃度

溝道區(qū)的摻雜濃度直接影響閾值電壓。在N型MOSFET中，溝道區(qū)為P型摻雜，若摻雜濃度增加，意味著需要更高的柵極電壓來耗盡溝道中的空穴并吸引電子形成導電溝道，因此閾值電壓會上升。反之，對于P型MOSFET，溝道區(qū)為N型摻雜，摻雜濃度增加會導致閾值電壓下降。

（2）柵氧化層厚度

柵氧化層（即絕緣層）的厚度是影響閾值電壓的另一重要因素。較厚的柵氧化層需要更高的柵極電壓才能在溝道中產(chǎn)生足夠的電場以吸引或排斥載流子，因此閾值電壓會增大。隨著半導體工藝技術(shù)的進步，柵氧化層厚度不斷減小，這有助于降低閾值電壓并提高器件性能。

（3）柵極材料與工作函數(shù)

柵極材料的功函數(shù)（即電子從金屬轉(zhuǎn)移到半導體所需的最小能量）也會影響閾值電壓。功函數(shù)差異較大的柵極和溝道材料組合需要更高的柵極電壓來克服能壘，形成導電溝道，因此會導致閾值電壓的變化。

（4）制造工藝中的應(yīng)力

制造過程中的機械或熱應(yīng)力可能會影響晶體管的晶格結(jié)構(gòu)和材料特性，進而改變閾值電壓。例如，溝道區(qū)的應(yīng)變可能會改變載流子的有效質(zhì)量和遷移率，從而影響閾值電壓。

二、MOSFET雪崩失效解讀

在雪崩擊穿期間，不僅會發(fā)生由雪崩電流導致寄生雙極晶體管誤導通而造成的短路和損壞，還會發(fā)生由傳導損耗帶來的熱量造成的損壞。 如前所述，當MOSFET處于擊穿狀態(tài)時會流過雪崩電流。 在這種狀態(tài)下，BVDSS被施加到MOSFET并且流過雪崩電流，它們的乘積成為功率損耗。 這種功率損耗稱為“雪崩能量EAS”。 雪崩測試電路及其測試結(jié)果的波形如下圖所示。 此外，雪崩能量可以通過公式（1）來表示。

雪崩測試的電路簡圖

雪崩測試中MOSFET的電壓和電流波形

雪崩能量公式

一般情況下，有抗雪崩保證的MOSFET，在其規(guī)格書中會規(guī)定IAS和EAS的絕對最大額定值，因此可以通過規(guī)格書來了解詳細的值。 在有雪崩電流流動的工作環(huán)境中，需要把握IAS和EAS的實際值，并在絕對最大額定值范圍內(nèi)使用。

引發(fā)雪崩擊穿的例子包括反激式轉(zhuǎn)換器中的MOSFET關(guān)斷時的反激電壓和寄生電感引起的浪涌電壓等。 針對反激電壓引起的雪崩擊穿，對策包括在設(shè)計電路時采用降低反激電壓的設(shè)計或使用具有更高耐壓性能的MOSFET。 而針對寄生電感引起的雪崩擊穿，改用引腳更短的封裝的MOSFET或改善電路板布局以降低寄生電感等都是比較有效的措施。

最后，小編誠心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對小編來說都是莫大的鼓勵和鼓舞。希望大家對MOSFET已經(jīng)具備了初步的認識，最后的最后，祝大家有個精彩的一天。