一、什么是死區(qū)?

電路中出現(xiàn)的死區(qū)是指輸入電壓在一定范圍內(nèi)時輸出電壓不變的現(xiàn)象。例如，在脈沖寬度調(diào)制(PWM)電路中，當輸入信號的幅值超過某一閾值時，開關(guān)管就會打開，輸出信號的幅值就會隨之增加。但是，當輸入信號幅值降至某一范圍內(nèi)時，輸出信號的幅值保持不變，從而產(chǎn)生了死區(qū)。

PWM(Pulse Width Modulation，脈寬調(diào)制)死區(qū)是一個在PWM控制系統(tǒng)中至關(guān)重要的概念，特別是在涉及電力電子設備和電機控制的應用中。以下是對PWM死區(qū)的詳細解釋，包括其定義、作用、原理、實現(xiàn)方法以及在實際應用中的考慮因素。

PWM死區(qū)的定義

PWM死區(qū)，也稱為“死區(qū)時間”或“死區(qū)間隔”，是指在PWM信號的切換過程中，由于電子元件(如晶體管、場效應管等開關(guān)元件)的響應時間和延遲，導致上一通道關(guān)閉與下一通道開啟之間存在的時間間隔。在這段時間內(nèi)，PWM信號輸出將暫時中斷，兩個通道同時處于關(guān)閉狀態(tài)，從而避免在同一時刻兩個相鄰的PWM信號(通常是互補的)同時處于高電平或低電平狀態(tài)。

PWM(脈沖寬度調(diào)制)死區(qū)的意義在于防止在PWM信號的上升沿和下降沿之間發(fā)生短路。在很多電子系統(tǒng)中，尤其是使用MOSFET作為開關(guān)元件的系統(tǒng)里，死區(qū)時間用來確保在一個MOSFET關(guān)閉的同時，另一個MOSFET不會立即導通，從而避免兩個MOSFET同時導通造成的直通現(xiàn)象。

直通會導致電源直接從輸入端流向輸出端，繞過負載，這不僅會浪費能量，還可能損壞MOSFET或其他電路組件，甚至可能引起過熱問題。此外，直通還會影響系統(tǒng)的性能，因為它會改變電路的預期工作狀態(tài)。

死區(qū)時間是在PWM信號的高低電平轉(zhuǎn)換期間故意設置的一段無信號的時間。在這段時間內(nèi)，控制電路不會向MOSFET發(fā)送任何開關(guān)信號，確保前一個MOSFET完全關(guān)閉后，下一個MOSFET才開始導通。這樣可以有效地避免直通問題，保證電路的安全和穩(wěn)定運行。

在設計PWM控制電路時，合理設置死區(qū)時間是非常重要的，它需要根據(jù)電路的具體要求和MOSFET的特性來確定。死區(qū)時間太長會降低系統(tǒng)的效率，而太短則可能無法有效防止直通。通常，死區(qū)時間的設置需要通過實驗或仿真來優(yōu)化，以達到最佳的工作效果。

二、PWM死區(qū)的作用

PWM死區(qū)在電力電子設備和電機控制系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：

保護電路元件 ：

在PWM控制中，如果沒有死區(qū)時間，當兩個互補的PWM信號在切換時，可能會因為開關(guān)元件的響應延遲而導致短暫的同時導通，從而產(chǎn)生極大的電流沖擊。這種電流沖擊不僅會損壞開關(guān)元件，還可能對整個電路系統(tǒng)造成嚴重的損害。

死區(qū)時間的引入可以在一定程度上避免這種情況的發(fā)生，從而保護電路元件免受損壞。

防止短路故障 ：

在一些特殊情況下，如電機控制中的H橋電路，如果兩個相鄰的開關(guān)元件同時導通，將會導致短路故障。這種故障不僅會損壞電路元件，還可能引發(fā)更嚴重的安全問題。

死區(qū)時間的設置可以確保在任何時刻都只有一個開關(guān)元件處于導通狀態(tài)，從而有效防止短路故障的發(fā)生。

提高系統(tǒng)穩(wěn)定性 ：

死區(qū)時間的引入還可以減少由于開關(guān)元件切換過快而產(chǎn)生的電流和電壓突變，從而降低系統(tǒng)的噪聲和紋波。

這有助于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性，特別是在對精度要求較高的應用中。

三、PWM死區(qū)的原理

PWM死區(qū)的原理是基于開關(guān)元件的響應時間和延遲特性。當PWM信號從一個狀態(tài)切換到另一個狀態(tài)時，開關(guān)元件需要一定的時間來響應并切換其狀態(tài)。這個時間就是開關(guān)元件的響應時間或延遲時間。

在PWM控制中，為了確保兩個互補的PWM信號不會同時處于高電平或低電平狀態(tài)，需要在它們的切換過程中引入一個死區(qū)時間。這個時間間隔足夠長，以確保上一個開關(guān)元件完全關(guān)閉后再開啟下一個開關(guān)元件。

死區(qū)的成因：

死區(qū)的產(chǎn)生與電子元器件的特性有關(guān)。一般情況下，開關(guān)型電路由一個二極管和一個MOSFET管構(gòu)成。MOSFET管的輸入端有一個柵，柵與閾值電壓相等時，MOSFET管會打開。但是，柵鈍化效應會造成柵的開關(guān)速度變慢，從而導致輸出電壓在某一范圍內(nèi)保持不變。

死區(qū)的影響：

死區(qū)的存在可能會導致電路不穩(wěn)定或性能降低，例如在PWM電路中，死區(qū)會導致輸出信號波形失真，頻率變化，從而影響電路的精度和可靠性。此外，在電機控制等領(lǐng)域，死區(qū)還會導致超調(diào)現(xiàn)象、失速現(xiàn)象等。

解決死區(qū)的辦法：

1. 添加補償電路：通過在輸入端或輸出端添加補償電路，補償電路可以調(diào)整電路的輸出，以消除死區(qū)現(xiàn)象。

2. 選擇合適的器件：選擇具有高速開關(guān)性能的器件，能夠有效減小死區(qū)現(xiàn)象的發(fā)生。

3. 調(diào)整工作狀態(tài)：通過調(diào)整開關(guān)管的閾值電壓和工作狀態(tài)，可以減小或消除死區(qū)現(xiàn)象的發(fā)生。

五、結(jié)論：

在電路設計和應用中，死區(qū)是常見的現(xiàn)象，會對電路性能產(chǎn)生不利影響。因此，需要了解死區(qū)的成因和影響，并采取相應的解決辦法，以保證電路的可靠性和穩(wěn)定性。