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ROHM開發(fā)出兼具出色的降噪和低損耗特性的600V耐壓IGBT IPM“BM6437x系列”
～有助于進(jìn)一步減少白色家電和小型工業(yè)設(shè)備的功耗和設(shè)計(jì)工時(shí)～
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IGBT原來是這么玩的！
傳統(tǒng)的功率器件根據(jù)主要導(dǎo)電載流子一般分為多子和少子器件，少子器件主要包括二極管，BJT，晶閘管，GTO等，這些器件導(dǎo)通的時(shí)候電流至少經(jīng)過一個(gè)PN節(jié)，并且電子和空穴同時(shí)導(dǎo)電，其都是進(jìn)入對(duì)應(yīng)的PN區(qū)的少數(shù)載流子，最終形成電流。
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通過合適的柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)最大化SiC的性能
電動(dòng)汽車革命即將來臨。汽車公司拼命地尋求技術(shù)優(yōu)勢(shì)，驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車的電力電子設(shè)備正在迅速發(fā)展。
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MOS管和IGBT的區(qū)別
為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
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英飛凌推出全新 650 V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管，進(jìn)一步提高效率
英飛凌科技股份公司 推出 650 V 關(guān)斷電壓的 CoolSiC? Hybrid IGBT 單管。
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詳解IGBT開關(guān)過程
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。
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關(guān)于IGBT的工作原理以及它的優(yōu)缺點(diǎn)分析，你了解嗎？
什么是絕緣柵雙極型晶體管?在生活中，你可能接觸過各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你可能并不知道它的一些組成部分，比如它可能含有的絕緣柵雙極型晶體管，那么接下來讓小編帶領(lǐng)大家一起學(xué)習(xí)絕緣柵雙極型晶體管。
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IGBT 國(guó)內(nèi)與國(guó)外廠商，可替代的有哪些？
什么是IGBT 所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。
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電動(dòng)車用大功率 IGBT 模塊測(cè)試解決方案
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等，是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。
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關(guān)于電路學(xué)習(xí)中的電磁加熱器全橋與半橋控制板，你知道嗎？
什么是電磁加熱器?電磁加熱器是一種利用電磁感應(yīng)原理將電能轉(zhuǎn)換為熱能的裝置。目前電磁加熱器在工業(yè)加熱領(lǐng)域已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，眾所周知，電磁加熱器的控制板分為全橋和半橋，最近不少客戶詢問全橋和半橋具體有什么區(qū)別?
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通過MOSFET或IGBT的高頻工作的高頻開關(guān)電源
生活中有各種各樣的電源，其中就有一款叫高頻開關(guān)電源系統(tǒng)，什么是高頻開關(guān)電源系統(tǒng)?它有什么作用?高頻開關(guān)電源(也稱為開關(guān)型整流器SMR)是通過MOSFET或IGBT的高頻工作的電源，開關(guān)頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。
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關(guān)于電源設(shè)計(jì)開發(fā)中的那些挑戰(zhàn)，值得你了解
你知道電源設(shè)計(jì)中有哪些困難嗎?我們都知道，電源設(shè)計(jì)開發(fā)當(dāng)然算是個(gè)技術(shù)活兒，也是累活兒，工作繁雜挑戰(zhàn)諸多。電源設(shè)計(jì)工程師根據(jù)任務(wù)書選擇合適的器件和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)符合功能的原型版，電源設(shè)計(jì)優(yōu)化尤其重要。既要保證功能的實(shí)現(xiàn)，又要兼顧效率、成本及EMC各個(gè)方面，最終產(chǎn)品還需要進(jìn)行整體電源質(zhì)量評(píng)價(jià)及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證。
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碳化硅功率器件特性，你應(yīng)該有所了解？
今天我們來聊了聊有關(guān)碳化硅作為高壓低損耗的功率半導(dǎo)體器件材料的潛力
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你知道PWM真的存在“死區(qū)”嗎？
什么是PWM真的存在“死區(qū)”?眾所周知，PWM脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式通常用于整流和逆變的環(huán)境中，同時(shí)也會(huì)運(yùn)用到整流橋和逆變橋。對(duì)三相電來說，就需要三個(gè)橋臂。以兩電平為例，每個(gè)橋臂上有兩個(gè)電力電子器件，比如IGBT。這兩個(gè)IGBT不能同時(shí)導(dǎo)通，否則就會(huì)出現(xiàn)短路的情況。
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國(guó)產(chǎn)IGBT的機(jī)遇與風(fēng)險(xiǎn)
隨著全球制造業(yè)向中國(guó)的轉(zhuǎn)移，我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的50%以上，是全球最大的IGBT市場(chǎng)。但I(xiàn)GBT產(chǎn)品嚴(yán)重依賴進(jìn)口，在中高端領(lǐng)域更是90%以上的IGBT器件依賴進(jìn)口，IGBT國(guó)產(chǎn)化需求已是刻不容緩。
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賽晶科技發(fā)布首款自研IGBT芯片
IGBT應(yīng)用非常廣泛，滲透到工作生活的方方面面，小到家電、大到飛機(jī)、艦船、交通、電網(wǎng)、風(fēng)電光伏等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，被形象地稱為電力電子行業(yè)里的“CPU“。IGBT，學(xué)名稱為“絕緣柵雙極型晶體管” (Insulated Gate Bipolar Transistor)，是一種驅(qū)動(dòng)功率小、飽和壓降低的功率半導(dǎo)體，既然是半導(dǎo)體，與我們熟知的芯片一樣，目前，我國(guó)在該領(lǐng)域仍存在“卡脖子”的現(xiàn)象。
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電源設(shè)計(jì)不同過程中的困難有哪些？
我們都知道，電源設(shè)計(jì)開發(fā)當(dāng)然算是個(gè)技術(shù)活兒，也是累活兒，工作繁雜挑戰(zhàn)諸多。電源設(shè)計(jì)工程師根據(jù)任務(wù)書選擇合適的器件和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)符合功能的原型版，電源設(shè)計(jì)優(yōu)化尤其重要。
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詳解MOS管、IGBT管，不看就虧大了！
在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩
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IGBT 系統(tǒng)設(shè)計(jì)詳解
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器
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IR Gen8 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)為工業(yè)應(yīng)用提升效率及耐用性
國(guó)際整流器公司 （InternaTIonal RecTIfier，簡(jiǎn)稱IR） 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)利用I
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