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我們的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電源是否經(jīng)過優(yōu)化？- 第2部分
在本系列的第 1 部分中，我們討論了如何正確選擇 IGBT 的控制電壓。這一次，我們將了解有關(guān)隔離要求以及如何計(jì)算正確的IGBT 驅(qū)動(dòng)功率的更多信息。 對(duì)于任何工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)，必須確保輸入電路（低壓）和輸出電路（高壓）的電位分離。低壓側(cè)與控制電子設(shè)備接口，而高壓側(cè)連接到 IGBT。隔離是必要的，因?yàn)樯喜?IGBT 的發(fā)射極電位在直流母線的 DC+ 和 DC- 電位之間切換，其范圍可以在數(shù)百或數(shù)千伏之間。根據(jù)應(yīng)用，必須遵守相應(yīng)的電氣間隙和爬電距離標(biāo)準(zhǔn)以及符合測試電壓。觀察到的一些典型標(biāo)準(zhǔn)是：IEC60664-1、IEC60664-3、IEC61800-5-1 和 EN50124-1。
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如何檢測智能功率模塊IPM的故障?智能功率模塊主要參數(shù)解讀
在這篇文章中，小編將對(duì)智能功率模塊IPM的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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意法半導(dǎo)體雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化并簡化SiC和IGBT開關(guān)電路
2022年2月15日，中國---意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計(jì)。
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如何在基于三相 IGBT 的逆變器設(shè)計(jì)中降低系統(tǒng)成本
電機(jī)和逆變器的使用在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車、太陽能、白色家電和電動(dòng)工具等應(yīng)用中持續(xù)增長。伴隨著這種增長是對(duì)提高效率、降低成本、縮小封裝和簡化整體設(shè)計(jì)的需求。雖然使用分立式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 設(shè)計(jì)定制電機(jī)和逆變器功率電子器件以滿足特定要求很有誘惑力，但從長遠(yuǎn)來看，這樣做的成本很高，而且會(huì)延誤設(shè)計(jì)進(jìn)度。
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“碳中和”背景下，新能源發(fā)電和儲(chǔ)能迎發(fā)展良機(jī)，國產(chǎn)IGBT迎來“猛獸" !
缺芯，一直是我國科技產(chǎn)業(yè)揮之不去的痛。因?yàn)樾酒淖饔脤?shí)在太大了，發(fā)展至今它已經(jīng)滲透到我們的方方面面，比如汽車、各種智能家居、電子產(chǎn)品的正常使用，都依賴于一顆小小的芯片。
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環(huán)旭電子預(yù)計(jì)2022量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊
搭配電動(dòng)車市場的快速成長，近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導(dǎo)體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞，預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。
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如何檢測智能功率模塊故障?IPM內(nèi)部功能機(jī)制闡述
智能功率模塊將是下述內(nèi)容的主要介紹對(duì)象，通過這篇文章，小編希望大家可以對(duì)智能功率模塊的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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什么是智能功率模塊?智能功率模塊有哪些特點(diǎn)?
在這篇文章中，小編將對(duì)智能功率模塊相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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基于電場耦合的無線充電裝置
摘要：隨著無線充電技術(shù)的發(fā)展，電磁感應(yīng)式無線充電器占據(jù)了市場的龍頭。對(duì)于電場耦合式無線充電，目前在國內(nèi)市場極為少見。文章針對(duì)基于電場耦合原理進(jìn)行簡單無線充電電路設(shè)計(jì)，采用TL494組成脈寬調(diào)制控制電路并用669、649對(duì)管和IRF740組成的功率放大電路模塊組成發(fā)電端，用TPS5430降壓轉(zhuǎn)換器組成電路充電后級(jí)穩(wěn)壓模塊。本系統(tǒng)電路的充電效率能夠穩(wěn)定在50%左右，且用實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明了電場耦合原理進(jìn)行無線充電的可行性。
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絕緣柵雙極晶體管的原理
N溝型的 IGBT工作是通過柵極-發(fā)射極間加閥值電壓VTH以上的(正)電壓，在柵極電極正下方的p層上形成反型層(溝道)，開始從發(fā)射極電極下的n-層注入電子。
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2020年全球分立IGBT器件供應(yīng)商營業(yè)額及排名
2020年全球分立IGBT器件主要供應(yīng)商中，排名前10的分別為：Infineon，F(xiàn)ujiElectric，Mitsubishi，ON，Toshiba，ST，Littlefuse，RenesasElectronics，MagnaChip，HangzhouSilan。2020年全球...
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這樣的IGBT就沒不喜歡的
世界讀書日WorldBookDay點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！自以為用這顆小小的心臟包裹住了波瀾壯闊，給這片山川湖海圍上了柵欄，不放出那匹脫韁野馬，這樣就不會(huì)有人從我假意的冷淡里，拎出些滾燙的秘密。by陳大力自以為用這顆小小的心臟包裹住了波瀾壯闊，給這片山川湖海圍上了柵欄...
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理解IGBT的連續(xù)集電極電流IC
IGBT數(shù)據(jù)表中連續(xù)集電極電流IC，也稱為直流集電極電流，先對(duì)比一下二家不同公司的額定電流相同的IGBT產(chǎn)品（10A/600V）的數(shù)據(jù)表，可以看到標(biāo)稱的連續(xù)集電極電流IC的差異。廠家1：廠家2：在數(shù)據(jù)表中，25℃和100℃時(shí)，二個(gè)標(biāo)稱相同額定電流的IGBT，IC并不相同。那么，I...
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2020年全球功率MOSFET和IGBT供應(yīng)商營業(yè)額及排名
2020年，功率MOSFET和IGBT產(chǎn)能非常緊缺，交貨周期依然非常長。下游需求旺盛，功率MOSFET和IGBT原廠和晶圓代工廠多次上調(diào)價(jià)格，由于受到產(chǎn)能的限制，功率MOSFET和IGBT的市場供給仍然處于非常緊張的狀態(tài)，這種狀況一直持續(xù)到2021年。OMDIA、Yole及其他的...
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2020年全球功率MOSFET/IGBT供應(yīng)商營業(yè)額及排名
2020年，功率MOSFET/IGBT產(chǎn)能非常緊缺，交貨周期非常長。下游需求旺盛，功率MOSFET/IGBT原廠和晶圓代工廠多次上調(diào)價(jià)格，由于受到產(chǎn)能的限制，功率MOSFET市場供給仍然處于緊張的狀態(tài)，一直持續(xù)到2021年。IHS、Yole及其他的一些全球著名市場研究機(jī)構(gòu)，在其年...
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IGBT與快恢復(fù)二極管匹配技術(shù)的特點(diǎn)和優(yōu)勢
?1.?引言??進(jìn)入二十一世紀(jì)以來，以大規(guī)模風(fēng)力發(fā)電、太陽能發(fā)電為代表的新能源是我國未來能源結(jié)構(gòu)調(diào)整的重點(diǎn)發(fā)展方向，而傳統(tǒng)的交流輸電和直流輸電技術(shù)已經(jīng)難以滿足以大規(guī)模風(fēng)電和太陽能發(fā)電安全可靠接入電網(wǎng)的迫切需求。而基于高壓大功率電力電子技術(shù)的靈活交流輸電和高壓直流輸電是未來智能電網(wǎng)...
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IGBT主要廠商（國產(chǎn)與國外），附其產(chǎn)業(yè)鏈報(bào)告
“是說芯語”已陪伴您983天IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片...
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igbt和電力mosfet在內(nèi)部結(jié)構(gòu)和開關(guān)特性
MOSFET和IGBT的對(duì)比
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并聯(lián)有源電力濾波器保護(hù)的關(guān)鍵技術(shù)研究
摘要:針對(duì)并聯(lián)有源電力濾波器在運(yùn)行過程中會(huì)多次出現(xiàn)IGBT爆炸的問題,經(jīng)過實(shí)驗(yàn)分析了IGBT的過電壓形成過程。鑒 于IGBT的關(guān)斷時(shí)間極短，連接導(dǎo)線上寄生的微小雜散電感在高頻開關(guān)的作用下會(huì)產(chǎn)生尖峰過電壓，并與原有電壓疊加，從而 對(duì)IGBT的安全構(gòu)成威脅 。文中為設(shè)計(jì)的100 kVA并聯(lián)有源電力濾波器所選擇的IGBT模塊設(shè)計(jì)了一種緩沖電路，從而解決了 IGBT模塊爆炸的問題，保證了并聯(lián)有源電力濾波器的安全運(yùn)行。
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漲知識(shí)！IGBT 和 SiC MOSFET PIM 在太陽能逆變器中的性能比較
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們請(qǐng)私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！國際能源署的數(shù)據(jù)顯示，到2030年，太陽能光伏?(PV)裝置的裝機(jī)容量有望達(dá)到3,300TWh，與2019年的水平相比，年增率為15%[1]，這意味著能源供應(yīng)的比例在不斷上升。光伏裝置的安裝是將微型、迷你和電力公...
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