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你知道PWM真的存在“死區(qū)”嗎？
什么是PWM真的存在“死區(qū)”?眾所周知，PWM脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式通常用于整流和逆變的環(huán)境中，同時也會運用到整流橋和逆變橋。對三相電來說，就需要三個橋臂。以兩電平為例，每個橋臂上有兩個電力電子器件，比如IGBT。這兩個IGBT不能同時導(dǎo)通，否則就會出現(xiàn)短路的情況。
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國產(chǎn)IGBT的機遇與風(fēng)險
隨著全球制造業(yè)向中國的轉(zhuǎn)移，我國功率半導(dǎo)體市場占世界市場的50%以上，是全球最大的IGBT市場。但IGBT產(chǎn)品嚴重依賴進口，在中高端領(lǐng)域更是90%以上的IGBT器件依賴進口，IGBT國產(chǎn)化需求已是刻不容緩。
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賽晶科技發(fā)布首款自研IGBT芯片
IGBT應(yīng)用非常廣泛，滲透到工作生活的方方面面，小到家電、大到飛機、艦船、交通、電網(wǎng)、風(fēng)電光伏等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，被形象地稱為電力電子行業(yè)里的“CPU“。IGBT，學(xué)名稱為“絕緣柵雙極型晶體管” (Insulated Gate Bipolar Transistor)，是一種驅(qū)動功率小、飽和壓降低的功率半導(dǎo)體，既然是半導(dǎo)體，與我們熟知的芯片一樣，目前，我國在該領(lǐng)域仍存在“卡脖子”的現(xiàn)象。
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電源設(shè)計不同過程中的困難有哪些？
我們都知道，電源設(shè)計開發(fā)當(dāng)然算是個技術(shù)活兒，也是累活兒，工作繁雜挑戰(zhàn)諸多。電源設(shè)計工程師根據(jù)任務(wù)書選擇合適的器件和拓撲結(jié)構(gòu)，設(shè)計符合功能的原型版，電源設(shè)計優(yōu)化尤其重要。
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詳解MOS管、IGBT管，不看就虧大了！
在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場效應(yīng)管主要有兩
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IGBT 系統(tǒng)設(shè)計詳解
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功 率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應(yīng)），又有雙極型器
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IR Gen8 1200V IGBT技術(shù)平臺為工業(yè)應(yīng)用提升效率及耐用性
國際整流器公司 （InternaTIonal RecTIfier，簡稱IR） 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 技術(shù)平臺。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術(shù)平臺利用I
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IGBT的開關(guān)頻率上限有多高？小白容易忽視這兩點
波老師那個年代上大學(xué)都是自己攢機裝電腦，買CPU先問主頻多少Hz？后來買手機也是，先看幾個核，再看主頻......所以估計大家都也差不多，都烙下病根兒了。? 可是IGBT是個功率器件，它的開關(guān)頻率上限并不是一個確定的值。我一般都是這么回答這個問題的： 首先，
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富士電機開發(fā)用于HEV的直接水冷式車載IGBT模塊
富士電機與日本山梨大學(xué)的研究小組開發(fā)出了小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊，并在功率半導(dǎo)體國際會議“ISPSD 2013”（2013年5月26～30日在日本石川縣金
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新能源汽車推波 英飛凌競逐新商機
2012年對于中國新能源汽車市場仍然是調(diào)整和規(guī)劃的一年。整體銷量并沒有大的突破，但是這并不意味著市場停滯和無所作為。整個產(chǎn)業(yè)鏈從上游到下游都在積極思變，以更加理性務(wù)實的態(tài)度來精
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僧多粥少引搶食 汽車功率器件市場狼煙再起
在汽車電子市場不能不談到全球頂尖汽車電子芯片廠商——英飛凌，產(chǎn)品線涵蓋傳感器，微處理器和執(zhí)行器。英飛凌功率器件全球市場份額連續(xù)11年第一。全球每部新車里超過1/2的負
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英飛凌推出高功率密度和高可靠性的汽車級品質(zhì)功率模塊
7月5日，海潤光伏發(fā)布特大合同公告，擬與香港上市公司順風(fēng)光電旗下的江西順風(fēng)光電投資有限公司（以下簡稱順風(fēng)投資）簽訂41.9億元的工程承包協(xié)議，占公司去年營業(yè)總收入的84%。
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電動車低速過載工況下IGBT動態(tài)溫升分析
摘要：電動汽車電機在低轉(zhuǎn)速大電流過載輸出時，驅(qū)動器IGBT模塊結(jié)溫會迅速攀升并很容易超出安全工作區(qū)從而導(dǎo)致失效。如果在系統(tǒng)設(shè)計階段，利用散熱回路的瞬態(tài)熱阻特性，并通過仿真計算精確控制低速下的
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國產(chǎn)IGBT前景看好，但突破之路頗曲折
隨著IGBT技術(shù)的發(fā)展，IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴展到消費電子應(yīng)用，成為未來10年發(fā)展最迅速的功率半導(dǎo)體器件；而在中國市場，軌道交通、家電節(jié)能、風(fēng)力發(fā)電、太陽能光伏和電力電子等應(yīng)用更是引爆了IGB
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汽車點火系統(tǒng)中的智能IGBT設(shè)計案例
要產(chǎn)生火花，你所需的器件包括電源、電池、變壓器（即點火線圈），以及用于控制變壓器初級電流的開關(guān)。電子學(xué)教科書告訴我們V=Ldi/dt。因此，如果線圈初級繞組中的電流發(fā)生瞬間變化（即di/dt
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SiC將會是分立器件和模塊共存的市場
SiC應(yīng)用十幾年了，現(xiàn)在這個第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展現(xiàn)狀如何了？21ic中國電子網(wǎng)記者連線了安森美半導(dǎo)體電源方案部產(chǎn)品市場經(jīng)理王利民，講述安森美半導(dǎo)體在SiC上的故事。
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深入淺出解析IGBT的工作原理及作用
本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點?？梢哉f，IGBT是一個非通即斷的開關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點
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英飛凌發(fā)布面向電動汽車和混合動力汽車高速開關(guān)應(yīng)用的最高效650V IGBT系列
2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓應(yīng)用于汽車中的高速開關(guān)實現(xiàn)最高效率的高堅固性650V
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英飛凌攜手中國電動車百人會，助力我國電動車產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展
2016年1月23日，北京訊——今日上午，為期兩天的中國電動汽車百人會 （EV 100） 年度論壇 （2016） 在北京釣魚臺國賓館拉開帷幕。自去年英飛凌正式加入中國
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關(guān)于變頻器控制電機有漏電問題的解決方案
一、漏電問題產(chǎn)生的原因 有的現(xiàn)場使用變頻器控制電機，會出現(xiàn)漏電問題，漏電電壓有幾十伏到二百伏電壓不等。針對這個問題，在這里特對此故障產(chǎn)生的原因進行理論的分析和說明如下。
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