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碳化硅功率器件特性，你應該有所了解？
今天我們來聊了聊有關碳化硅作為高壓低損耗的功率半導體器件材料的潛力
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你知道PWM真的存在“死區(qū)”嗎？
什么是PWM真的存在“死區(qū)”?眾所周知，PWM脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導通時間的改變，從而實現(xiàn)開關穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式通常用于整流和逆變的環(huán)境中，同時也會運用到整流橋和逆變橋。對三相電來說，就需要三個橋臂。以兩電平為例，每個橋臂上有兩個電力電子器件，比如IGBT。這兩個IGBT不能同時導通，否則就會出現(xiàn)短路的情況。
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國產(chǎn)IGBT的機遇與風險
隨著全球制造業(yè)向中國的轉(zhuǎn)移，我國功率半導體市場占世界市場的50%以上，是全球最大的IGBT市場。但IGBT產(chǎn)品嚴重依賴進口，在中高端領域更是90%以上的IGBT器件依賴進口，IGBT國產(chǎn)化需求已是刻不容緩。
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賽晶科技發(fā)布首款自研IGBT芯片
IGBT應用非常廣泛，滲透到工作生活的方方面面，小到家電、大到飛機、艦船、交通、電網(wǎng)、風電光伏等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，被形象地稱為電力電子行業(yè)里的“CPU“。IGBT，學名稱為“絕緣柵雙極型晶體管” (Insulated Gate Bipolar Transistor)，是一種驅(qū)動功率小、飽和壓降低的功率半導體，既然是半導體，與我們熟知的芯片一樣，目前，我國在該領域仍存在“卡脖子”的現(xiàn)象。
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電源設計不同過程中的困難有哪些？
我們都知道，電源設計開發(fā)當然算是個技術活兒，也是累活兒，工作繁雜挑戰(zhàn)諸多。電源設計工程師根據(jù)任務書選擇合適的器件和拓撲結構，設計符合功能的原型版，電源設計優(yōu)化尤其重要。
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詳解MOS管、IGBT管，不看就虧大了！
在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場效應管主要有兩
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IGBT 系統(tǒng)設計詳解
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功 率小和開關速度快的特點（控制和響應），又有雙極型器
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IR Gen8 1200V IGBT技術平臺為工業(yè)應用提升效率及耐用性
國際整流器公司 （InternaTIonal RecTIfier，簡稱IR） 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 技術平臺。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術平臺利用I
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IGBT的開關頻率上限有多高？小白容易忽視這兩點
波老師那個年代上大學都是自己攢機裝電腦，買CPU先問主頻多少Hz？后來買手機也是，先看幾個核，再看主頻......所以估計大家都也差不多，都烙下病根兒了。? 可是IGBT是個功率器件，它的開關頻率上限并不是一個確定的值。我一般都是這么回答這個問題的： 首先，
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富士電機開發(fā)用于HEV的直接水冷式車載IGBT模塊
富士電機與日本山梨大學的研究小組開發(fā)出了小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊，并在功率半導體國際會議“ISPSD 2013”（2013年5月26～30日在日本石川縣金
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新能源汽車推波 英飛凌競逐新商機
2012年對于中國新能源汽車市場仍然是調(diào)整和規(guī)劃的一年。整體銷量并沒有大的突破，但是這并不意味著市場停滯和無所作為。整個產(chǎn)業(yè)鏈從上游到下游都在積極思變，以更加理性務實的態(tài)度來精
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僧多粥少引搶食 汽車功率器件市場狼煙再起
在汽車電子市場不能不談到全球頂尖汽車電子芯片廠商——英飛凌，產(chǎn)品線涵蓋傳感器，微處理器和執(zhí)行器。英飛凌功率器件全球市場份額連續(xù)11年第一。全球每部新車里超過1/2的負
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英飛凌推出高功率密度和高可靠性的汽車級品質(zhì)功率模塊
7月5日，海潤光伏發(fā)布特大合同公告，擬與香港上市公司順風光電旗下的江西順風光電投資有限公司（以下簡稱順風投資）簽訂41.9億元的工程承包協(xié)議，占公司去年營業(yè)總收入的84%。
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電動車低速過載工況下IGBT動態(tài)溫升分析
摘要：電動汽車電機在低轉(zhuǎn)速大電流過載輸出時，驅(qū)動器IGBT模塊結溫會迅速攀升并很容易超出安全工作區(qū)從而導致失效。如果在系統(tǒng)設計階段，利用散熱回路的瞬態(tài)熱阻特性，并通過仿真計算精確控制低速下的
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國產(chǎn)IGBT前景看好，但突破之路頗曲折
隨著IGBT技術的發(fā)展，IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴展到消費電子應用，成為未來10年發(fā)展最迅速的功率半導體器件；而在中國市場，軌道交通、家電節(jié)能、風力發(fā)電、太陽能光伏和電力電子等應用更是引爆了IGB
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汽車點火系統(tǒng)中的智能IGBT設計案例
要產(chǎn)生火花，你所需的器件包括電源、電池、變壓器（即點火線圈），以及用于控制變壓器初級電流的開關。電子學教科書告訴我們V=Ldi/dt。因此，如果線圈初級繞組中的電流發(fā)生瞬間變化（即di/dt
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SiC將會是分立器件和模塊共存的市場
SiC應用十幾年了，現(xiàn)在這個第三代半導體材料發(fā)展現(xiàn)狀如何了？21ic中國電子網(wǎng)記者連線了安森美半導體電源方案部產(chǎn)品市場經(jīng)理王利民，講述安森美半導體在SiC上的故事。
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深入淺出解析IGBT的工作原理及作用
本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點?？梢哉f，IGBT是一個非通即斷的開關，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點
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英飛凌發(fā)布面向電動汽車和混合動力汽車高速開關應用的最高效650V IGBT系列
2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓應用于汽車中的高速開關實現(xiàn)最高效率的高堅固性650V
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英飛凌攜手中國電動車百人會，助力我國電動車產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展
2016年1月23日，北京訊——今日上午，為期兩天的中國電動汽車百人會 （EV 100） 年度論壇 （2016） 在北京釣魚臺國賓館拉開帷幕。自去年英飛凌正式加入中國
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