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IGBT轉(zhuǎn)移特性曲線、過電壓損壞和靜電損壞分析
在這篇文章中，小編將為大家?guī)鞩GBT的相關(guān)報(bào)道。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
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大佬帶你看IGBT：IGBT短路性能、寄生導(dǎo)通講解
本文中，小編將對IGBT予以介紹，如果你想對IGBT的詳細(xì)情況有所認(rèn)識，或者想要增進(jìn)對IGBT的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。
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IGBT模塊主要參數(shù)有哪些？IGBT對柵極驅(qū)動電路有哪些要求？
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞩GBT的有關(guān)報(bào)道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。
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最強(qiáng)梳理！IGBT原來是這么玩的
IGBT的發(fā)展對于很多行業(yè)都有益，但是在相當(dāng)長的一段時(shí)間里，IGBT的核心技術(shù)都被國外企業(yè)牢牢地把在手里?！昂诵募夹g(shù)之痛”依然橫亙在我們面前，在IGBT全球市場中，西門子旗下的子公司英飛凌占有率全面領(lǐng)先，IGBT分立器件和IGBT模塊的市占率分別為29.3%和 36.5%。
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IGBT的主要參數(shù)及其工作原理
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件，在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。
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IGBT功率半導(dǎo)體器件主要參數(shù)
如果正輸入電壓通過柵極，發(fā)射極保持驅(qū)動電路開啟。另一方面，如果 IGBT 的柵極端電壓為零或略為負(fù)，則會關(guān)閉電路應(yīng)用。
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如何并聯(lián)使用IGBT？電流計(jì)算公式+影響圖例！
一直以來，IGBT都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)鞩GBT并聯(lián)使用的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請看下文。
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基于EXB841，你知道如何設(shè)計(jì)IGBT推挽驅(qū)動電路嗎？
在下述的內(nèi)容中，小編將會對基于EXB841的IGBT推挽驅(qū)動電路予以介紹，如果IGBT推挽驅(qū)動電路是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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如何檢測比亞迪高壓電控總成IGBT模塊？
在這篇文章中，小編將詳細(xì)分析如何檢測比亞迪高壓電控總成IGBT模塊，以幫助大家增進(jìn)對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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IGBT硬并聯(lián)存在哪些技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)？你知道優(yōu)化IGBT硬并聯(lián)的技術(shù)方案嗎？
在下述的內(nèi)容中，小編將會對IGBT硬并聯(lián)技術(shù)優(yōu)化方案予以報(bào)道，如果IGBT是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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工頻變壓器中如何輸出正負(fù)電壓
隨著電子技術(shù)的提高，以及電子產(chǎn)品的發(fā)展，一些系統(tǒng)中經(jīng)常會需要負(fù)電壓為其供電。例如，在大功率變頻器，會使用負(fù)電壓為IGBT提供關(guān)斷負(fù)電壓
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HOLTEK新推出HT45F0005A/35A電磁爐MCU
Holtek持續(xù)精進(jìn)電磁爐產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)，再推出更具性價(jià)比的電磁爐Flash MCU HT45F0005A/HT45F0035A。相較于前代產(chǎn)品提供更豐富的資源，如硬件輔助UL認(rèn)證功能、硬件I2C可與面板通信及過電流保護(hù)及臺階電壓偵測功能等，同時(shí)也保留前代產(chǎn)品優(yōu)勢，如電磁爐所需的硬件保護(hù)電路(電壓/電流浪涌保護(hù)、IGBT過壓保護(hù))、PPG含硬件抖頻功能，使電磁爐工作于高功率時(shí)，可以有效減小IGBT反壓以及降低EMI電磁干擾，減少抗EMI元件成本，并通過EMI標(biāo)準(zhǔn)測試。
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安森美推出第七代IGBT智能功率模塊，助力降低供暖和制冷能耗
SPM31 智能功率模塊 (IPM) 用于三相變頻驅(qū)動應(yīng)用，能實(shí)現(xiàn)更高能效和更佳性能
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HOLTEK新推出HT45F0006/36電磁爐MCU
Holtek針對電磁爐應(yīng)用領(lǐng)域，新推出HT45F0006/HT45F0036電磁爐Flash MCU。HT45F0006/HT45F0036提供電磁爐所需的硬件保護(hù)電路，如電壓/電流浪涌保護(hù)、IGBT過壓保護(hù)、過電流保護(hù)及臺階電壓偵測等。相較于前代產(chǎn)品，HT45F0006/HT45F0036提供更豐富的資源，內(nèi)建硬件輔助UL認(rèn)證功能，并提供硬件UART及I2C可用來與面板通信，同時(shí)也保留前代產(chǎn)品優(yōu)勢，如PPG含硬件抖頻功能，使電磁爐工作于高功率時(shí)，可以有效減小IGBT反壓以及降低EMI電磁干擾，減少抗EMI元件成本，并通過EMI標(biāo)準(zhǔn)測試。
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超結(jié)MOS/IGBT在儲能變流器(PCS)上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
功率器件在儲能變流器(PCS)上的應(yīng)用，雙向DC-DC高壓側(cè)BUCK-BOOST線路，推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列。模塊BOOST升壓/雙向DC-AC轉(zhuǎn)化器，推薦瑞森半導(dǎo)體IGBT系列。
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Littelfuse推出FDA117光隔離光伏驅(qū)動器為隔離開關(guān)應(yīng)用提供浮動電源
提供高電壓與大電流，可驅(qū)動不同行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)MOSFET/IGBT
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TrendForce集邦咨詢：預(yù)估2023年中國大陸成熟制程產(chǎn)能占比約29%，2027將擴(kuò)大至33%
Oct. 18, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì)，2023~2027年全球晶圓代工成熟制程(28nm及以上)及先進(jìn)制程(16nm及以下)產(chǎn)能比重大約維持在7:3。中國大陸由于致力推動本土化生產(chǎn)等政策與補(bǔ)貼，擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度最為積極，預(yù)估中國大陸成熟制程產(chǎn)能占比將從今年的29%，成長至2027年的33%，其中以中芯國際(SMIC)、華虹集團(tuán)(HuaHong Group)、合肥晶合集成(Nexchip)擴(kuò)產(chǎn)最為積極。
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第18屆中國研究生電子設(shè)計(jì)競賽全國總決賽落幕
（全球TMT2023年8月14日訊）第18屆中國研究生電子設(shè)計(jì)競賽（研電賽）全國總決賽暨頒獎典禮落幕。今年，來自全國53所高校的90支參賽隊(duì)伍報(bào)名了由德州儀器 (TI) 提供的企業(yè)命題，通過德州儀器行業(yè)先進(jìn)的技術(shù)方案與產(chǎn)品支持，電子工程專業(yè)學(xué)生們在研電賽舞臺充分展現(xiàn)電子設(shè)計(jì)專業(yè)...
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絕緣柵雙極晶體管的基本概述，在應(yīng)用上具有什么特點(diǎn)？
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT)是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它不僅綜合了雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，BJT)和場效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor，F(xiàn)ET)的優(yōu)點(diǎn)，還具備自身獨(dú)特的特性。本文將對絕緣柵雙極晶體管進(jìn)行基本概述，并介紹其在應(yīng)用上的特點(diǎn)。
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廠家有推出哪些絕緣柵雙極晶體管的系列產(chǎn)品？
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT)作為一種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，由多家廠家推出了各種系列產(chǎn)品。本文將介紹幾個知名廠家推出的主要IGBT系列產(chǎn)品，包括其特點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域，為讀者了解IGBT的市場情況和選擇適合的產(chǎn)品提供指導(dǎo)。
