IGBT的開關過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關斷就相當于對CGE進行充電與放電。假設IGBT初始狀態(tài)為關斷狀態(tài)，即VGE為負壓VGC-，后級輸出為阻感性負載，帶有續(xù)流二極管。

由于寄生參數以及負載特性的影響，IGBT的實際開通與關斷過程比較復雜，如圖1為IGBT的開通關斷過程示意圖，圖中柵極驅動波形較為理想化，集電極電流以及集電極-發(fā)射極電壓的波形大致上是實際波形，只有細節(jié)被理想化。

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開通時間ton
開通時間還可以分為兩個部分：開通延遲時間td（on）與上升時間tr，在此時間內IGBT主要工作在主動區(qū)域。
當柵極和發(fā)射極之向被加上一個階躍式的正向驅動電壓后，便對CGE開始充電，VGE開始上升，上升過程的時間常數由CGE和柵極驅動網路的電阻所決定，一旦VGE達到開啟電壓VGE（th）后，集電極電流IC則開始上升。從VGE上升至VGE（th）開始，到IC上升至負載電流IL的10%為止，這段時間被定義為開通延遲時間td（on）。
此后，集電極電流IC持續(xù)上升，到IC上升至負載電流IL的90%的時候，這段時間稱為上升時間tr。開通延遲時間td（on）與上升時間tr之和被為開通時間ton。在整個開通時間內，可以看出電流逐漸上升而集電極—發(fā)射極之間的壓降仍然十分可觀，因此主要的開通損耗產生于這一時間內。

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IGBT導通
IGBT導通時，主要工作在飽和區(qū)域。 IGBT開通后，集電極電流Ic仍然會繼續(xù)上彝，并產生一個開通電流峰值，這個峰值是由阻感性負載及續(xù)流二極管共同產生的，峰值電流過大可能會損耗IGBT。 IC在達到峰值之后會逐步下降至負載電流IC的水平，與此同時，VCE也下降至飽和壓降水平，IGBT進入相對穩(wěn)定的導通階段。
在這個階段中的主要參數是由負載確定的通態(tài)電流IL以及一個較低的飽和壓降VCEsat，可以看出，工作在飽和區(qū)的IGBT的損耗并不是特別大。

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關斷時間toff
同開通時間ton一樣，關斷時間toff也可以分為兩段：關斷延遲時間td（off），以及下降時間tf。
當柵極和發(fā)射極之間的正向電壓被突然撤銷并同時被加上一個負壓后，VCE便開始下降。下降過程的時間常數仍然由輸入電容CGE和柵極驅動回路的電阻所決定。同時，VCE開始上升。但只要VCE小于VCC，則續(xù)流二極管處于截止狀態(tài)且不能接續(xù)電流。所以，IGBT的集電極電流IC在此期間并沒有明顯的下降。
因此，從柵極—發(fā)射極電壓VCE降落到其開通值的90%開始，直到集電極電流下降至負載電流的90%為止；這一段時間被定義為關斷延遲時間td（off）。
一旦上升的IGBT的集電極—發(fā)射極電壓超過工作電壓VCC時，續(xù)流二極管便處于正向偏置的狀態(tài)下，負載電流便可以換流至續(xù)流二極管，集電極電流也因此下降口從集電極電流IC由負載電流k的90%下降至10%之間的時間稱為下降時間tf。
從圖1中可以看出，在IC下降的同時，VCE會產生一個大大超過工作電壓Vcc的峰值，這主要是由負載電感引起的，其幅度與IGBT的關斷速度呈線性關系。峰值電籮過高可能會造成IGBT的損壞。
關斷延遲時間，與下降時間tf之和稱為關斷時間toff。

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拖尾時間、拖尾電流
相比于MOSFET，IGBT采用一種新的方式降低了通態(tài)損耗，但是這一設計同時引發(fā)了拖尾電流It，拖尾電流持續(xù)衰減至關斷狀態(tài)漏電流的時間稱為拖尾時間tt，拖尾電流嚴重的影響了關斷損耗，因為在這段時間里，VCE已經上升至工作電壓VCC以上。
拖尾電流的產生也告訴我們，即使在柵極給出了關斷信號，IGBT也不能及時的完全關斷，這是值得注意的，在設計驅動時要保證兩個橋臂的驅動波形有足夠的死區(qū)。