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HOLTEK新推出HT45R1005電磁爐OTP MCU
Holtek持續(xù)精進電磁爐產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)，再推出更具性價比的電磁爐OTP MCU?HT45R1005。HT45R1005封裝引腳與HT45F0058相互兼容，相較于前代產(chǎn)品提供更豐富的資源，如硬件輔助UL認證功能及臺階電壓偵測功能等，同時也保留前代產(chǎn)品優(yōu)勢，如電磁爐所需的硬件保護電路(電壓/電流浪涌保護、IGBT過壓保護)、PPG含硬件抖頻功能，使電磁爐工作于高功率時，可以有效減小IGBT反壓以及降低EMI電磁干擾，減少抗EMI元件成本，并通過EMI標準測試。
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IGBT模塊吸收電容參數(shù)設(shè)計，IGBT 模塊失效機理分析
IGBT模塊將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對IGBT模塊的相關(guān)情況以及信息有所認識和了解，詳細內(nèi)容如下。
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IGBT的損耗與結(jié)溫計算：深入探討與公式解析
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為電力電子領(lǐng)域的核心元件，其損耗與結(jié)溫的計算對于電路的設(shè)計與優(yōu)化至關(guān)重要。本文將從IGBT的損耗類型出發(fā)，詳細闡述其計算方法，并進一步探討結(jié)溫的計算公式與步驟，以期為工程師們提供有益的參考。
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MOSFET與IGBT的定義與特性
MOSFET，全稱Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導體場效應晶體管，是一種電壓控制型半導體器件。它由金屬、氧化物（如SiO?或SiN）及半導體三種材料制成，具有三個主要電極：源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
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IGBT和MOSFET的優(yōu)缺點有哪些
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）作為兩種重要的半導體功率器件，在電力電子領(lǐng)域有著廣泛的應用。它們各自具有獨特的優(yōu)缺點，以下是對兩者優(yōu)缺點的詳細分析：
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干貨滿滿！IGBT基礎(chǔ)知識匯總
GBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。
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你了解IGBT的結(jié)構(gòu)嗎？IGBT通態(tài)漂移區(qū)少子分布仿真分析
在下述的內(nèi)容中，小編將會對IGBT的相關(guān)消息予以報道，如果IGBT是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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IGBT可以反向?qū)▎幔縄GBT和MOSFET到底有哪些區(qū)別？
一直以來，IGBT都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞩GBT的相關(guān)介紹，詳細內(nèi)容請看下文。
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這幾款I(lǐng)GBT驅(qū)動電路了解嗎？IGBT參數(shù)設(shè)計介紹
在這篇文章中，小編將對IGBT的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制
在電力電子技術(shù)的快速發(fā)展中，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)作為關(guān)鍵的功率半導體器件，廣泛應用于電動/混合動力汽車、工業(yè)變頻器、太陽能逆變器等領(lǐng)域。這些應用領(lǐng)域?qū)υO(shè)備的可靠性和性能要求極高，因此，現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器必須具備高效的隔離功能和強大的功率處理能力。本文將深入探討現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器在提供隔離功能時的最大功率限制及其實現(xiàn)機制。
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NTC熱敏電阻如何測量IGBT結(jié)溫？NTC熱敏電阻的接線方法介紹
在下述的內(nèi)容中，小編將會對NTC熱敏電阻的相關(guān)消息予以報道，如果NTC熱敏電阻是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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IGBT等效電路見過嗎？IGBT開通過程分析
在這篇文章中，小編將對IGBT及其開通過程的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對IGBT的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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IGBT工作原理詳解！分析IGBT模塊過電流損壞是如何造成的！
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞩GBT的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認識，主要內(nèi)容如下。
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IGBT轉(zhuǎn)移特性曲線、過電壓損壞和靜電損壞分析
在這篇文章中，小編將為大家?guī)鞩GBT的相關(guān)報道。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
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大佬帶你看IGBT：IGBT短路性能、寄生導通講解
本文中，小編將對IGBT予以介紹，如果你想對IGBT的詳細情況有所認識，或者想要增進對IGBT的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。
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IGBT模塊主要參數(shù)有哪些？IGBT對柵極驅(qū)動電路有哪些要求？
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞩GBT的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認識，主要內(nèi)容如下。
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最強梳理！IGBT原來是這么玩的
IGBT的發(fā)展對于很多行業(yè)都有益，但是在相當長的一段時間里，IGBT的核心技術(shù)都被國外企業(yè)牢牢地把在手里?！昂诵募夹g(shù)之痛”依然橫亙在我們面前，在IGBT全球市場中，西門子旗下的子公司英飛凌占有率全面領(lǐng)先，IGBT分立器件和IGBT模塊的市占率分別為29.3%和 36.5%。
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IGBT的主要參數(shù)及其工作原理
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種高效能的功率半導體元件，在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。
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IGBT功率半導體器件主要參數(shù)
如果正輸入電壓通過柵極，發(fā)射極保持驅(qū)動電路開啟。另一方面，如果 IGBT 的柵極端電壓為零或略為負，則會關(guān)閉電路應用。
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如何并聯(lián)使用IGBT？電流計算公式+影響圖例！
一直以來，IGBT都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞩GBT并聯(lián)使用的相關(guān)介紹，詳細內(nèi)容請看下文。
