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iDEAL的SuperQ技術正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET，展示業(yè)界領先的性能指標
美國賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進入送樣階段。
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奇瑞-羅姆供應鏈技術共創(chuàng)交流日：攜手譜寫汽車電子技術新篇章
中國上海，2025年7月8日——全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，與中國知名OEM廠商奇瑞汽車股份有限公司（以下簡稱“奇瑞”）于2025年6月5日在奇瑞總部共同舉辦的“奇瑞-羅姆供應鏈技術共創(chuàng)交流日”圓滿落幕。奇瑞汽車股份有限公司執(zhí)行副總裁 高新華博士、羅姆高級執(zhí)行官 阪井 正樹等多位高層領導出席本次活動。雙方技術專家及供應鏈核心伙伴齊聚一堂，共話汽車電子前沿技術，致力于為未來智慧出行注入強勁創(chuàng)新動力。
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什么是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)絕緣柵雙極型晶體管？
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
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IGBT 主導新能源汽車上半場，SiC 提速上車劍指新周期
在新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，功率器件作為核心 “大腦”，其重要性不言而喻?；仡欉^往，IGBT 主導了新能源汽車的上半場，而如今，SiC 正加速上車，開啟新的發(fā)展周期。
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英飛凌推出用于電動汽車的新一代高功率節(jié)能型 IGBT 和 RC-IGBT 芯片
【2025年6月18日, 德國慕尼黑訊】隨著純電動汽車(BEV)和插電式混合動力電動汽車(PHEV)銷量的快速增長，電動汽車市場的發(fā)展在不斷加速。預計到 2030 年，電動汽車的生產(chǎn)比例將實現(xiàn)兩位數(shù)增長，從2024年的20%增長至45%左右 [1]。為滿足對高壓汽車IGBT芯片日益增長的需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出新一代產(chǎn)品，包括為400 V和800 V系統(tǒng)設計的 EDT3(第三代電力傳動系統(tǒng))芯片，以及為 800 V 系統(tǒng)量身定制的RC-IGBT 芯片。這些產(chǎn)品能夠提高電力傳動系統(tǒng)的性能，尤其適用于汽車應用。
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IGBT的五個損耗常用分量
IGBT常采用的一體式封裝設計，其中不僅集成了IGBT芯片，還包含了二極管芯片
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揭曉IGBT的開關頻率上限
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。
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可控硅和igbt有什么區(qū)別？選擇可控硅模塊需要考慮什么
在這篇文章中，小編將對可控硅的相關內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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三十載精“芯”“質”造，英飛凌無錫打造綠色智能工廠典范
【2025年3月31日, 中國上海訊】三十載精“芯”“質”造，闊步新征程。日前，英飛凌無錫工廠迎來了在華運營三十周年的里程碑。歷經(jīng)三十年的深耕發(fā)展，無錫工廠已成為英飛凌全球最大的IGBT生產(chǎn)基地之一，生產(chǎn)的產(chǎn)品廣泛應用于當前快速發(fā)展的電動汽車、新能源、消費電子、工業(yè)等多個領域，助力產(chǎn)業(yè)向智能化、綠色化方向發(fā)展。
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TDK針對500 V系統(tǒng)推出更緊湊的柵極驅動變壓器
TDK株式會社(東京證券交易所代碼：6762)新近推出愛普科斯 (EPCOS) EP9系列變壓器(訂購代碼：B82804E)。相比于專為IGBT及FET柵極驅動電路而設計現(xiàn)有E10EM系列表面貼裝變壓器，新系列元件尺寸更為緊湊，且優(yōu)異性能可滿足500 V系統(tǒng)電壓的嚴苛汽車及工業(yè)應用要求，同時具備絕緣性能好、耦合電容超低和耐熱性強的特點。該新系列產(chǎn)品迎合了TDK積極推動綠色轉型，邁向更加電氣化和可持續(xù)未來的理念。
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IGBT 模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應用中提供更高能效
制造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車 (EV) 在全球日益普及，眾多企業(yè)紛紛入場，試圖將商用和農(nóng)業(yè)車輛 (CAV) 改造成由電力驅動。
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在電力電子系統(tǒng)中，IGBT或MOSFET的死區(qū)介紹
在電力電子系統(tǒng)中，特別是使用IGBT或MOSFET等功率元件時，死區(qū)時間非常重要。它確保在一個功率元件關閉后，另一個元件才能開啟，從而避免同時導通導致的短路風險。?
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IGBT的工作原理是什么？IGBT兩類短路保護了解嗎
在下述的內(nèi)容中，小編將會對IGBT的相關消息予以報道，如果IGBT是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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IGBT常用的過流保護措施有哪些？IGBT開關特性解讀
一直以來，IGBT都是大家的關注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞩GBT的相關介紹，詳細內(nèi)容請看下文。
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貿(mào)澤電子開售能為電動汽車牽引逆變器提供可擴展性能的英飛凌HybridPACK Drive G2模塊
2024年11月26日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌的HybridPACK? Drive G2模塊。HybridPACK Drive G2模塊基于HybridPACK Drive G1，在相同的緊湊尺寸下提供更高的功率密度。HybridPACK Drive G2模塊是一款高效率的汽車功率模塊，適用于電動汽車 (EV) 以及混合動力電動汽車 (HEV) 的牽引逆變器。
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IGBT的發(fā)熱功率及散熱系統(tǒng)探討
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT)作為現(xiàn)代電力電子領域中的核心器件，以其高電壓、大電流、高頻率等特性，廣泛應用于變頻器、開關電源、軌道交通、電動汽車及新能源等領域。然而，隨著IGBT向高功率和高集成度方向發(fā)展，其發(fā)熱問題日益突出，對散熱系統(tǒng)的要求也越來越高。
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電動汽車的DC-DC轉換器類型
DC-DC轉換器是一種機電設備或電路，用于根據(jù)電路要求將直流電壓從一個電平轉換到另一個電平。作為電力轉換器家族的一部分，DC-DC轉換器可用于小電壓應用，如電池，或高電壓應用，如高壓電力傳輸。
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Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合，專為可持續(xù)發(fā)展、電動出行和數(shù)據(jù)中心應用而優(yōu)化設計
該系列產(chǎn)品支持多種拓撲結構、電流和電壓范圍
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意法半導體先進的電隔離柵極驅動器 STGAP3S為 IGBT 和 SiC MOSFET 提供靈活的保護功能
面向空調(diào)、家電和工廠自動化等工業(yè)電機驅動裝置和充電站、儲能系統(tǒng)、電源等能源應用的功率控制
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IGBT控制信號了解嗎？電流對IGBT的關斷有什么影響？
在下述的內(nèi)容中，小編將會對IGBT的相關消息予以報道，如果IGBT是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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