2020年,功率MOSFET和IGBT產(chǎn)能非常緊缺,交貨周期依然非常長。下游需求旺盛,功率MOSFET和IGBT原廠和晶圓代工廠多次上調(diào)價格,由于受到產(chǎn)能的限制,功率MOSFET和IGBT的市場供給仍然處于非常緊張的狀態(tài),這種狀況一直持續(xù)到2021年。OMDIA、Yole及其他的...
2020年,功率MOSFET/IGBT產(chǎn)能非常緊缺,交貨周期非常長。下游需求旺盛,功率MOSFET/IGBT原廠和晶圓代工廠多次上調(diào)價格,由于受到產(chǎn)能的限制,功率MOSFET市場供給仍然處于緊張的狀態(tài),一直持續(xù)到2021年。IHS、Yole及其他的一些全球著名市場研究機(jī)構(gòu),在其年...
?1.?引言??進(jìn)入二十一世紀(jì)以來,以大規(guī)模風(fēng)力發(fā)電、太陽能發(fā)電為代表的新能源是我國未來能源結(jié)構(gòu)調(diào)整的重點發(fā)展方向,而傳統(tǒng)的交流輸電和直流輸電技術(shù)已經(jīng)難以滿足以大規(guī)模風(fēng)電和太陽能發(fā)電安全可靠接入電網(wǎng)的迫切需求。而基于高壓大功率電力電子技術(shù)的靈活交流輸電和高壓直流輸電是未來智能電網(wǎng)...
“是說芯語”已陪伴您983天IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片...
MOSFET和IGBT的對比
摘要:針對并聯(lián)有源電力濾波器在運行過程中會多次出現(xiàn)IGBT爆炸的問題,經(jīng)過實驗分析了IGBT的過電壓形成過程。鑒 于IGBT的關(guān)斷時間極短,連接導(dǎo)線上寄生的微小雜散電感在高頻開關(guān)的作用下會產(chǎn)生尖峰過電壓,并與原有電壓疊加,從而 對IGBT的安全構(gòu)成威脅 。文中為設(shè)計的100 kVA并聯(lián)有源電力濾波器所選擇的IGBT模塊設(shè)計了一種緩沖電路,從而解決了 IGBT模塊爆炸的問題,保證了并聯(lián)有源電力濾波器的安全運行。
點擊藍(lán)字?關(guān)注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章,歡迎轉(zhuǎn)載!國際能源署的數(shù)據(jù)顯示,到2030年,太陽能光伏?(PV)裝置的裝機(jī)容量有望達(dá)到3,300TWh,與2019年的水平相比,年增率為15%[1],這意味著能源供應(yīng)的比例在不斷上升。光伏裝置的安裝是將微型、迷你和電力公...
什么是IGBT所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極結(jié)型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講,是一個非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線,斷開時當(dāng)做開路。IGBT融...
【2021年9月7日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)為其采用TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合推出新的額定電流。
點擊藍(lán)字?關(guān)注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章,歡迎轉(zhuǎn)載!國際能源署的數(shù)據(jù)顯示,到2030年,太陽能光伏?(PV)裝置的裝機(jī)容量有望達(dá)到3,300TWh,與2019年的水平相比,年增率為15%[1],這意味著能源供應(yīng)的比例在不斷上升。光伏裝置的安裝是將微型、迷你和電力公...
2021年9月6日,模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和國產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰聯(lián)合對外宣布,雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓建立長期戰(zhàn)略合作關(guān)系,此前雙方已經(jīng)合作近三年時間。
什么是IGBT所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極結(jié)型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講,是一個非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線,斷開時當(dāng)做開路。IGBT融...
逆變器是工業(yè)、生活中常用設(shè)備之一,即便是家用電器中,也存在逆變器的身影。
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。
IGBT的結(jié)構(gòu)如下圖所示,一個N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),有兩個N區(qū),其中一個N區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。另一個N區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)(包括P和P-區(qū),溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)...
點擊“東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦!近日,東芝新推出了一款額定值為1350V/30A的分立IGBT——GT30N135SRA,擴(kuò)充了其IGBT產(chǎn)品陣容。新產(chǎn)品主要適用于采用AC200V輸入電壓諧振電路的家用電器,例如IH電磁爐、IH電飯煲和微波爐。GT30N135SRAGT30N...
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關(guān)、SVC和電解氫等場合,但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解,為此我們組織了6篇連載,包括正向特性,動態(tài)特性,控制特性,保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘自英飛凌英文版應(yīng)用指南AN2012-01《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
7月,來自比利時的高溫半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID正式與世強(qiáng)硬創(chuàng)電商簽署授權(quán)代理協(xié)議,授權(quán)其代理旗下智能功率模塊IPM、集成電路、分立器件等產(chǎn)品。
近日,英飛凌科技股份有限公司推出 650 V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管產(chǎn)品組合,具有650 V阻斷電壓。
1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴(kuò)大了設(shè)計人員對效率和功率密度的選擇范圍