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2020年全球功率MOSFET和IGBT供應(yīng)商營業(yè)額及排名
2020年，功率MOSFET和IGBT產(chǎn)能非常緊缺，交貨周期依然非常長。下游需求旺盛，功率MOSFET和IGBT原廠和晶圓代工廠多次上調(diào)價格，由于受到產(chǎn)能的限制，功率MOSFET和IGBT的市場供給仍然處于非常緊張的狀態(tài)，這種狀況一直持續(xù)到2021年。OMDIA、Yole及其他的...
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2020年全球功率MOSFET/IGBT供應(yīng)商營業(yè)額及排名
2020年，功率MOSFET/IGBT產(chǎn)能非常緊缺，交貨周期非常長。下游需求旺盛，功率MOSFET/IGBT原廠和晶圓代工廠多次上調(diào)價格，由于受到產(chǎn)能的限制，功率MOSFET市場供給仍然處于緊張的狀態(tài)，一直持續(xù)到2021年。IHS、Yole及其他的一些全球著名市場研究機構(gòu)，在其年...
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IGBT與快恢復(fù)二極管匹配技術(shù)的特點和優(yōu)勢
?1.?引言??進入二十一世紀以來，以大規(guī)模風力發(fā)電、太陽能發(fā)電為代表的新能源是我國未來能源結(jié)構(gòu)調(diào)整的重點發(fā)展方向，而傳統(tǒng)的交流輸電和直流輸電技術(shù)已經(jīng)難以滿足以大規(guī)模風電和太陽能發(fā)電安全可靠接入電網(wǎng)的迫切需求。而基于高壓大功率電力電子技術(shù)的靈活交流輸電和高壓直流輸電是未來智能電網(wǎng)...
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IGBT主要廠商（國產(chǎn)與國外），附其產(chǎn)業(yè)鏈報告
“是說芯語”已陪伴您983天IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片...
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igbt和電力mosfet在內(nèi)部結(jié)構(gòu)和開關(guān)特性
MOSFET和IGBT的對比
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并聯(lián)有源電力濾波器保護的關(guān)鍵技術(shù)研究
摘要:針對并聯(lián)有源電力濾波器在運行過程中會多次出現(xiàn)IGBT爆炸的問題,經(jīng)過實驗分析了IGBT的過電壓形成過程。鑒 于IGBT的關(guān)斷時間極短，連接導(dǎo)線上寄生的微小雜散電感在高頻開關(guān)的作用下會產(chǎn)生尖峰過電壓，并與原有電壓疊加，從而 對IGBT的安全構(gòu)成威脅 。文中為設(shè)計的100 kVA并聯(lián)有源電力濾波器所選擇的IGBT模塊設(shè)計了一種緩沖電路，從而解決了 IGBT模塊爆炸的問題，保證了并聯(lián)有源電力濾波器的安全運行。
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漲知識！IGBT 和 SiC MOSFET PIM 在太陽能逆變器中的性能比較
點擊藍字?關(guān)注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！國際能源署的數(shù)據(jù)顯示，到2030年，太陽能光伏?(PV)裝置的裝機容量有望達到3,300TWh，與2019年的水平相比，年增率為15%[1]，這意味著能源供應(yīng)的比例在不斷上升。光伏裝置的安裝是將微型、迷你和電力公...
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【干貨收藏】 IGBT 的國產(chǎn)替代
什么是IGBT所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT(雙極結(jié)型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線，斷開時當做開路。IGBT融...
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英飛凌采用具有新額定電流的IGBT7以增強1200 V EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合，靈活滿足更高的功率密度和性能
【2021年9月7日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)為其采用TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合推出新的額定電流。
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漲知識！IGBT?和?SiC?MOSFET?PIM?在太陽能逆變器中的性能比較
點擊藍字?關(guān)注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！國際能源署的數(shù)據(jù)顯示，到2030年，太陽能光伏?(PV)裝置的裝機容量有望達到3,300TWh，與2019年的水平相比，年增率為15%[1]，這意味著能源供應(yīng)的比例在不斷上升。光伏裝置的安裝是將微型、迷你和電力公...
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模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB與國產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰達成長期戰(zhàn)略合作，共同推動全球SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2021年9月6日，模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和國產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰聯(lián)合對外宣布，雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓建立長期戰(zhàn)略合作關(guān)系，此前雙方已經(jīng)合作近三年時間。
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【干貨收藏】?IGBT?的國產(chǎn)替代
什么是IGBT所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT(雙極結(jié)型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線，斷開時當做開路。IGBT融...
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太陽能逆變器效率如何?太陽能逆變器作用介紹!
逆變器是工業(yè)、生活中常用設(shè)備之一，即便是家用電器中，也存在逆變器的身影。
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仿真看世界之650V混合SiC單管的開關(guān)特性
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。
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深度剖析IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT的結(jié)構(gòu)如下圖所示，一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，有兩個N區(qū)，其中一個N區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。另一個N區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P和P-區(qū)，溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)...
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可顯著降低家用電器功耗，東芝IGBT產(chǎn)品又添新成員！
點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！近日，東芝新推出了一款額定值為1350V／30A的分立IGBT——GT30N135SRA，擴充了其IGBT產(chǎn)品陣容。新產(chǎn)品主要適用于采用AC200V輸入電壓諧振電路的家用電器，例如IH電磁爐、IH電飯煲和微波爐。GT30N135SRAGT30N...
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大功率晶閘管參數(shù)解析之正向特性
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關(guān)、SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘自英飛凌英文版應(yīng)用指南AN2012-01《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
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極端溫度半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID授權(quán)世強硬創(chuàng)電商，提供車規(guī)級碳化硅MOSFET器件、IGBT功率模塊等產(chǎn)品
7月，來自比利時的高溫半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID正式與世強硬創(chuàng)電商簽署授權(quán)代理協(xié)議，授權(quán)其代理旗下智能功率模塊IPM、集成電路、分立器件等產(chǎn)品。
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英飛凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立器件系列，提供優(yōu)異效率
近日，英飛凌科技股份有限公司推出 650 V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管產(chǎn)品組合，具有650 V阻斷電壓。
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Microchip推出業(yè)界耐固性最強的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本
1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴大了設(shè)計人員對效率和功率密度的選擇范圍
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