【干貨收藏】 IGBT 的國產(chǎn)替代

什么是IGBT所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT(雙極結(jié)型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT融...

英飛凌采用具有新額定電流的IGBT7以增強1200 V EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合，靈活滿足更高的功率密度和性能

【2021年9月7日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)為其采用TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合推出新的額定電流。

漲知識！IGBT?和?SiC?MOSFET?PIM?在太陽能逆變器中的性能比較

點擊藍字?關(guān)注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！國際能源署的數(shù)據(jù)顯示，到2030年，太陽能光伏?(PV)裝置的裝機容量有望達到3,300TWh，與2019年的水平相比，年增率為15%[1]，這意味著能源供應(yīng)的比例在不斷上升。光伏裝置的安裝是將微型、迷你和電力公...

模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB與國產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰達成長期戰(zhàn)略合作，共同推動全球SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展

2021年9月6日，模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和國產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰聯(lián)合對外宣布，雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓建立長期戰(zhàn)略合作關(guān)系，此前雙方已經(jīng)合作近三年時間。

【干貨收藏】?IGBT?的國產(chǎn)替代

什么是IGBT所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT(雙極結(jié)型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT融...

太陽能逆變器效率如何?太陽能逆變器作用介紹!

逆變器是工業(yè)、生活中常用設(shè)備之一，即便是家用電器中，也存在逆變器的身影。

仿真看世界之650V混合SiC單管的開關(guān)特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。

深度剖析IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理

IGBT的結(jié)構(gòu)如下圖所示，一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，有兩個N區(qū)，其中一個N區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。另一個N區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P和P-區(qū)，溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)...

可顯著降低家用電器功耗，東芝IGBT產(chǎn)品又添新成員！

點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！近日，東芝新推出了一款額定值為1350V／30A的分立IGBT——GT30N135SRA，擴充了其IGBT產(chǎn)品陣容。新產(chǎn)品主要適用于采用AC200V輸入電壓諧振電路的家用電器，例如IH電磁爐、IH電飯煲和微波爐。GT30N135SRAGT30N...

大功率晶閘管參數(shù)解析之正向特性

功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關(guān)、SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘自英飛凌英文版應(yīng)用指南AN2012-01《雙極性半導體技術(shù)信息》。

極端溫度半導體解決方案供應(yīng)商CISSOID授權(quán)世強硬創(chuàng)電商，提供車規(guī)級碳化硅MOSFET器件、IGBT功率模塊等產(chǎn)品

7月，來自比利時的高溫半導體解決方案供應(yīng)商CISSOID正式與世強硬創(chuàng)電商簽署授權(quán)代理協(xié)議，授權(quán)其代理旗下智能功率模塊IPM、集成電路、分立器件等產(chǎn)品。

英飛凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立器件系列，提供優(yōu)異效率

近日，英飛凌科技股份有限公司推出 650 V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管產(chǎn)品組合，具有650 V阻斷電壓。

Microchip推出業(yè)界耐固性最強的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本

1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴大了設(shè)計人員對效率和功率密度的選擇范圍

如何用一顆IGBT撬動電動汽車逆變器？

ROHM開發(fā)出內(nèi)置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”

損耗比以往IGBT產(chǎn)品低67%，有助于以更高的性價比進一步降低車載和工業(yè)設(shè)備功耗

Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權(quán)，正式更名為Nexperia Newport

這家威爾士半導體工廠將繼續(xù)專注于MOSFET、IGBT、Analog、化合物半導體等車規(guī)級產(chǎn)品的生產(chǎn)

全面智能化與低碳減排并重，英飛凌無錫工廠繼續(xù)升級擴能

1995年英飛凌無錫工廠成立，歷經(jīng)20多年的發(fā)展后，現(xiàn)已經(jīng)成為了其大中華區(qū)最大的制造基地、其全球最為重要的IGBT制造中心之一。

功率半導體掀新一輪漲價潮：預(yù)計漲幅12%

據(jù)媒體報道，全球功率半導體龍頭英飛凌正在醞釀新一輪產(chǎn)品漲價，MOSFET的漲幅將有12%，預(yù)計本月中旬執(zhí)行。還有多家功率半導體廠商也在近期發(fā)布了漲價通知。

英飛凌EiceDRIVER? X3 Enhanced和X3 Compact柵極驅(qū)動器系列推出增強型隔離產(chǎn)品

近日，英飛凌科技股份公司進一步壯大了其易于設(shè)計使用的EiceDRIVER? X3 Compact(1ED31xx)、高靈活性的EiceDRIVER X3 Enhanced模擬(1ED34xx)和數(shù)字(1ED38xx)柵極驅(qū)動器系列，分別推出了增強型隔離產(chǎn)品，旨在提升應(yīng)用安全性和延長使用壽命。

關(guān)于UPS電源過早發(fā)生故障的一些原因以及解決方法解析

隨著全球多樣化的發(fā)展，我們的生活也在不斷變化著，包括我們接觸的各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你一定不知道這些產(chǎn)品的一些組成，比如UPS電源。