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比亞迪長(zhǎng)沙IGBT項(xiàng)目致力于解決新能源汽車(chē)電子核心功率器件問(wèn)題
3 月 5 日訊，計(jì)劃建設(shè)集成電路制造生產(chǎn)線(xiàn)的長(zhǎng)沙比亞迪?IGBT?項(xiàng)目正式啟動(dòng)建設(shè)，該項(xiàng)目致力于解決新能源汽車(chē)電子核心功率器件“卡脖子”問(wèn)題。 據(jù)了解，比亞迪近年來(lái)一直致力于微電子領(lǐng)域
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變頻器電路板IGBT拆卸方法圖解
老司機(jī)手把手教你快速拆卸變頻器IGBT模塊 工欲善其事，必先利其器。怎樣才能拆一個(gè)IGBT模塊只用十分鐘呢？ 最好用的就是一把大功率烙鐵加空壓機(jī)，烙鐵融化后用氣槍一吹就干凈了，如
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基于IMST技術(shù)的IPM模塊解決白家電的設(shè)計(jì)問(wèn)題
由于世界各國(guó)不斷關(guān)注節(jié)能問(wèn)題，使節(jié)能型消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品的需求持續(xù)上升，尤其是電冰箱、洗衣機(jī)和空調(diào)等白家電產(chǎn)品。除了節(jié)能，白家電設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)包括尺寸、散熱、可靠性、噪聲及外觀(guān)設(shè)計(jì)等。如今，在白家電設(shè)計(jì)中具
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你需要了解的數(shù)字IGBT后極高頻機(jī)的設(shè)計(jì)知識(shí)
你知道什么是IGBT后極高頻機(jī)嗎?本文主要講了有關(guān)IGBT后極高頻機(jī)的性能指標(biāo)、使用說(shuō)明、頻率及脈寬調(diào)節(jié)、電池電壓、機(jī)內(nèi)溫度等內(nèi)容，下面來(lái)學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)吧。
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高效率的高效能IGBT，你了解嗎？
什么是高效能IGBT?它有什么作用?IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是電源應(yīng)用中相當(dāng)常見(jiàn)的器件，可用于交流電的電機(jī)控制輸出。由安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)所推出的TO247-4L IGBT將可為相關(guān)應(yīng)用提供更高的效能與更佳的成本效益，究竟它是如何辦到的?讓我們來(lái)進(jìn)一步深入了解。
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變頻器中IGBT爆炸的可能性因素有哪些？
什么是IGBT?它有什么作用?IGBT是電力電子裝置的CPU，在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中，IGBT模塊更為重要。但是，IGBT模塊會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)爆炸的情況。下面，小編就結(jié)合案例具體分析一下。
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IGBT的開(kāi)關(guān)頻率上限有多高？小白容易忽略這兩點(diǎn)！
波老師那個(gè)年代上大學(xué)都是自己攢機(jī)裝電腦，買(mǎi)CPU先問(wèn)主頻多少Hz？后來(lái)買(mǎi)手機(jī)也是，先看幾個(gè)核，再看主頻。。。所以估計(jì)大家都也差不多，都烙下病根兒了。? 可是IGBT是個(gè)功率器件，它的開(kāi)關(guān)頻率上限并不是一個(gè)確定的值。我一般都是這么回答這個(gè)問(wèn)題的： 首先，
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電流互感器的工作原理
什么是電流互感器?它的作用是什么?互感器是供電系統(tǒng)的重要設(shè)備，其故障最初都伴隨著局部或整體的溫度異常，紅外熱像儀可簡(jiǎn)便、安全、實(shí)時(shí)、直觀(guān)地檢測(cè)和診斷設(shè)備故障，確保設(shè)備安全和長(zhǎng)期運(yùn)行。
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IGBT工作原理解析
什么是IGBT？它的工作原理是什么？IGBT是元器件家族的成員之一，有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。那么，IGBT是如何完成開(kāi)關(guān)過(guò)程的?
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東芝面向中大電流IGBT/MOSFET，推出內(nèi)置保護(hù)功能的光耦
中國(guó)上海，2020年3月10日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏(PV)的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。
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Power Integrations推出IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)器
新的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設(shè)計(jì)而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應(yīng)用。
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新型IGBT誕生，made in China
當(dāng)前，碳化硅基功率器件面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，現(xiàn)有的碳化硅基肖特基二極管，MOSFET等器件并不能有效地滿(mǎn)足實(shí)際應(yīng)用需要，對(duì)IGBT器件的需求日益迫切，必須突破碳化硅基IGBT研究中的瓶頸問(wèn)題，增加器件耐壓強(qiáng)度
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新款分立IGBT有助于降低功耗并簡(jiǎn)化設(shè)備設(shè)計(jì)
新款I(lǐng)GBT在設(shè)備開(kāi)機(jī)時(shí)能抑制通過(guò)諧振電容的短路電流。其電路電流[4]峰值為129A，比當(dāng)前產(chǎn)品[3]低31%。由于其安全工作范圍擴(kuò)大，相對(duì)于當(dāng)前產(chǎn)品[3]而言，設(shè)備設(shè)計(jì)也有所簡(jiǎn)化。
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東芝面向電壓諧振電路推出新款分立IGBT，有助于降低功耗并簡(jiǎn)化設(shè)備設(shè)計(jì)
中國(guó)上海，2019年12月23日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出“GT20N135SRA”，這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產(chǎn)品于今日起開(kāi)始出貨。
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東芝面向電壓諧振電路推出新款分立IGBT，有助于降低功耗并簡(jiǎn)化設(shè)備設(shè)計(jì)
東芝今日宣布，推出“GT20N135SRA”，這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。
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d打破國(guó)外巨頭壟斷 華為進(jìn)軍IGBT市場(chǎng)
11月28日晚，業(yè)內(nèi)人士透露，華為已開(kāi)始自主研發(fā)IGBT器件，目前正在從某國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IGBT廠(chǎng)商中挖人。但據(jù)公開(kāi)消息表示，華為的研發(fā)此前并不涉及功率半導(dǎo)體，而其需要的IGBT產(chǎn)品主要從英飛凌等IGBT原廠(chǎng)處采購(gòu)。
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中國(guó)半導(dǎo)體廠(chǎng)商的發(fā)展良機(jī)到了
此外，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，中高端IGBT產(chǎn)能?chē)?yán)重不足，長(zhǎng)期依賴(lài)國(guó)際巨頭，導(dǎo)致“一芯難求”。有業(yè)內(nèi)人士表示，國(guó)內(nèi)能真正做IGBT芯片的廠(chǎng)商總共也沒(méi)有幾家，真正做的比較好的，基本都是從封裝做起的，靠封裝在市場(chǎng)上站穩(wěn)了腳跟，逐漸一款一款地研發(fā)芯片。
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CISSOID與國(guó)芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議 以共同推動(dòng)寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)及廣泛應(yīng)用
各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID今日宣布：在湖南株洲舉行的中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國(guó)際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“國(guó)芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開(kāi)展寬禁帶功率技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢(shì)，并推動(dòng)其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。
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工信部：將推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件和IGBT模塊產(chǎn)業(yè)
10月8日，工信部發(fā)布“關(guān)于政協(xié)十三屆全國(guó)委員會(huì)第二次會(huì)議第2282號(hào)（公交郵電類(lèi)256號(hào)）提案答復(fù)的函”。根據(jù)答復(fù)函，在制定工業(yè)半導(dǎo)體芯片發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃、出臺(tái)扶持技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策方面，工信部及相
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超級(jí)結(jié)MOSFET與IGBT的電動(dòng)汽車(chē)充電方案
轉(zhuǎn)向零排放電動(dòng)汽車(chē)等節(jié)能減排趨勢(shì)推動(dòng)對(duì)中高壓MOSFET的需求增加。平面MOSFET的導(dǎo)通電阻Rds(on)和損耗較大。且根據(jù)擊穿電壓與面積成正比，要獲得更高的擊穿電壓需要更大面積的摻雜。
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