老司機手把手教你快速拆卸變頻器IGBT模塊 工欲善其事,必先利其器。怎樣才能拆一個IGBT模塊只用十分鐘呢? 最好用的就是一把大功率烙鐵加空壓機,烙鐵融化后用氣槍一吹就干凈了,如
由于世界各國不斷關(guān)注節(jié)能問題,使節(jié)能型消費類產(chǎn)品的需求持續(xù)上升,尤其是電冰箱、洗衣機和空調(diào)等白家電產(chǎn)品。除了節(jié)能,白家電設(shè)計的挑戰(zhàn)包括尺寸、散熱、可靠性、噪聲及外觀設(shè)計等。如今,在白家電設(shè)計中具
你知道什么是IGBT后極高頻機嗎?本文主要講了有關(guān)IGBT后極高頻機的性能指標(biāo)、使用說明、頻率及脈寬調(diào)節(jié)、電池電壓、機內(nèi)溫度等內(nèi)容,下面來學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)吧。
什么是高效能IGBT?它有什么作用?IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是電源應(yīng)用中相當(dāng)常見的器件,可用于交流電的電機控制輸出。由安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)所推出的TO247-4L IGBT將可為相關(guān)應(yīng)用提供更高的效能與更佳的成本效益,究竟它是如何辦到的?讓我們來進一步深入了解。
什么是IGBT?它有什么作用?IGBT是電力電子裝置的CPU,在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中,IGBT模塊更為重要。但是,IGBT模塊會經(jīng)常出現(xiàn)爆炸的情況。下面,小編就結(jié)合案例具體分析一下。
波老師那個年代上大學(xué)都是自己攢機裝電腦,買CPU先問主頻多少Hz?后來買手機也是,先看幾個核,再看主頻。。。所以估計大家都也差不多,都烙下病根兒了。? 可是IGBT是個功率器件,它的開關(guān)頻率上限并不是一個確定的值。我一般都是這么回答這個問題的: 首先,
什么是電流互感器?它的作用是什么?互感器是供電系統(tǒng)的重要設(shè)備,其故障最初都伴隨著局部或整體的溫度異常,紅外熱像儀可簡便、安全、實時、直觀地檢測和診斷設(shè)備故障,確保設(shè)備安全和長期運行。
什么是IGBT?它的工作原理是什么?IGBT是元器件家族的成員之一,有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。那么,IGBT是如何完成開關(guān)過程的?
中國上海,2020年3月10日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出“TLP5231”,這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預(yù)驅(qū)動光耦,適用于工業(yè)逆變器和光伏(PV)的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。
新的門極驅(qū)動器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設(shè)計而成,非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應(yīng)用。
當(dāng)前,碳化硅基功率器件面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),現(xiàn)有的碳化硅基肖特基二極管,MOSFET等器件并不能有效地滿足實際應(yīng)用需要,對IGBT器件的需求日益迫切,必須突破碳化硅基IGBT研究中的瓶頸問題,增加器件耐壓強度
新款I(lǐng)GBT在設(shè)備開機時能抑制通過諧振電容的短路電流。其電路電流[4]峰值為129A,比當(dāng)前產(chǎn)品[3]低31%。由于其安全工作范圍擴大,相對于當(dāng)前產(chǎn)品[3]而言,設(shè)備設(shè)計也有所簡化。
中國上海,2019年12月23日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出“GT20N135SRA”,這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產(chǎn)品于今日起開始出貨。
東芝今日宣布,推出“GT20N135SRA”,這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。
11月28日晚,業(yè)內(nèi)人士透露,華為已開始自主研發(fā)IGBT器件,目前正在從某國內(nèi)領(lǐng)先的IGBT廠商中挖人。但據(jù)公開消息表示,華為的研發(fā)此前并不涉及功率半導(dǎo)體,而其需要的IGBT產(chǎn)品主要從英飛凌等IGBT原廠處采購。
此外,在國內(nèi)市場,中高端IGBT產(chǎn)能嚴(yán)重不足,長期依賴國際巨頭,導(dǎo)致“一芯難求”。有業(yè)內(nèi)人士表示,國內(nèi)能真正做IGBT芯片的廠商總共也沒有幾家,真正做的比較好的,基本都是從封裝做起的,靠封裝在市場上站穩(wěn)了腳跟,逐漸一款一款地研發(fā)芯片。
各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID今日宣布:在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學(xué)術(shù)論壇上,公司與湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司(簡稱“國芯科技”)簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議,將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā),充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢,并推動其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。
10月8日,工信部發(fā)布“關(guān)于政協(xié)十三屆全國委員會第二次會議第2282號(公交郵電類256號)提案答復(fù)的函”。根據(jù)答復(fù)函,在制定工業(yè)半導(dǎo)體芯片發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃、出臺扶持技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策方面,工信部及相
轉(zhuǎn)向零排放電動汽車等節(jié)能減排趨勢推動對中高壓MOSFET的需求增加。平面MOSFET的導(dǎo)通電阻Rds(on)和損耗較大。且根據(jù)擊穿電壓與面積成正比,要獲得更高的擊穿電壓需要更大面積的摻雜。
在功率電子(例如驅(qū)動技術(shù))中,IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制,其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗,要求具備較短的開關(guān)時間。然而,快速開關(guān)同時隱含著高壓瞬變的危險,這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。