-
采用增強互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設計高能效焊機
近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機能效的強制性規(guī)定應運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。
-
英飛凌的 CoolSiC? XHP? 2 高功率模塊助力推動節(jié)能電氣化列車低碳化
【2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】為了實現(xiàn)全球氣候目標，交通運輸必須轉(zhuǎn)用更加環(huán)保的車輛，比如節(jié)能的電氣化列車。然而，列車運行有苛刻的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當長的使用壽命內(nèi)可靠運行。因此，它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質(zhì)量的節(jié)能牽引應用。
-
共同推進電動汽車發(fā)展 英飛凌與鴻海簽訂合作備忘錄，將在臺灣地區(qū)設立車用系統(tǒng)應用中心
【2023 年 5 月 10 日，德國慕尼黑訊】全球車用半導體領(lǐng)導廠商英飛凌科技股份公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 與全球最大的科技制造與服務商鴻海科技集團 (TWSE:2317) 近日宣布已簽訂一份合作備忘錄，雙方將在電動汽車領(lǐng)域建立長期的合作關(guān)系，共同致力于開發(fā)具備高能效與先進智能功能的電動汽車。
-
英飛凌與天岳先進簽訂全新晶圓和晶錠供應協(xié)議，進一步推動其碳化硅供應商體系多元化
【2023 年 5 月 3 日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)與中國碳化硅供應商山東天岳先進科技股份有限公司(以下簡稱“天岳先進”)簽訂一項新的晶圓和晶錠供應協(xié)議。該協(xié)議不僅可以讓英飛凌多元化其碳化硅(SiC)材料供應商體系，還能夠確保英飛凌獲得更多具有競爭力的碳化硅材料供應。根據(jù)該協(xié)議，天岳先進將為德國半導體制造商英飛凌供應用于制造碳化硅半導體的高質(zhì)量并且有競爭力的150毫米碳化硅晶圓和晶錠，其供應量預計將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。
-
德國博世收購美國芯片制造商 TSI
據(jù) 21 ic 近日獲悉，德國博世集團將斥資 15 億美金收購位于美國加州的芯片制造商 TSI 半導體公司的資產(chǎn)以擴大其美國電動汽車碳化硅半導體業(yè)務。
-
賽米控丹佛斯推出配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊
賽米控丹佛斯與羅姆在IGBT多源供應方面進一步加強合作
-
Nexperia針對要求嚴苛的電源轉(zhuǎn)換應用推出先進的650 V碳化硅二極管
合并PIN肖特基結(jié)構(gòu)可帶來更高的穩(wěn)健性和效率
-
意法半導體與采埃孚簽署碳化硅器件長期供應協(xié)議
中國，2023 年 4 月 20 日——服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。根據(jù)這份長期采購合同條款，意法半導體將為采埃孚供應超過1,000萬個碳化硅器件。采埃孚計劃將這些器件集成到 2025 年量產(chǎn)的新型模塊化逆變器架構(gòu)中，利用意法半導體在歐洲和亞洲的碳化硅垂直整合生產(chǎn)線確保完成電驅(qū)動客戶訂單。
-
特斯拉減少75%碳化硅用量降低造車成本，國內(nèi)新能源車企如何實現(xiàn)“價格戰(zhàn)”突圍?
近日，“鯰魚”特斯拉在其投資者活動日上公開了備受期待的“秘密宏圖第三篇章(Master Plan Part 3)”，其中一句“下一代平臺將減少75%的碳化硅使用”一度帶崩相關(guān)板塊，引發(fā)A股碳化硅中的個股集體跳水。
-
貿(mào)澤聯(lián)手Apex Microtechnology推出全新電子書 探索高可靠性設計中的挑戰(zhàn)與難點
2023年4月14日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Apex Microtechnology聯(lián)手推出全新電子書《An Engineer’s Guide to High Reliability Components》(面向工程師的高可靠性元件指南)，探索高可靠性元件設計中的挑戰(zhàn)和細節(jié)。書中，來自Apex Microtechnology的主題專家深入探討了高可靠性設計中的諸多難點。該書共收錄了五篇詳細的文章，分別介紹了熱管理、密封封裝和碳化硅等主題。
-
Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET
【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達驅(qū)動、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動車 (EV) 電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。
-
貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案
2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經(jīng)過優(yōu)化，可為能源基礎(chǔ)設施和工業(yè)驅(qū)動應用提供高可靠性和高性能。
-
實現(xiàn)業(yè)內(nèi)超小的RonA，ROHM第4代SiC MOSFET提高易用性和高可靠性
當下消費電子領(lǐng)域正在遭受了行業(yè)凜冬，波及到了半導體上下游的各大廠商。然而對以工業(yè)和汽車電子作為主要業(yè)務模塊的芯片廠商而言，仍取得了非常不錯的成績，并且有著繼續(xù)增長的前景預期。這是因為汽車電子的需求仍增長旺盛，而工業(yè)又是高附加值的穩(wěn)定賽道，因此受到全球經(jīng)濟環(huán)境的影響較小。ROHM就是在這樣的下行周期中仍保持高速增長的芯片廠商之一，整個集團2022年上半財年銷售額約和130億人民幣左右，全年預計銷售額250～260億人民幣左右。
-
英飛凌與Resonac擴大合作范圍，簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應協(xié)議
【2023年02月09日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)持續(xù)擴大與碳化硅(SiC)供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長期合作伙伴關(guān)系。
-
e絡盟開售安森美能源基礎(chǔ)設施解決方案
憑借數(shù)十年的創(chuàng)新技術(shù)經(jīng)驗以及可靠高效的下一代功率半導體，安森美將為能源基礎(chǔ)設施應用實現(xiàn)更高功率密度水平，降低功率損耗，并縮短開發(fā)時間
-
電源管理方面的下一個挑戰(zhàn),效率和熱效應
我們討論電源管理方面的下一個挑戰(zhàn)，例如效率、熱管理和工程中重要的特性。那么最關(guān)鍵的是什么，你對市場有什么建議? 歸根結(jié)底，實際上一切都與效率有關(guān)，不是嗎?正確的?無論您是在談論設備本身的效率，還是正在充電的設備，您提出的所有這些問題、熱管理、密度，所有這些都真正下降，無法實現(xiàn)或無法改進更高的效率。我相信，我讀過美國家庭平均擁有大約 25 臺聯(lián)網(wǎng)設備。所以這些是設備，每一個都需要充電，其中很多是每天充電，有些是永久充電。因此，僅在美國，更不用說歐洲、中國等地的數(shù)億家庭，這就是一個巨大的負擔。所以它真的需要被驅(qū)動，對嗎?它需要在效率方面得到全方位的推動。
-
Microchip推出針對電動航空應用設計的新型一體化混合動力驅(qū)動模塊解決方案，可減少開發(fā)時間和重量
這款高度集成和可配置的三相電源模塊是新系列產(chǎn)品的首款型號，可使用碳化硅或硅進行定制，從而減少電動飛機電源解決方案的尺寸和重量
-
聊一聊碳化硅，下一波SiC制造的供應鏈和成本
今天，我們就來聊一聊碳化硅，下一波SiC制造，供應鏈和成本。SiC 行業(yè)在許多市場都在增長。電動汽車市場正準備轉(zhuǎn)向 SiC 逆變器，正如特斯拉已經(jīng)做的那樣。作為戰(zhàn)略合作的一部分，梅賽德斯-奔馳已將 onsemi SiC 技術(shù)用于牽引逆變器。因此，SiC 器件的范圍得到了廣泛認可，并提供了傳統(tǒng) IGBT 的寬帶隙替代品。
-
碳化硅功率器件與模塊雙驅(qū)發(fā)力，上海瀚薪加速推進產(chǎn)業(yè)升級
瀚薪擁有自主知識產(chǎn)權(quán)及專利的器件設計和工藝研發(fā)的能力，并另外開啟了碳化硅模塊賽道，這離不開其前期構(gòu)建的技術(shù)基石和豐富的研發(fā)設計經(jīng)驗。
-
基本半導體：國產(chǎn)碳化硅芯片如何“彎道超車”？
碳化硅具有高硬度、高脆性和低斷裂韌性等物理特性，因此其在工藝設計上有很多難點。相較于第一代半導體——硅，碳化硅的硬度非常大，其材料硬度為9.5，僅次于金剛石。這就意味著碳化硅的切割難度非常大，在做刻蝕、溝槽等工藝流程時難度很大。在磨削加工時也很容易引起材料脆性斷裂或產(chǎn)生嚴重表面損傷，影響加工的精度。如何攻克碳化硅技術(shù)難點對提高生產(chǎn)效率，減少成本有很大意義。
