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Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET
【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動車 (EV) 電池充電器等應(yīng)用，對更高效率與更高功率密度的需求。
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貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案
2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的器件。這些器件經(jīng)過優(yōu)化，可為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用提供高可靠性和高性能。
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實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超小的RonA，ROHM第4代SiC MOSFET提高易用性和高可靠性
當(dāng)下消費(fèi)電子領(lǐng)域正在遭受了行業(yè)凜冬，波及到了半導(dǎo)體上下游的各大廠商。然而對以工業(yè)和汽車電子作為主要業(yè)務(wù)模塊的芯片廠商而言，仍取得了非常不錯的成績，并且有著繼續(xù)增長的前景預(yù)期。這是因?yàn)槠囯娮拥男枨笕栽鲩L旺盛，而工業(yè)又是高附加值的穩(wěn)定賽道，因此受到全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境的影響較小。ROHM就是在這樣的下行周期中仍保持高速增長的芯片廠商之一，整個集團(tuán)2022年上半財(cái)年銷售額約和130億人民幣左右，全年預(yù)計(jì)銷售額250～260億人民幣左右。
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英飛凌與Resonac擴(kuò)大合作范圍，簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應(yīng)協(xié)議
【2023年02月09日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)持續(xù)擴(kuò)大與碳化硅(SiC)供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導(dǎo)體制造商，此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進(jìn)一步豐富和擴(kuò)展，將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長期合作伙伴關(guān)系。
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e絡(luò)盟開售安森美能源基礎(chǔ)設(shè)施解決方案
憑借數(shù)十年的創(chuàng)新技術(shù)經(jīng)驗(yàn)以及可靠高效的下一代功率半導(dǎo)體，安森美將為能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高功率密度水平，降低功率損耗，并縮短開發(fā)時間
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電源管理方面的下一個挑戰(zhàn),效率和熱效應(yīng)
我們討論電源管理方面的下一個挑戰(zhàn)，例如效率、熱管理和工程中重要的特性。那么最關(guān)鍵的是什么，你對市場有什么建議? 歸根結(jié)底，實(shí)際上一切都與效率有關(guān)，不是嗎?正確的?無論您是在談?wù)撛O(shè)備本身的效率，還是正在充電的設(shè)備，您提出的所有這些問題、熱管理、密度，所有這些都真正下降，無法實(shí)現(xiàn)或無法改進(jìn)更高的效率。我相信，我讀過美國家庭平均擁有大約 25 臺聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。所以這些是設(shè)備，每一個都需要充電，其中很多是每天充電，有些是永久充電。因此，僅在美國，更不用說歐洲、中國等地的數(shù)億家庭，這就是一個巨大的負(fù)擔(dān)。所以它真的需要被驅(qū)動，對嗎?它需要在效率方面得到全方位的推動。
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Microchip推出針對電動航空應(yīng)用設(shè)計(jì)的新型一體化混合動力驅(qū)動模塊解決方案，可減少開發(fā)時間和重量
這款高度集成和可配置的三相電源模塊是新系列產(chǎn)品的首款型號，可使用碳化硅或硅進(jìn)行定制，從而減少電動飛機(jī)電源解決方案的尺寸和重量
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聊一聊碳化硅，下一波SiC制造的供應(yīng)鏈和成本
今天，我們就來聊一聊碳化硅，下一波SiC制造，供應(yīng)鏈和成本。SiC 行業(yè)在許多市場都在增長。電動汽車市場正準(zhǔn)備轉(zhuǎn)向 SiC 逆變器，正如特斯拉已經(jīng)做的那樣。作為戰(zhàn)略合作的一部分，梅賽德斯-奔馳已將 onsemi SiC 技術(shù)用于牽引逆變器。因此，SiC 器件的范圍得到了廣泛認(rèn)可，并提供了傳統(tǒng) IGBT 的寬帶隙替代品。
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碳化硅功率器件與模塊雙驅(qū)發(fā)力，上海瀚薪加速推進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級
瀚薪擁有自主知識產(chǎn)權(quán)及專利的器件設(shè)計(jì)和工藝研發(fā)的能力，并另外開啟了碳化硅模塊賽道，這離不開其前期構(gòu)建的技術(shù)基石和豐富的研發(fā)設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)。
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基本半導(dǎo)體：國產(chǎn)碳化硅芯片如何“彎道超車”？
碳化硅具有高硬度、高脆性和低斷裂韌性等物理特性，因此其在工藝設(shè)計(jì)上有很多難點(diǎn)。相較于第一代半導(dǎo)體——硅，碳化硅的硬度非常大，其材料硬度為9.5，僅次于金剛石。這就意味著碳化硅的切割難度非常大，在做刻蝕、溝槽等工藝流程時難度很大。在磨削加工時也很容易引起材料脆性斷裂或產(chǎn)生嚴(yán)重表面損傷，影響加工的精度。如何攻克碳化硅技術(shù)難點(diǎn)對提高生產(chǎn)效率，減少成本有很大意義。
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瑞能助力第三代半導(dǎo)體“接棒跑”，推動產(chǎn)業(yè)升級
瑞能半導(dǎo)體認(rèn)為，如今整個行業(yè)的應(yīng)用正在向高頻化和輕薄化發(fā)展。行業(yè)要求硬件擁有更好的散熱性能，運(yùn)行在更高的頻率下，半導(dǎo)體產(chǎn)品的效率要求也會隨之提高?；趹?yīng)用的變化需求，瑞能半導(dǎo)體在持續(xù)升級其第三代化合物半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)平臺，推出包括基于國際最新技術(shù)的第六代碳化硅等多種新系列產(chǎn)品。
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碳化硅器件動態(tài)特性測試技術(shù)剖析
碳化硅功率器件作為新一代功率半導(dǎo)體器件，以其優(yōu)異的特性獲得了廣泛的應(yīng)用，同時也對其動態(tài)特性測試帶來了挑戰(zhàn)。
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英飛凌碳化硅產(chǎn)品系列“妙”在哪里？
在近日的英飛凌650 V CoolSiC? MOSFET系列發(fā)布會上，英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理陳清源詳細(xì)介紹了CoolSiC系列新品以及對SiC市場的展望。根據(jù)IHS的預(yù)估，今年SiC將會占據(jù)近5000萬美元的市場份額，到2028年，其市場份額將達(dá)到1億6000萬美元，整個復(fù)合成長率也達(dá)到了16%。兩位數(shù)的復(fù)合成長率對于SiC來說相當(dāng)可觀，也吸引了更多公司參與其研發(fā)之列，英飛凌便是其中之一。在近日的英飛凌650 V CoolSiC? MOSFET系列發(fā)布會上，英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理陳清源詳細(xì)介紹了CoolSiC系列新品以及對SiC市場的展望。
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半導(dǎo)體屆“小紅人”——碳化硅
前些日子爆出華為旗下的哈勃科技公司投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股10%。（注：山東天岳是我國第三代半導(dǎo)體材料碳化硅龍頭企業(yè)。）小編細(xì)細(xì)品讀著新聞標(biāo)題“華為投資第三代半導(dǎo)體材料公司，得碳化硅者得天下？”不禁眉頭一緊，心生疑惑，碳化硅到底何方“妖魔鬼怪”，能有這樣的能耐？隨即一拍大腿，本期的“芯詞典”主角就是你了——碳化硅。
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RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用
瑞森半導(dǎo)體提供不同功率的碳化硅二極管助力太陽能逆變器市場的發(fā)展
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電源設(shè)計(jì)說明：分析用于高性能應(yīng)用的新型 SiC 和 GaN FET 器件
在本文中，我們分析了一些碳化硅和氮化鎵 FET器件的靜態(tài)和動態(tài)行為。公司正將精力集中在這些類型的組件上，以創(chuàng)建高效轉(zhuǎn)換器和逆變器。
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安森美的碳化硅技術(shù)賦能純電動汽車VISION EQXX單次充電續(xù)航更遠(yuǎn)
2022年11月16日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，宣布梅賽德斯-奔馳在其主驅(qū)逆變器中采用安森美的碳化硅（以下簡稱“SiC”）技術(shù)，這是兩家公司戰(zhàn)略合作的一部分。安森美的VE-Trac SiC模塊提高了梅賽德斯-奔馳純電動汽車VISION EQXX主驅(qū)逆變器的能效并減輕了其重量，使電動汽車的續(xù)航里程增加10%。這款電動汽車完成了從德國斯圖加特到英國銀石的1,202公里（747英里）旅程，保持了單次充電后最遠(yuǎn)的行駛距離記錄。
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關(guān)于MOCVD、HTCVD 和 MBE 在內(nèi)的外延設(shè)備發(fā)展?fàn)顟B(tài)，釋放分子束外延的潛力
對更強(qiáng)大和更節(jié)能設(shè)備的空前需求刺激了對砷化鎵、氮化鎵和碳化硅等化合物半導(dǎo)體的需求。這種材料需要通過外延生長的超純薄膜。盡管分子束外延 (MBE) 是三種外延設(shè)備之一，長期以來一直被認(rèn)為是利基市場，但它已準(zhǔn)備好過渡到批量應(yīng)用。
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用于新一代電動汽車的 SiC MOSFET功率器件介紹
電動和混合動力汽車的設(shè)計(jì)人員致力于提高能量轉(zhuǎn)換效率，這些設(shè)備配備了緊湊型封裝和高熱可靠性電力電子模塊組裝，并降低了開關(guān)損耗。
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東芝在進(jìn)博會展出12英寸硅晶圓和6英寸碳化硅晶圓產(chǎn)品
東芝將攜全球尖端科技和解決方案，連續(xù)第五年亮相中國國際進(jìn)口博覽會。今年將展出12英寸（300mm）硅晶圓、6英寸（150mm）碳化硅晶圓產(chǎn)品，以及能夠?yàn)樾履茉窗l(fā)電、柔性直流輸配電和儲能提供最佳解決方案的多元化產(chǎn)品。其中，憑借著高可靠性、高效率和小尺寸等特點(diǎn)，東芝大功率器件IEGT...
