SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)起飛 電動(dòng)車(chē)為主要驅(qū)動(dòng)力

在全球倡導(dǎo)節(jié)能減排、可持續(xù)發(fā)展的大背景下，新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，而其中電動(dòng)車(chē)的崛起尤為引人注目。電動(dòng)車(chē)的快速普及，正成為 SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)騰飛的核心驅(qū)動(dòng)力。SiC 功率半導(dǎo)體憑借其卓越的性能優(yōu)勢(shì)，在電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力，推動(dòng)著整個(gè)市場(chǎng)規(guī)模的迅速擴(kuò)張。

碳化硅 SiC、氮化鎵 GaN 器件的介紹及未來(lái)市場(chǎng)

在半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)迭代的進(jìn)程中，碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)器件作為第三代半導(dǎo)體的杰出代表，憑借其卓越的性能優(yōu)勢(shì)，正逐步改寫(xiě)著電子產(chǎn)業(yè)的格局，成為推動(dòng)眾多領(lǐng)域變革的關(guān)鍵力量。深入了解這兩種器件的特性、應(yīng)用現(xiàn)狀以及未來(lái)市場(chǎng)走向，對(duì)于把握半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展脈搏意義重大。

SiC 在電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中的趨勢(shì)

在全球倡導(dǎo)環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展的大背景下，電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，成為汽車(chē)行業(yè)變革的重要驅(qū)動(dòng)力。而在電動(dòng)汽車(chē)技術(shù)不斷革新的進(jìn)程中，碳化硅(SiC)作為一種極具潛力的寬禁帶半導(dǎo)體材料，正逐漸嶄露頭角，其在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用趨勢(shì)備受矚目。

蔚華科與恩艾（艾默生/NI）擴(kuò)大結(jié)盟合作 共建亞太區(qū)首座功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)可靠度驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室

新竹2025年1月14日 /美通社/ -- 半導(dǎo)體封裝測(cè)試解決方案專(zhuān)業(yè)品牌蔚華科技（TWSE: 3055）與經(jīng)銷(xiāo)合作伙伴恩艾（艾默生/NI）宣布將共同建置亞太區(qū)首座功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)可靠度驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室，瞄準(zhǔn)亞太地區(qū)功率半導(dǎo)體芯片在車(chē)規(guī)驗(yàn)證的需求，為亞太地區(qū)半導(dǎo)體制造業(yè)客戶(hù)就近提供驗(yàn)證服...

深化綠色承諾，ST與彭水共繪可持續(xù)發(fā)展新篇章

作為全球最早承諾實(shí)現(xiàn)碳中和的半導(dǎo)體企業(yè)之一，意法半導(dǎo)體將可持續(xù)發(fā)展視為釋放企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的重要手段。通過(guò)研發(fā)碳化硅等綠色技術(shù)和產(chǎn)品，堅(jiān)持可持續(xù)發(fā)展的方式，打造為利益相關(guān)者創(chuàng)造長(zhǎng)遠(yuǎn)價(jià)值的可持續(xù)企業(yè)，助力全球綠色生產(chǎn)力的蓬勃發(fā)展。

電裝與富士電機(jī)聯(lián)手強(qiáng)化半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，助推碳化硅技術(shù)發(fā)展

近日，株式會(huì)社電裝（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“電裝”）與富士電機(jī)株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“富士電機(jī)”）共同推出的“半導(dǎo)體供應(yīng)保障計(jì)劃”獲得批準(zhǔn)并正式啟動(dòng)。該計(jì)劃總投資規(guī)模達(dá)2,116億日元，其中包含705億日元的專(zhuān)項(xiàng)補(bǔ)助，旨在通過(guò)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的技術(shù)升級(jí)和生產(chǎn)能力提升，進(jìn)一步加強(qiáng)供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，以更好地滿足市場(chǎng)需求。

全方位剖析：英飛凌如何領(lǐng)跑“低碳轉(zhuǎn)型”綠色賽道？

作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商，英飛凌憑借多年積累的豐富半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝技術(shù)，先后推出了一系列基于碳化硅（SiC）的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案，特別是今年全新推出的CoolSiC? MOSFET Generation 2（G2）技術(shù)和XHP? 2 CoolSiC? MOSFET半橋模塊，更是將碳化硅的性能優(yōu)勢(shì)發(fā)揮到極致，進(jìn)一步推動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域的低碳化進(jìn)程。

英飛凌：30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴

2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來(lái)最熱的一年，颶風(fēng)、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴(yán)重。在此背景下，推動(dòng)社會(huì)的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識(shí)。在經(jīng)濟(jì)社會(huì)踏“綠”前行的過(guò)程中，第三代半導(dǎo)體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場(chǎng)與價(jià)格戰(zhàn)的矛盾，除了當(dāng)下熱門(mén)的新能源汽車(chē)應(yīng)用，如何在工業(yè)儲(chǔ)能等其他應(yīng)用市場(chǎng)多點(diǎn)開(kāi)花?在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會(huì)上，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)高管團(tuán)隊(duì)從業(yè)務(wù)策略、商業(yè)模式到產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)等多個(gè)維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域30年的深耕積累和差異化優(yōu)勢(shì)，系統(tǒng)闡釋了如何做“能源全鏈條的關(guān)鍵賦能者” 。

英飛凌：30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴

在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會(huì)上，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)高管團(tuán)隊(duì)從業(yè)務(wù)策略、商業(yè)模式到產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)等多個(gè)維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域30年的深耕積累和差異化優(yōu)勢(shì)，系統(tǒng)闡釋了如何做“能源全鏈條的關(guān)鍵賦能者”。

Bourns 全新推出符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)車(chē)規(guī)級(jí)高隔離反激式變壓器系列

全新變壓器在緊湊組件尺寸中實(shí)現(xiàn)卓越的隔離和電氣間隙/爬電距離

負(fù)債超5億元，又一國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)破產(chǎn)！

根據(jù)全國(guó)企業(yè)破產(chǎn)重整案件信息網(wǎng)顯示，北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司近日新增一則“破產(chǎn)清算”信息。

Power Integrations面向800V汽車(chē)應(yīng)用推出新型寬爬電距離開(kāi)關(guān)IC

1700V InnoSwitch?3-AQ反激式開(kāi)關(guān)符合IEC 60664-1絕緣標(biāo)準(zhǔn)

雷諾旗下安培與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，合作開(kāi)發(fā)電動(dòng)汽車(chē)電源控制系統(tǒng)

2024年12月5日，中國(guó) – 雷諾集團(tuán)旗下純智能電動(dòng)汽車(chē)制造公司安培 (Ampere) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM) 今天宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動(dòng)，雷諾集團(tuán)與意法半導(dǎo)體簽署了一份從 2026 年開(kāi)始為安培長(zhǎng)期供應(yīng)碳化硅 (SiC) 功率模塊的供貨協(xié)議，該協(xié)議是雷諾集團(tuán)與意法半導(dǎo)體為安培超高效電動(dòng)汽車(chē)逆變器開(kāi)發(fā)電源控制系統(tǒng) (powerbox) 的合作計(jì)劃的一部分。功率模塊是電源控制系統(tǒng)的關(guān)鍵元件，安培和意法半導(dǎo)體合作優(yōu)化功率模塊，確保電驅(qū)系統(tǒng)具有很強(qiáng)的性能和競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)充分發(fā)揮安培在電動(dòng)汽車(chē)技術(shù)方面的特長(zhǎng)和意法半導(dǎo)體在先進(jìn)功率元器件研制領(lǐng)域的獨(dú)到之處。

唯樣 x 瞻芯電子強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，助力SiC功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化替代

法雷奧與羅姆聯(lián)合開(kāi)發(fā)新一代功率電子領(lǐng)域

業(yè)界先進(jìn)的汽車(chē)零部件制造商Valeo Group（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“法雷奧”）與全球知名半導(dǎo)體及電子元器件制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”）將通過(guò)結(jié)合雙方在功率電子領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)知識(shí)和技術(shù)優(yōu)勢(shì)，聯(lián)合開(kāi)發(fā)面向牽引逆變器的新一代功率模塊。作為雙方合作的第一步，羅姆將為法雷奧的新一代動(dòng)力總成解決方案提供碳化硅（SiC）塑封型模塊“TRCDRIVE pack?”。

資本加速涌入!GaN和SiC時(shí)代即將到來(lái)

隨著全球科技產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料作為信息技術(shù)的基石，正經(jīng)歷著前所未有的變革。其中，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，正憑借其出色的性能吸引著大量資本的涌入。這標(biāo)志著GaN和SiC時(shí)代即將到來(lái)，將為電子、通信、能源等多個(gè)領(lǐng)域帶來(lái)革命性的變化。

第三代半導(dǎo)體火爆下的爛尾隱憂及國(guó)內(nèi)外技術(shù)差距的認(rèn)知偏差

近年來(lái)，第三代半導(dǎo)體因其優(yōu)異的物理特性和廣泛的應(yīng)用前景，迅速成為全球科技產(chǎn)業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。這類(lèi)半導(dǎo)體材料，主要包括氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)和氧化鋅(ZnO)，在電力電子、光電子和無(wú)線射頻等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的潛力。尤其是在新能源汽車(chē)、5G通訊、光伏發(fā)電等領(lǐng)域，第三代半導(dǎo)體正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體，成為新一代的技術(shù)核心。然而，在這一片火熱的背后，隱藏著諸多爛尾項(xiàng)目的隱憂以及國(guó)內(nèi)外技術(shù)差距的認(rèn)知偏差。

化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)：策略與實(shí)踐

第三代半導(dǎo)體，以其獨(dú)特的寬禁帶特性，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，在功率電子、射頻電子和光電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。然而，盡管這些材料在性能上遠(yuǎn)超傳統(tǒng)半導(dǎo)體，其廣泛應(yīng)用仍面臨諸多挑戰(zhàn)和痛點(diǎn)。

碳化硅功率器件上下游產(chǎn)業(yè)鏈：襯底和外延的重要性

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展中，碳化硅(SiC)作為一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，正逐步成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的重要發(fā)展方向。碳化硅功率器件以其耐高溫、耐高壓、高頻、大功率和低能耗等優(yōu)良特性，在新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。而碳化硅功率器件的上下游產(chǎn)業(yè)鏈中，襯底和外延作為關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)于器件的性能和成本具有至關(guān)重要的影響。

克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來(lái)電力電子應(yīng)用

幾十年來(lái)，硅(Si)一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件，無(wú)處不在。然而，隨著汽車(chē)和可再生能源等領(lǐng)域?qū)ΜF(xiàn)代電力需求應(yīng)用的發(fā)展，硅的局限性變得越來(lái)越明顯。