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簡化 SiC MOSFET 高效 AC/DC 轉換器設計的關鍵路徑與實踐
在新能源發(fā)電、電動汽車充電樁、工業(yè)電源等領域，對 AC/DC 轉換器的效率、功率密度和可靠性要求持續(xù)提升，碳化硅(SiC)MOSFET 憑借高頻、高效、耐高溫的特性，逐漸取代傳統(tǒng)硅基器件成為核心選擇。然而，SiC MOSFET 的高速開關特性、特殊驅動需求及寄生參數敏感性，給設計帶來諸多挑戰(zhàn)。本文從工程化設計角度出發(fā)，梳理簡化 SiC MOSFET AC/DC 轉換器設計的關鍵技術，幫助工程師降低開發(fā)難度、縮短研發(fā)周期。
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"碳"索未來，"芯"動無限 三安精彩亮相PCIM Asia
上海2025年9月26日 /美通社/ -- 9月24日至26日，作為化合物半導體行業(yè)的先進企業(yè)，三安精彩亮相電力電子盛會PCIM Asia上海展。在N5館-B50展臺，三安集中展示了涵蓋碳化硅全產業(yè)鏈的核心產品與解決方案，包括SiC MOSFET/SBD、襯底、外延片、車規(guī)級模塊...
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Wolfspeed 順利完成財務重組，增強財務實力，在碳化硅市場占據有利地位
以嶄新活力和對創(chuàng)新及研發(fā)的深化承諾開啟新紀元，增長計劃將充分發(fā)揮已部署的 200 mm 產能優(yōu)勢，該產能將通過自由現(xiàn)金流生成能力實現(xiàn)資金自籌。
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SiC MOSFET 賦能：高效 AC/DC 轉換器設計的簡化之道
在電力電子領域，AC/DC 轉換器作為能源變換的核心設備，其效率與設計復雜度始終是工程師關注的焦點。隨著寬禁帶半導體技術的突破，碳化硅(SiC)MOSFET 憑借優(yōu)異的電學特性，正逐步取代傳統(tǒng)硅基器件，成為高效 AC/DC 轉換器設計的優(yōu)選方案。與硅(Si)IGBT、MOSFET 相比，采用 SiC MOSFET 的 AC/DC 轉換器不僅能實現(xiàn)更高的能量轉換效率，更在設計流程中展現(xiàn)出顯著的簡化優(yōu)勢，從器件選型、拓撲架構到熱管理設計，全方位降低了工程師的開發(fā)難度與成本。
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寬帶隙器件簡介
寬帶隙(WBG)半導體器件主要指基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料的器件。相較于傳統(tǒng)的硅(Si)基器件，它們具有諸多卓越的性能。例如，寬帶隙器件擁有更高的擊穿電場強度，能夠承受更高的電壓;具備高電子遷移率，這使得電子在材料中移動速度更快，大大提高了器件的開關速度和效率;同時，它們還具有低導通電阻以及較高的熱導率，有助于降低器件工作時的發(fā)熱問題，提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
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為什么碳化硅 MOSFET 特別需要米勒鉗位?
在現(xiàn)代電力電子領域，碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能，如高開關速度、低導通電阻、高耐壓能力等，正逐漸成為眾多應用的首選功率器件。然而，正是由于這些獨特的性能特點，使得碳化硅 MOSFET 在實際應用中面臨著一些特殊的挑戰(zhàn)，其中米勒效應帶來的影響尤為突出，這也使得米勒鉗位對于碳化硅 MOSFET 顯得特別重要。
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MPS ACDC 創(chuàng)新電源解決方案 高效驅動低碳化、小型化、智能化三重變革
9月16日，MPS ACDC新品發(fā)布會在北京成功舉辦。MPS ACDC 產品總監(jiān)Peter Huang為大家分享了MPS ACDC產品的市場優(yōu)勢及其最新技術進展，同時揭曉了MPS在當今熱門的手機、筆記本電腦等便攜式設備PD快充，電視LED顯示屏電源，氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）功率器件，電動汽車充電，AI服務器供電等領域的先進技術、最新產品以及完整解決方案。
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工業(yè)充電器拓撲結構選型基礎知識：優(yōu)化拓撲結構與元器件選型
碳化硅（SiC）功率開關器件正成為工業(yè)電池領域一種廣受歡迎的選擇，因其能夠實現(xiàn)更快的開關速度和更優(yōu)異的低損耗工作，從而在不妥協(xié)性能的前提下提高功率密度。此外，SiC還支持 IGBT技術無法實現(xiàn)的新型功率因數拓撲結構。本文將介紹優(yōu)化拓撲結構與元器件選型。
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SiC 電源解決方案：工業(yè)設備輔助電源驅動的革新力量
在當今工業(yè)領域，隨著設備智能化、高效化發(fā)展，對輔助電源的性能要求日益嚴苛。傳統(tǒng)輔助電源在面對高電壓、高功率密度以及節(jié)能需求時逐漸力不從心，而碳化硅(SiC)技術的興起，為工業(yè)設備輔助電源驅動提供了創(chuàng)新且高效的解決方案。
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工業(yè)充電器拓撲結構選型基礎知識：隔離式DC-DC功率級的選擇
碳化硅（SiC）功率開關器件正成為工業(yè)電池領域一種廣受歡迎的選擇，因其能夠實現(xiàn)更快的開關速度和更優(yōu)異的低損耗工作，從而在不妥協(xié)性能的前提下提高功率密度。此外，SiC還支持 IGBT技術無法實現(xiàn)的新型功率因數拓撲結構。本文將介紹隔離式DC-DC功率級選擇。
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碳化硅（SiC）MOSFET的直流EMI特征，體二極管反向恢復與開關振鈴的協(xié)同抑制
在數據中心直流供電系統(tǒng)向高密度、高頻化演進的進程中，碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低導通電阻、高頻開關特性及高溫穩(wěn)定性，成為替代傳統(tǒng)硅基IGBT和MOSFET的核心器件。然而，其高速開關過程中產生的直流電磁干擾(EMI)、體二極管反向恢復電流及開關振鈴現(xiàn)象，正成為制約系統(tǒng)可靠性的關鍵瓶頸。本文從器件物理機制出發(fā)，結合工程實踐，系統(tǒng)分析SiC MOSFET的直流EMI特征，并提出體二極管反向恢復與開關振鈴的協(xié)同抑制策略。
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工業(yè)設備輔助電源驅動用 SiC 電源解決方案
在當今工業(yè)領域，隨著設備智能化、高效化發(fā)展，對輔助電源的性能要求日益嚴苛。傳統(tǒng)輔助電源在面對高電壓、高功率密度以及節(jié)能需求時逐漸力不從心，而碳化硅(SiC)技術的興起，為工業(yè)設備輔助電源驅動提供了創(chuàng)新且高效的解決方案。
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Microchip與臺達電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來
協(xié)議旨在整合利用Microchip mSiC?技術與臺達智能節(jié)能解決方案，加速可持續(xù)應用開發(fā)
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SiC Combo JFET技術概覽與特性
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態(tài)斷路器和大電流開關系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現(xiàn)更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負載的應用場景。
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安森美AI數據中心系統(tǒng)方案指南上線
全面支持助力能耗優(yōu)化與綠色轉型
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Wolfspeed 正以積極舉措夯實財務基礎，為規(guī)?；鲩L鋪路
主要債權人大力支持Wolfspeed所提議的預打包重組計劃。2025 財年第 3 季度公司現(xiàn)金儲備約 13 億美元，可為客戶和供應商支付提供充足短期流動性支持。
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碳化硅：推動車載充電技術隨電壓等級的飛躍
在全球倡導綠色出行與可持續(xù)發(fā)展的大背景下，電動汽車(EV)產業(yè)蓬勃發(fā)展，成為汽車行業(yè)轉型升級的重要方向。隨著電動汽車市場的迅速擴張，消費者對其性能的要求也日益提高，其中充電速度和續(xù)航里程成為關注焦點。為了滿足這些需求，汽車制造商不斷探索新技術，碳化硅(SiC)材料及其相關功率器件應運而生，并在推動車載充電技術隨電壓等級提高方面發(fā)揮著關鍵作用。
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意法半導體宣布擴大在新加坡的“Lab-in-Fab”廠內實驗室合作項目，推進壓電MEMS技術的開發(fā)應用
2025年5月29日，中國--服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)日前宣布與新加坡科技研究局微電子研究所 (A*STAR IME) 和愛發(fā)科 (ULVAC) 合作，共同拓展意法半導體在新加坡的“廠內實驗室”(LiF)合作項目。新一期項目包括與新加坡科技研究局材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡國立大學 (NUS)的合作項目。
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英飛凌攜手優(yōu)優(yōu)綠能，助力電能轉換效率新突破
【2025年5月20日, 中國上海訊】在全國兩會聚焦新能源汽車充換電基礎設施升級、力推超充網絡擴建、高速充電走廊建設及換電模式普及的背景下，充換電行業(yè)正迎來高質量發(fā)展的關鍵期。近日，英飛凌科技宣布與深圳優(yōu)優(yōu)綠能股份有限公司深化合作，通過提供英飛凌先進的CoolMOS?和TRENCHSTOP? IGBT， CoolSiC? MOSFET和EiceDRIVER?驅動器等全套功率半導體解決方案，全面賦能優(yōu)優(yōu)綠能新一代40kW液冷充電模塊及V2G車網互動解決方案的技術升級，顯著提升充換電設備的電能轉換效率與穩(wěn)定性，為充電行業(yè)的高質量發(fā)展注入新動能。
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確?？煽啃裕禾蓟璁a品上市前的開發(fā)與制造
從 MOSFET、二極管到功率模塊，功率半導體產品是生活中無數電子設備的核心。從醫(yī)療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產品和電動汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續(xù)運行。第三代寬禁帶(WBG)解決方案是半導體技術的前沿，如使用碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)的硅(Si)晶體管相比，SiC 的優(yōu)異物理特性使基于 SiC 的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內顯著減少損耗并加快開關速度。
