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意法半導(dǎo)體宣布擴大在新加坡的“Lab-in-Fab”廠內(nèi)實驗室合作項目，推進(jìn)壓電MEMS技術(shù)的開發(fā)應(yīng)用
2025年5月29日，中國--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)日前宣布與新加坡科技研究局微電子研究所 (A*STAR IME) 和愛發(fā)科 (ULVAC) 合作，共同拓展意法半導(dǎo)體在新加坡的“廠內(nèi)實驗室”(LiF)合作項目。新一期項目包括與新加坡科技研究局材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡國立大學(xué) (NUS)的合作項目。
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英飛凌攜手優(yōu)優(yōu)綠能，助力電能轉(zhuǎn)換效率新突破
【2025年5月20日, 中國上海訊】在全國兩會聚焦新能源汽車充換電基礎(chǔ)設(shè)施升級、力推超充網(wǎng)絡(luò)擴建、高速充電走廊建設(shè)及換電模式普及的背景下，充換電行業(yè)正迎來高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵期。近日，英飛凌科技宣布與深圳優(yōu)優(yōu)綠能股份有限公司深化合作，通過提供英飛凌先進(jìn)的CoolMOS?和TRENCHSTOP? IGBT， CoolSiC? MOSFET和EiceDRIVER?驅(qū)動器等全套功率半導(dǎo)體解決方案，全面賦能優(yōu)優(yōu)綠能新一代40kW液冷充電模塊及V2G車網(wǎng)互動解決方案的技術(shù)升級，顯著提升充換電設(shè)備的電能轉(zhuǎn)換效率與穩(wěn)定性，為充電行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展注入新動能。
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確?？煽啃裕禾蓟璁a(chǎn)品上市前的開發(fā)與制造
從 MOSFET、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運行。第三代寬禁帶(WBG)解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)的硅(Si)晶體管相比，SiC 的優(yōu)異物理特性使基于 SiC 的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內(nèi)顯著減少損耗并加快開關(guān)速度。
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確?？煽啃裕?碳化硅產(chǎn)品上市前的開發(fā)與制造
從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。 從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運行。
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英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù)，實現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電
【2025年5月6日, 德國慕尼黑訊】為推動下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導(dǎo)通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，使其成為先進(jìn)固態(tài)保護(hù)與配電系統(tǒng)的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性以及精確的過壓控制，CoolSiC? JFET可在各種工業(yè)和汽車應(yīng)用中實現(xiàn)可靠且高效的系統(tǒng)性能，包括固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數(shù)據(jù)中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動器、工業(yè)安全繼電器以及汽車電池隔離開關(guān)等。
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車載碳化硅技術(shù)：國產(chǎn)替代進(jìn)行時
在新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，車載碳化硅技術(shù)正逐漸嶄露頭角，成為行業(yè)關(guān)注的焦點。作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，碳化硅憑借其卓越的性能，為新能源汽車的發(fā)展注入了新的活力。近年來，隨著國內(nèi)企業(yè)在技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用方面的不斷突破，車載碳化硅技術(shù)的國產(chǎn)替代進(jìn)程正在加速推進(jìn)。
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安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本
安森美 EliteSiC SPM 31 智能功率模塊 (IPM) 有助于實現(xiàn)能效和性能領(lǐng)先行業(yè)的更緊湊變頻電機驅(qū)動
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英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝，在提升效率的同時簡化設(shè)計
【2025年3月14日, 德國慕尼黑訊】目前，許多工業(yè)應(yīng)用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展，實現(xiàn)這一目標(biāo)的方法之一是提高直流母線電壓。針對這一市場趨勢，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于 2024年9月推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5產(chǎn)品系列，這是首款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅二極管分立器件。該產(chǎn)品系列目前擴展到TO-247-2封裝，其引腳可與現(xiàn)有的大多數(shù)TO-247-2封裝兼容。該產(chǎn)品系列非常適合最高直流母線電壓為1500 VDC的應(yīng)用，是太陽能和電動汽車充電樁的理想之選。
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在汽車應(yīng)用中使用 SiC 牽引技術(shù)逆變器
在汽車行業(yè)邁向電氣化的進(jìn)程中，功率半導(dǎo)體技術(shù)的革新成為推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。以碳化硅(SiC)為核心的功率半導(dǎo)體，憑借其卓越的性能，在汽車電氣化浪潮中嶄露頭角，而 SiC 牽引技術(shù)逆變器更是成為了這一領(lǐng)域的焦點。
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為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。
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SiC 功率半導(dǎo)體市場起飛 電動車為主要驅(qū)動力
在全球倡導(dǎo)節(jié)能減排、可持續(xù)發(fā)展的大背景下，新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，而其中電動車的崛起尤為引人注目。電動車的快速普及，正成為 SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體市場騰飛的核心驅(qū)動力。SiC 功率半導(dǎo)體憑借其卓越的性能優(yōu)勢，在電動車領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力，推動著整個市場規(guī)模的迅速擴張。
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碳化硅 SiC、氮化鎵 GaN 器件的介紹及未來市場
在半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)迭代的進(jìn)程中，碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)器件作為第三代半導(dǎo)體的杰出代表，憑借其卓越的性能優(yōu)勢，正逐步改寫著電子產(chǎn)業(yè)的格局，成為推動眾多領(lǐng)域變革的關(guān)鍵力量。深入了解這兩種器件的特性、應(yīng)用現(xiàn)狀以及未來市場走向，對于把握半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展脈搏意義重大。
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SiC 在電動汽車應(yīng)用中的趨勢
在全球倡導(dǎo)環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展的大背景下，電動汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，成為汽車行業(yè)變革的重要驅(qū)動力。而在電動汽車技術(shù)不斷革新的進(jìn)程中，碳化硅(SiC)作為一種極具潛力的寬禁帶半導(dǎo)體材料，正逐漸嶄露頭角，其在電動汽車領(lǐng)域的應(yīng)用趨勢備受矚目。
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蔚華科與恩艾（艾默生/NI）擴大結(jié)盟合作 共建亞太區(qū)首座功率半導(dǎo)體動態(tài)可靠度驗證實驗室
新竹2025年1月14日 /美通社/ -- 半導(dǎo)體封裝測試解決方案專業(yè)品牌蔚華科技（TWSE: 3055）與經(jīng)銷合作伙伴恩艾（艾默生/NI）宣布將共同建置亞太區(qū)首座功率半導(dǎo)體動態(tài)可靠度驗證實驗室，瞄準(zhǔn)亞太地區(qū)功率半導(dǎo)體芯片在車規(guī)驗證的需求，為亞太地區(qū)半導(dǎo)體制造業(yè)客戶就近提供驗證服...
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深化綠色承諾，ST與彭水共繪可持續(xù)發(fā)展新篇章
作為全球最早承諾實現(xiàn)碳中和的半導(dǎo)體企業(yè)之一，意法半導(dǎo)體將可持續(xù)發(fā)展視為釋放企業(yè)競爭力，推動產(chǎn)業(yè)增長的重要手段。通過研發(fā)碳化硅等綠色技術(shù)和產(chǎn)品，堅持可持續(xù)發(fā)展的方式，打造為利益相關(guān)者創(chuàng)造長遠(yuǎn)價值的可持續(xù)企業(yè)，助力全球綠色生產(chǎn)力的蓬勃發(fā)展。
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電裝與富士電機聯(lián)手強化半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，助推碳化硅技術(shù)發(fā)展
近日，株式會社電裝（以下簡稱“電裝”）與富士電機株式會社（以下簡稱“富士電機”）共同推出的“半導(dǎo)體供應(yīng)保障計劃”獲得批準(zhǔn)并正式啟動。該計劃總投資規(guī)模達(dá)2,116億日元，其中包含705億日元的專項補助，旨在通過碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的技術(shù)升級和生產(chǎn)能力提升，進(jìn)一步加強供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，以更好地滿足市場需求。
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全方位剖析：英飛凌如何領(lǐng)跑“低碳轉(zhuǎn)型”綠色賽道？
作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商，英飛凌憑借多年積累的豐富半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝技術(shù)，先后推出了一系列基于碳化硅（SiC）的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案，特別是今年全新推出的CoolSiC? MOSFET Generation 2（G2）技術(shù)和XHP? 2 CoolSiC? MOSFET半橋模塊，更是將碳化硅的性能優(yōu)勢發(fā)揮到極致，進(jìn)一步推動了整個半導(dǎo)體領(lǐng)域的低碳化進(jìn)程。
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英飛凌：30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴
2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風(fēng)、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴(yán)重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經(jīng)濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導(dǎo)體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當(dāng)下熱門的新能源汽車應(yīng)用，如何在工業(yè)儲能等其他應(yīng)用市場多點開花?在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)高管團(tuán)隊從業(yè)務(wù)策略、商業(yè)模式到產(chǎn)品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域30年的深耕積累和差異化優(yōu)勢，系統(tǒng)闡釋了如何做“能源全鏈條的關(guān)鍵賦能者” 。
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英飛凌：30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴
在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)高管團(tuán)隊從業(yè)務(wù)策略、商業(yè)模式到產(chǎn)品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域30年的深耕積累和差異化優(yōu)勢，系統(tǒng)闡釋了如何做“能源全鏈條的關(guān)鍵賦能者”。
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Bourns 全新推出符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級高隔離反激式變壓器系列
全新變壓器在緊湊組件尺寸中實現(xiàn)卓越的隔離和電氣間隙/爬電距離
