當(dāng)下消費(fèi)電子領(lǐng)域正在遭受了行業(yè)凜冬，波及到了半導(dǎo)體上下游的各大廠(chǎng)商。然而對(duì)以工業(yè)和汽車(chē)電子作為主要業(yè)務(wù)模塊的芯片廠(chǎng)商而言，仍取得了非常不錯(cuò)的成績(jī)，并且有著繼續(xù)增長(zhǎng)的前景預(yù)期。這是因?yàn)槠?chē)電子的需求仍增長(zhǎng)旺盛，而工業(yè)又是高附加值的穩(wěn)定賽道，因此受到全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境的影響較小。ROHM就是在這樣的下行周期中仍保持高速增長(zhǎng)的芯片廠(chǎng)商之一，整個(gè)集團(tuán)2022年上半財(cái)年銷(xiāo)售額約和130億人民幣左右，全年預(yù)計(jì)銷(xiāo)售額250～260億人民幣左右。

ROHM增長(zhǎng)的信心來(lái)自對(duì)于汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)預(yù)期，而這兩個(gè)市場(chǎng)中有一個(gè)核心的產(chǎn)品就是碳化硅（SiC）。ROHM在2022年進(jìn)行了相應(yīng)的設(shè)備投資計(jì)劃。羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司技術(shù)中心副總經(jīng)理周勁先生表示，“為了應(yīng)對(duì)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，羅姆正在積極地進(jìn)行碳化硅方面的投資，預(yù)計(jì)是在2021-2025這五年投入1700-2200億日元?！?

近日ROHM專(zhuān)門(mén)召開(kāi)了記者會(huì)，分享了其第四代SiC MOSFET的產(chǎn)品動(dòng)態(tài)，并透露了其未來(lái)產(chǎn)品規(guī)劃。

第四代SiC MOSFET：實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超小的RonA

在SiC領(lǐng)域，ROHM有著20年多年歷史。2000年ROHM開(kāi)始研發(fā)碳化硅產(chǎn)品，2012年全球率先推出了車(chē)規(guī)級(jí)SiC SBD，2018年全球率先實(shí)現(xiàn)了車(chē)規(guī)級(jí)SiC溝槽MOSFET的量產(chǎn)。在2021年，ROHM發(fā)布了第4代的溝槽SiC MOSFET，并將在2023年實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅襯底的量產(chǎn)，之后陸續(xù)還會(huì)推出牽引功率模塊產(chǎn)品。

第四代的SiC，在第三代溝槽SiC的基礎(chǔ)上進(jìn)行了優(yōu)化，具備業(yè)界超小的RonA、低損耗、使用簡(jiǎn)便和高可靠性四大特點(diǎn)。

低導(dǎo)通阻抗和開(kāi)關(guān)特性?xún)?yōu)化

ROHM通過(guò)業(yè)內(nèi)先進(jìn)的低導(dǎo)通電阻技術(shù)，針對(duì)第四代SiC元件的溝槽設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化，使得導(dǎo)通電阻（RonA）相比第三代SiC降低了40%。2025年有望實(shí)現(xiàn)第五代SiC，導(dǎo)通電阻會(huì)進(jìn)一步降低30%；2028年計(jì)劃推出第六代SiC，導(dǎo)通電阻繼續(xù)降低30%。

而且ROHM的第4代SiC MOSFET，在高溫下同樣也能實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超小的RonA。對(duì)比同類(lèi)產(chǎn)品，無(wú)論是常溫、室溫25度還是高溫175度，ROHM第4代SiC MOSFET都有著更出色的RonA表現(xiàn)。

除了RonA外，第4代SiC MOSFET的另一個(gè)進(jìn)化方向是耐壓。據(jù)介紹，第3代產(chǎn)品是650V系列耐壓，到了第4代產(chǎn)品從650V提高到750V。

超小的RonA降低了ON阻抗，相比第三代降低40%的水準(zhǔn)。在同等芯片尺寸來(lái)比較，RonA的改善能夠?qū)崿F(xiàn)40～75%的阻抗減少，讓導(dǎo)通損耗降低。在導(dǎo)通損耗降低的同時(shí)帶來(lái)的另一個(gè)益處是發(fā)熱量的減少，根據(jù)熱探頭實(shí)測(cè)，在某個(gè)實(shí)際應(yīng)用中，第3代的產(chǎn)品達(dá)到了92度，更換為第4代的產(chǎn)品可以降低20多攝氏度，僅為71攝氏度。

導(dǎo)通阻抗的降低也帶來(lái)了開(kāi)關(guān)特性的優(yōu)化，“導(dǎo)通阻抗降低之后，同樣的電流情況下，同樣的導(dǎo)通阻抗情況下，芯片的尺寸會(huì)降低，帶來(lái)的好處是寄生的電容都會(huì)被降低，會(huì)比較容易能夠?qū)崿F(xiàn)高速的開(kāi)關(guān)特性。”

更高速開(kāi)關(guān)也就減少了在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損耗，同等ON阻抗的話(huà)，第四代SiC相比第三代就可以實(shí)現(xiàn)40%的尺寸減少；開(kāi)關(guān)特性的改善，可大幅度改善開(kāi)關(guān)損耗。

在開(kāi)關(guān)特性改善的同時(shí)，ROHM也針對(duì)柵極和源極之間的電容值（Cgd）進(jìn)行了降低，從而減少了MOSFET誤開(kāi)啟的風(fēng)險(xiǎn)。

高速開(kāi)關(guān)特性帶來(lái)的好處不言而喻，一是開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的發(fā)熱量進(jìn)一步降低，開(kāi)發(fā)者可以在電路設(shè)計(jì)中選擇更小尺寸的散熱器，從而降低了整體設(shè)計(jì)的成本、尺寸和重量。

通過(guò)在導(dǎo)通阻抗和開(kāi)關(guān)特性上的優(yōu)化，讓第4代SiC MOSFET在整體上的損耗進(jìn)一步降低。在相同的電路設(shè)計(jì)中，ROHM 第4代SiC可以提供比同類(lèi)產(chǎn)品更高的能量轉(zhuǎn)換效率。

使用簡(jiǎn)便

在使用上，ROHM第4代SiC MOSFET提供了三大便利。首先是驅(qū)動(dòng)電壓的降低。15V跟18V兩種驅(qū)動(dòng)電壓的導(dǎo)通阻抗只有11%的差距，因此在15V的情況下就可以滿(mǎn)足一般狀態(tài)的SiC全負(fù)載驅(qū)動(dòng)。也就是說(shuō)與IGBT等目前廣泛應(yīng)用的柵極驅(qū)動(dòng)電路就可以滿(mǎn)足其驅(qū)動(dòng)要求，從而實(shí)現(xiàn)了客戶(hù)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)化。

第二大使用便利來(lái)自其無(wú)需負(fù)Bias的設(shè)計(jì)。無(wú)需負(fù)壓驅(qū)動(dòng)的特色，可以實(shí)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)化，結(jié)合四通道、六通道或更多驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)，可以大幅簡(jiǎn)化變壓器設(shè)計(jì)，減少體積。

第三個(gè)使用的便利來(lái)自第4代SiC MOFET內(nèi)部柵極電阻的阻值進(jìn)一步降低。內(nèi)部柵極電阻降低，外部柵極電阻的調(diào)整就會(huì)更為靈活；而且同一柵極電阻阻值下，開(kāi)關(guān)損耗也比同類(lèi)產(chǎn)品會(huì)減少。

高可靠性

ROHM第4代SiC MOSFET產(chǎn)品的關(guān)鍵特性之一就是高可靠性。通常來(lái)說(shuō)，標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通阻抗跟短路耐受時(shí)間是互斥的，RonA減小會(huì)導(dǎo)致短路耐受時(shí)間變短。但ROHM通過(guò)獨(dú)特的器件結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了更低的飽和電流值，從而在RonA減小的同時(shí)，也保證了更長(zhǎng)的短路耐受時(shí)間。

垂直整合型SiC生產(chǎn)體系

對(duì)于SiC而言，垂直整合的生產(chǎn)體系可以保證供貨的穩(wěn)定，并實(shí)現(xiàn)可追溯的更高產(chǎn)品質(zhì)量。早在2009年，ROHM就洞察到了SiC市場(chǎng)的先機(jī)，收購(gòu)了SiC晶圓市場(chǎng)份額排名前列的SiCrystal公司，從而獲得了在SiC晶圓供應(yīng)上的穩(wěn)固。

羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司市場(chǎng)宣傳課高級(jí)經(jīng)理張嘉煜先生表示，從原材料到晶圓以及封裝，均在羅姆公司內(nèi)部進(jìn)行，這樣可以保持長(zhǎng)期穩(wěn)定的供貨，同時(shí)也可以做到非常好的追溯性。

面對(duì)未來(lái)快速增長(zhǎng)的SiC市場(chǎng)，ROHM也會(huì)繼續(xù)加大投資，預(yù)計(jì)未來(lái)，2021-2025五年內(nèi)會(huì)投入約1700-2200億日元。

結(jié)語(yǔ)

汽車(chē)電子、工業(yè)是當(dāng)下半導(dǎo)體廠(chǎng)商競(jìng)逐的賽道，而SiC的替換和滲透，是這次汽車(chē)電氣化和雙碳經(jīng)濟(jì)中重要的芯片機(jī)遇。為了抓住這一巨大市場(chǎng)，業(yè)內(nèi)都在積極布局垂直的生產(chǎn)體系。ROHM憑借著前瞻的市場(chǎng)洞察以及SiC 產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，已經(jīng)在市場(chǎng)占據(jù)了先機(jī)。而探索的腳步并不會(huì)停止，據(jù)悉，ROHM第5代的SiC產(chǎn)品已經(jīng)投入研發(fā)，預(yù)計(jì)2025年會(huì)推出相應(yīng)的產(chǎn)品，碳化硅模塊也會(huì)陸續(xù)推出相應(yīng)的產(chǎn)品。