唯樣 x 瞻芯電子強強聯(lián)手，助力SiC功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化替代

法雷奧與羅姆聯(lián)合開發(fā)新一代功率電子領(lǐng)域

業(yè)界先進的汽車零部件制造商Valeo Group（以下簡稱“法雷奧”）與全球知名半導(dǎo)體及電子元器件制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）將通過結(jié)合雙方在功率電子領(lǐng)域的專業(yè)知識和技術(shù)優(yōu)勢，聯(lián)合開發(fā)面向牽引逆變器的新一代功率模塊。作為雙方合作的第一步，羅姆將為法雷奧的新一代動力總成解決方案提供碳化硅（SiC）塑封型模塊“TRCDRIVE pack?”。

資本加速涌入!GaN和SiC時代即將到來

隨著全球科技產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料作為信息技術(shù)的基石，正經(jīng)歷著前所未有的變革。其中，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，正憑借其出色的性能吸引著大量資本的涌入。這標(biāo)志著GaN和SiC時代即將到來，將為電子、通信、能源等多個領(lǐng)域帶來革命性的變化。

第三代半導(dǎo)體火爆下的爛尾隱憂及國內(nèi)外技術(shù)差距的認(rèn)知偏差

近年來，第三代半導(dǎo)體因其優(yōu)異的物理特性和廣泛的應(yīng)用前景，迅速成為全球科技產(chǎn)業(yè)關(guān)注的焦點。這類半導(dǎo)體材料，主要包括氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)和氧化鋅(ZnO)，在電力電子、光電子和無線射頻等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的潛力。尤其是在新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電等領(lǐng)域，第三代半導(dǎo)體正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體，成為新一代的技術(shù)核心。然而，在這一片火熱的背后，隱藏著諸多爛尾項目的隱憂以及國內(nèi)外技術(shù)差距的認(rèn)知偏差。

化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點：策略與實踐

第三代半導(dǎo)體，以其獨特的寬禁帶特性，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，在功率電子、射頻電子和光電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。然而，盡管這些材料在性能上遠超傳統(tǒng)半導(dǎo)體，其廣泛應(yīng)用仍面臨諸多挑戰(zhàn)和痛點。

碳化硅功率器件上下游產(chǎn)業(yè)鏈：襯底和外延的重要性

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展中，碳化硅(SiC)作為一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，正逐步成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的重要發(fā)展方向。碳化硅功率器件以其耐高溫、耐高壓、高頻、大功率和低能耗等優(yōu)良特性，在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。而碳化硅功率器件的上下游產(chǎn)業(yè)鏈中，襯底和外延作為關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對于器件的性能和成本具有至關(guān)重要的影響。

克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應(yīng)用

幾十年來，硅(Si)一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件，無處不在。然而，隨著汽車和可再生能源等領(lǐng)域?qū)ΜF(xiàn)代電力需求應(yīng)用的發(fā)展，硅的局限性變得越來越明顯。

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V，直流母線電壓最高可達1500 VDC， 效率更高，設(shè)計更簡單

【2024年10月23日, 德國慕尼黑訊】如今，許多工業(yè)應(yīng)用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立碳化硅二極管。該產(chǎn)品系列適用于直流鏈路電壓高達1500 VDC的應(yīng)用，額定電流為10 A至80 A，是光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應(yīng)用的完美選擇。

ASM推出全新PE2O8碳化硅外延機臺

全新推出的PE2O8碳化硅外延機臺是對行業(yè)領(lǐng)先的ASM單晶片碳化硅外延機臺產(chǎn)品組合（包含適用于6英寸晶圓的 PE1O6 和適用于8英寸晶圓的 PE1O8）的進一步增強。該機臺采用獨立雙腔設(shè)計，兼容6英寸和8英寸晶圓，可實現(xiàn)增加產(chǎn)量的同時，降低成本。

英飛凌推出HybridPACK? Drive G2 Fusion，將硅和碳化硅結(jié)合到用于電動汽車的先進電源模塊中

【2024年10月15日，德國慕尼黑訊】經(jīng)濟實惠與高性能、高效率相結(jié)合，是電動汽車走向更廣闊市場的關(guān)鍵所在。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出HybridPACK? Drive G2 Fusion，為電動汽車領(lǐng)域的牽引逆變器確立了新的電源模塊標(biāo)準(zhǔn)。HybridPACK? Drive G2 Fusion是首款結(jié)合英飛凌硅（Si）和碳化硅（SiC）技術(shù)的即插即用電源模塊。這一先進解決方案在性能和成本效益之間實現(xiàn)了理想的平衡，為逆變器的優(yōu)化提供了更多選擇。

意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問世：為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制

2024年9月27日，中國– 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導(dǎo)體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計劃在 2027 年前推出更多先進的 SiC 技術(shù)創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。

設(shè)計下一代碳化硅數(shù)據(jù)中心冷卻系統(tǒng)

數(shù)據(jù)中心是數(shù)字世界的支柱,容納了為互聯(lián)網(wǎng)、云計算和其他數(shù)據(jù)驅(qū)動服務(wù)提供動力的大型服務(wù)器。隨著對這些服務(wù)的需求增加,他們消耗的能源也會增加。

意法半導(dǎo)體 X 邁凱倫：超級跑車化身電驅(qū)的狂野巨獸

過去幾十年來，一直都是由內(nèi)燃機為超級跑車提供充沛動力，并搭配精心調(diào)校的底盤，從而打造出獨一無二的駕乘感受。而在電氣化時代，像邁凱倫應(yīng)用技術(shù)公司這樣的企業(yè)都面臨著一個巨大的挑戰(zhàn)，那就是如何利用電氣化技術(shù)制造出一輛血統(tǒng)純正的超級跑車。

英飛凌于馬來西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

馬來西亞總理、吉打州州務(wù)大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項目的生產(chǎn)運營啟動儀式。 新晶圓廠將進一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。 強有力的客戶支持與承諾以及重要的設(shè)計訂單為持續(xù)擴建提供了支撐。 居林晶圓廠100%使用綠電并在運營實踐中采...

英飛凌于馬來西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

?馬來西亞總理、吉打州州務(wù)大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項目的生產(chǎn)運營啟動儀式。 ?新晶圓廠將進一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。 ?強有力的客戶支持與承諾以及重要的設(shè)計訂單為持續(xù)擴建提供了支撐。 ?居林晶圓廠100%使用綠電并在運營實踐中采取先進的節(jié)能和可持續(xù)舉措。

羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。

安森美公布 2024 年第二季度業(yè)績

自由現(xiàn)金流同比增長約 2.5億美元

旭化成微電子和Silicon Austria Labs在車載高壓應(yīng)用中成功驗證eFuse技術(shù)

旭化成微電子株式會社(以下簡稱“旭化成微電子”)和歐洲的電子與軟件系統(tǒng)研究機構(gòu)Silicon Austria Labs GmbH(以下簡稱“SAL”)聯(lián)手，在使用碳化硅(SiC)功率器件的高壓應(yīng)用中，成功驗證了電子保險絲(eFuse)技術(shù)。獲得的驗證結(jié)果顯示，該eFuse技術(shù)有望大幅提升車載充電器(On Board Charger：OBC)等的系統(tǒng)安全性，可減少元件數(shù)量并降低維護成本。

安森美將為大眾汽車集團的下一代電動汽車提供電源技術(shù)

安森美憑借其最新一代EliteSiC M3e平臺，成為全優(yōu)化電源系統(tǒng)解決方案的主要供應(yīng)商

碳化硅雙脈沖測試中正向干擾、負向干擾你知道嗎？

以下內(nèi)容中，小編將對碳化硅的相關(guān)內(nèi)容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對碳化硅的了解，和小編一起來看看吧。