【2024年10月23日, 德國慕尼黑訊】如今,許多工業(yè)應用可以通過提高直流母線電壓,在力求功率損耗最低的同時,向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5,這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立碳化硅二極管。該產品系列適用于直流鏈路電壓高達1500 VDC的應用,額定電流為10 A至80 A,是光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用的完美選擇。
全新推出的PE2O8碳化硅外延機臺是對行業(yè)領先的ASM單晶片碳化硅外延機臺產品組合(包含適用于6英寸晶圓的 PE1O6 和適用于8英寸晶圓的 PE1O8)的進一步增強。該機臺采用獨立雙腔設計,兼容6英寸和8英寸晶圓,可實現(xiàn)增加產量的同時,降低成本。
【2024年10月15日,德國慕尼黑訊】經濟實惠與高性能、高效率相結合,是電動汽車走向更廣闊市場的關鍵所在。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出HybridPACK? Drive G2 Fusion,為電動汽車領域的牽引逆變器確立了新的電源模塊標準。HybridPACK? Drive G2 Fusion是首款結合英飛凌硅(Si)和碳化硅(SiC)技術的即插即用電源模塊。這一先進解決方案在性能和成本效益之間實現(xiàn)了理想的平衡,為逆變器的優(yōu)化提供了更多選擇。
2024年9月27日,中國– 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時,意法半導體還針對電動汽車電驅系統(tǒng)的關鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術。公司計劃在 2027 年前推出更多先進的 SiC 技術創(chuàng)新成果,履行創(chuàng)新承諾。
數(shù)據(jù)中心是數(shù)字世界的支柱,容納了為互聯(lián)網(wǎng)、云計算和其他數(shù)據(jù)驅動服務提供動力的大型服務器。隨著對這些服務的需求增加,他們消耗的能源也會增加。
過去幾十年來,一直都是由內燃機為超級跑車提供充沛動力,并搭配精心調校的底盤,從而打造出獨一無二的駕乘感受。而在電氣化時代,像邁凱倫應用技術公司這樣的企業(yè)都面臨著一個巨大的挑戰(zhàn),那就是如何利用電氣化技術制造出一輛血統(tǒng)純正的超級跑車。
馬來西亞總理、吉打州州務大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項目的生產運營啟動儀式。 新晶圓廠將進一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導體市場的領導地位。 強有力的客戶支持與承諾以及重要的設計訂單為持續(xù)擴建提供了支撐。 居林晶圓廠100%使用綠電并在運營實踐中采...
?馬來西亞總理、吉打州州務大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項目的生產運營啟動儀式。 ?新晶圓廠將進一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導體市場的領導地位。 ?強有力的客戶支持與承諾以及重要的設計訂單為持續(xù)擴建提供了支撐。 ?居林晶圓廠100%使用綠電并在運營實踐中采取先進的節(jié)能和可持續(xù)舉措。
全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)將于8月28日~30日參加在深圳國際會展中心(寶安新館)舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(以下簡稱PCIM Asia)(展位號:11號館D14)。屆時,將聚焦碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體,展示其面向工業(yè)設備和汽車領域的豐富產品陣容及解決方案。同時,羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的功率電子技術成果。
自由現(xiàn)金流同比增長約 2.5億美元
旭化成微電子株式會社(以下簡稱“旭化成微電子”)和歐洲的電子與軟件系統(tǒng)研究機構Silicon Austria Labs GmbH(以下簡稱“SAL”)聯(lián)手,在使用碳化硅(SiC)功率器件的高壓應用中,成功驗證了電子保險絲(eFuse)技術。獲得的驗證結果顯示,該eFuse技術有望大幅提升車載充電器(On Board Charger:OBC)等的系統(tǒng)安全性,可減少元件數(shù)量并降低維護成本。
安森美憑借其最新一代EliteSiC M3e平臺,成為全優(yōu)化電源系統(tǒng)解決方案的主要供應商
以下內容中,小編將對碳化硅的相關內容進行著重介紹和闡述,希望本文能幫您增進對碳化硅的了解,和小編一起來看看吧。
推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET,顯著提升高耗電應用的能效
為了滿足對碳化硅 (SiC) 晶體日益增長的需求,世界需要在不犧牲質量的情況下大幅提高產量。如今,SiC 晶體對于制造更小、更快、更高效的芯片和電力電子系統(tǒng)至關重要。然而,如果沒有能夠及時檢測出微小瑕疵的先進計量工具,SiC 晶體生長行業(yè)基本上是盲目操作,導致不可接受的缺陷和昂貴的產品損失。
在電動車發(fā)展的過程當中,充電和換電是兩個同時存在的方案。車載充電OBC可以通過兩相或三相電給汽車充電,但其無法滿足快充的需求?,F(xiàn)在充電樁發(fā)展迅速,已經有600kW的超充出現(xiàn),充電速度越來越逼近換電速度,但對電網(wǎng)壓力很大,還需要時間普及。換電則采取另外的方式,古代加急文書傳遞時,士兵在驛站更換體力充沛的馬匹繼續(xù)前行就是這種理念。
2024年7月5日,中國上海 -- 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 即將亮相于2024年7月8-10日舉辦的2024年慕尼黑上海電子展 (E4.4600展臺)。以“我們的科技始之于你”為主題,意法半導體將通過五十多個交互式應用演示,展示為滿足客戶和不斷變化的市場需求而專門研發(fā)、設計的半導體創(chuàng)新解決方案,涵蓋汽車、工業(yè)、個人電子產品和云基礎設施幾大領域。
擴大研發(fā)和生產能力,支持未來技術的發(fā)展
近年來,使用“功率元器件”或“功率半導體”等說法,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導體)元器件備受矚目。這是因為,為了應對全球共通的 “節(jié)能化”和“小型化”課題,需要高效率高性能的功率元器件。
硅成為制造半導體產品的主要原材料,廣泛應用于集成電路等低壓、低頻、低功率場景。但是,第一代半導體材料難以滿足高功率及高頻器件需求。