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安森美加速碳化硅創(chuàng)新，助力推進(jìn)電氣化轉(zhuǎn)型
推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET，顯著提升高耗電應(yīng)用的能效
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對碳化硅晶體生長行業(yè)微小缺陷檢測
為了滿足對碳化硅 (SiC) 晶體日益增長的需求，世界需要在不犧牲質(zhì)量的情況下大幅提高產(chǎn)量。如今，SiC 晶體對于制造更小、更快、更高效的芯片和電力電子系統(tǒng)至關(guān)重要。然而，如果沒有能夠及時檢測出微小瑕疵的先進(jìn)計量工具，SiC 晶體生長行業(yè)基本上是盲目操作，導(dǎo)致不可接受的缺陷和昂貴的產(chǎn)品損失。
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碳化硅模塊助力更可靠更高效的換電站快充電路設(shè)計
在電動車發(fā)展的過程當(dāng)中，充電和換電是兩個同時存在的方案。車載充電OBC可以通過兩相或三相電給汽車充電，但其無法滿足快充的需求?，F(xiàn)在充電樁發(fā)展迅速，已經(jīng)有600kW的超充出現(xiàn)，充電速度越來越逼近換電速度，但對電網(wǎng)壓力很大，還需要時間普及。換電則采取另外的方式，古代加急文書傳遞時，士兵在驛站更換體力充沛的馬匹繼續(xù)前行就是這種理念。
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意法半導(dǎo)體攜汽車、工業(yè)、個人電子和云基礎(chǔ)設(shè)施創(chuàng)新技術(shù)和方案 亮相2024 年慕尼黑上海電子展
2024年7月5日，中國上海 -- 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 即將亮相于2024年7月8-10日舉辦的2024年慕尼黑上海電子展 (E4.4600展臺)。以“我們的科技始之于你”為主題，意法半導(dǎo)體將通過五十多個交互式應(yīng)用演示，展示為滿足客戶和不斷變化的市場需求而專門研發(fā)、設(shè)計的半導(dǎo)體創(chuàng)新解決方案，涵蓋汽車、工業(yè)、個人電子產(chǎn)品和云基礎(chǔ)設(shè)施幾大領(lǐng)域。
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Nexperia將在漢堡投資2億美元
擴(kuò)大研發(fā)和生產(chǎn)能力，支持未來技術(shù)的發(fā)展
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何謂碳化硅
近年來，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導(dǎo)體)元器件備受矚目。這是因?yàn)?，為了?yīng)對全球共通的 “節(jié)能化”和“小型化”課題，需要高效率高性能的功率元器件。
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碳化硅在電子領(lǐng)域中的應(yīng)用
硅成為制造半導(dǎo)體產(chǎn)品的主要原材料，廣泛應(yīng)用于集成電路等低壓、低頻、低功率場景。但是，第一代半導(dǎo)體材料難以滿足高功率及高頻器件需求。
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安森美選址捷克共和國打造端到端碳化硅生產(chǎn)，供應(yīng)先進(jìn)功率半導(dǎo)體
這項(xiàng)棕地投資將為當(dāng)?shù)貛砀吣苄酒圃炷芰Γ﹄姎饣?、可再生能源和人工智能的未來發(fā)展
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電驅(qū)逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析
摘要：本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續(xù)工作時的溫度，分析兩個電驅(qū)逆變模塊驗(yàn)證，該測溫系統(tǒng)的驗(yàn)證方法是，根據(jù)柵源電壓閾值選擇每個模塊內(nèi)的裸片。我們將從實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中提取一個數(shù)學(xué)模型，根據(jù)Vth 選擇標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)測當(dāng)逆變器工作在電動汽車常用的電壓和功率范圍內(nèi)時的熱不平衡現(xiàn)象。此外，我們還能夠延長測試時間，以便分析在電動汽車生命周期典型電流負(fù)荷下的芯片行為。測試結(jié)果表明，根據(jù)閾壓為模塊選擇適合的裸片可以優(yōu)化散熱性能，減少熱失衡現(xiàn)象。
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意法半導(dǎo)體在意大利打造世界首個一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園
ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規(guī)模制造及封測綜合基地,在園區(qū)內(nèi)完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產(chǎn)，賦能汽車和工業(yè)客戶的電氣化進(jìn)程和高能效轉(zhuǎn)型
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吉利汽車與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議，深化新能源汽車轉(zhuǎn)型;成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，推動雙方創(chuàng)新合作
2024年6月4日，中國北京--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(tuán)(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉(zhuǎn)型。此外，吉利和ST還在多個汽車應(yīng)用領(lǐng)域的長期合作基礎(chǔ)上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，交流與探索在汽車電子/電氣(E/E)架構(gòu)(如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng))、高級駕駛輔助(ADAS)和新能源汽車等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案。
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Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
該筆交易有利于高電壓、高功率氮化鎵技術(shù)的持續(xù)發(fā)展
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英飛凌為小米SU7智能電動汽車供應(yīng)多款產(chǎn)品
【2024年5月6日，德國慕尼黑和中國上海訊】作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）宣布將為小米汽車最新發(fā)布的SU7智能電動汽車供應(yīng)碳化硅（SiC）HybridPACKTM Drive G2 CoolSiCTM功率模塊及芯片產(chǎn)品直至2027年。英飛凌的CoolSiC功率模塊可適應(yīng)更高的工作溫度，從而實(shí)現(xiàn)一流的性能、駕駛動力和壽命。例如，基于該技術(shù)的牽引逆變器可進(jìn)一步增加電動汽車?yán)m(xù)航里程。HybridPACK Drive是英飛凌市場領(lǐng)先的電動汽車功率模塊系列，自2017年以來已累計出貨近850萬顆。
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安森美2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會即將啟動
5城巡回研討會, 安森美全面解讀碳化硅方案在汽車和工業(yè)領(lǐng)域的10+趨勢性縱深應(yīng)用
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仿真微調(diào)：提高電力電子電路的精度
在電力電子和電路仿真領(lǐng)域，精度至關(guān)重要。仿真結(jié)果的真實(shí)性取決于各個器件所采用模型的準(zhǔn)確性。無論是 IGBT、碳化硅 (SiC) 還是硅 MOSFET，仿真預(yù)測的可靠性與模型的精度密切相關(guān)。老話說得好，“垃圾進(jìn)，垃圾出”，即如果輸入的是垃圾，那么輸出的也是垃圾。
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Microchip推出集成作動電源解決方案旨在簡化航空業(yè)向多電飛機(jī)轉(zhuǎn)型
Microchip 推出可配置的配套驅(qū)動板系列，使用基于碳化硅(SiC)或硅 (Si)技術(shù)的混合功率驅(qū)動模塊
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意法半導(dǎo)體碳化硅數(shù)位電源解決方案被肯微科技采用，用于高效率可靠的服務(wù)器電源供應(yīng)器設(shè)計及應(yīng)用
結(jié)合ST第三代碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管、STGAP隔離驅(qū)動器和STM32微控制器技術(shù)，此圖騰柱無橋式功率因數(shù)修正器(PFC)解決方案為一個即插即用的解決方案，滿足數(shù)據(jù)中心之高階服務(wù)器和電信通訊電源設(shè)計的需求
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英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度
【2024年3月13日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5.4 mm。該半導(dǎo)體器件得益于其較低的開關(guān)損耗，適用于太陽能（如組串逆變器）以及儲能系統(tǒng)和電動汽車充電應(yīng)用。
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英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)
【2024年3月12日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比， 英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)(如能量和電荷儲量)提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動了低碳化進(jìn)程。
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如何利用碳化硅打造下一代固態(tài)斷路器
如今，碳化硅 (SiC) 器件在電動汽車 (EV) 和太陽能光伏 (PV) 應(yīng)用中帶來的性能優(yōu)勢已經(jīng)得到了廣泛認(rèn)可。不過，SiC 的材料優(yōu)勢還可能用在其他應(yīng)用中，其中包括電路保護(hù)領(lǐng)域。本文將回顧該領(lǐng)域的發(fā)展，同時比較機(jī)械保護(hù)和使用不同半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)的固態(tài)斷路器 (SSCB) 的優(yōu)缺點(diǎn)。最后，本文還將討論為什么 SiC 固態(tài)斷路器日益受到人們青睞。
