英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

【2024年3月13日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5.4 mm。該半導體器件得益于其較低的開關損耗，適用于太陽能（如組串逆變器）以及儲能系統(tǒng)和電動汽車充電應用。

英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)

【2024年3月12日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統(tǒng)和能量轉換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比， 英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術在確保質量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(如能量和電荷儲量)提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。

如何利用碳化硅打造下一代固態(tài)斷路器

如今，碳化硅 (SiC) 器件在電動汽車 (EV) 和太陽能光伏 (PV) 應用中帶來的性能優(yōu)勢已經(jīng)得到了廣泛認可。不過，SiC 的材料優(yōu)勢還可能用在其他應用中，其中包括電路保護領域。本文將回顧該領域的發(fā)展，同時比較機械保護和使用不同半導體器件實現(xiàn)的固態(tài)斷路器 (SSCB) 的優(yōu)缺點。最后，本文還將討論為什么 SiC 固態(tài)斷路器日益受到人們青睞。

意法半導體隔離柵極驅動器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應用伴侶

STGAP系列隔離柵極驅動器具有穩(wěn)健性能、簡化設計、節(jié)省空間和高可靠性的特性

安森美公布2023年第四季度及全年業(yè)績

2023年汽車業(yè)務收入創(chuàng)紀錄，同比增長29%

英飛凌與Wolfspeed擴展并延長多年期 150mm 碳化硅晶圓供應協(xié)議

【2024年1月26日，德國慕尼黑和美國北卡羅來納州達勒姆訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與全球碳化硅技術領域的領導者Wolfspeed（NYSE代碼：WOLF）近日宣布擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協(xié)議。經(jīng)過此次擴展，雙方的合作又新增了一項多年期產(chǎn)能預訂協(xié)議。這不僅有助于提升英飛凌總體供應鏈的穩(wěn)定性，還能幫助滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅半導體產(chǎn)品日益增長的需求。

致瞻科技采用意法半導體碳化硅技術，提高新能源汽車電動空調壓縮機控制器能效

提升電動汽車夏冬續(xù)航里程，降低整車擁有成本

意法半導體碳化硅助力理想汽車加速進軍高壓純電動車市場

2023年12月22日，中國北京-服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)，與設計、研發(fā)、制造和銷售豪華智能電動車的中國新能源汽車龍頭廠商理想汽車(紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項碳化硅(SiC)長期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署。

碳化硅在電子器件中的應用如何？有何特點？

在這篇文章中，小編將對碳化硅材料的相關內容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內容吧。

碳化硅材料具有哪些特點？未來發(fā)展如何？

一直以來，碳化硅材料都是大家的關注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)硖蓟璨牧系南嚓P介紹，詳細內容請看下文。

碳化硅MOS/超結MOS在直流充電樁上的應用-REASUNOS瑞森半導體

MOS管在直流充電樁上的應用：推薦瑞森半導體-650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超結MOS系列

Microchip推出壓接式端子電源模塊SP1F和SP3F 實現(xiàn)自動化安裝過程，為大批量生產(chǎn)提供免焊接解決方案

SP1F和SP3F電源模塊采用碳化硅(SiC)或硅 (Si)技術，可配置性高并適配壓接式端子

碳化硅電子熔絲演示器為設計人員提供電動汽車電路保護解決方案

早在十多年前，電動汽車就已經(jīng)引入400V電池系統(tǒng)，現(xiàn)在我們看到行業(yè)正在向800V系統(tǒng)遷移，主要是為了支持直流快速充電。隨著電壓的提高和從400V系統(tǒng)中學到的經(jīng)驗教訓，設計人員現(xiàn)在正專注于增強高壓保護電路的性能并提高可靠性。他們正在重新評估使用熔絲、接觸器或繼電器的現(xiàn)有解決方案，以尋找響應速度更快、穩(wěn)健性更強且可靠性更高的解決方案，如熱熔絲和電子熔絲（即E-Fuse）。

英飛凌推出全新62 mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合，助力實現(xiàn)更高效率和功率密度

【2023年11月29日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅(SiC)MOSFET技術。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術在這一功率等級應用的的功率密度已達極限值。相比傳統(tǒng)的62mm IGBT 模塊，其應用范圍現(xiàn)已擴展至太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引、商用感應電磁爐和功率轉換系統(tǒng)等。

碳化硅半導體與碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈概述

隨著科技的不斷發(fā)展，半導體材料在電子、通信、航空航天等領域的應用越來越廣泛。其中，碳化硅(SiC)作為一種具有優(yōu)異性能的半導體材料，已經(jīng)成為了全球半導體產(chǎn)業(yè)的研究熱點。本文將對碳化硅半導體及其產(chǎn)業(yè)鏈進行概述，以期為讀者提供一個全面的了解。

引領工業(yè)數(shù)智化深刻變革，意法半導體正打造中國市場的戰(zhàn)略縱深

近日，在成功舉辦的2023意法半導體工業(yè)峰會上，意法半導體展示了作為工業(yè)上游的領軍半導體企業(yè)，對當下第三代半導體技術、落地方案和生態(tài)戰(zhàn)略等方面的布局。換句話來說，意法半導體正在捕捉國內工業(yè)數(shù)智化深度變革的一次機遇，并為各產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展提供堅實的全方位支持。

Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達成戰(zhàn)略合作伙伴關系

此次合作將利用雙方的協(xié)同優(yōu)勢進一步提升碳化硅(SiC)技術

速來圍觀|瑞森半導體慕尼黑華南電子展主題演講

現(xiàn)代汽車、起亞與英飛凌簽署功率半導體長期供貨協(xié)議

【2023 年 11 月7日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與現(xiàn)代汽車和起亞簽署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導體長期供貨協(xié)議。英飛凌將建設并保留向現(xiàn)代/起亞供應碳化硅及硅功率模塊和芯片的產(chǎn)能直至 2030 年。現(xiàn)代/起亞將出資支持這一產(chǎn)能建設和產(chǎn)能儲備。

Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊

雙方就SiC模塊的合作進一步提升了模塊緊湊度和功率密度