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Microchip推出MPLAB? AI編碼助手，推動(dòng)人工智能與嵌入式開發(fā)相結(jié)合
利用人工智能工具提升軟件開發(fā)效率與準(zhǔn)確性
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利用與硬件無關(guān)的方法簡(jiǎn)化嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)：基本知識(shí)
本文將演示一種加速嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)原型階段的方法，說明如何將與硬件無關(guān)的驅(qū)動(dòng)程序和傳感器結(jié)合使用，簡(jiǎn)化整個(gè)嵌入式系統(tǒng)的器件選擇。同時(shí)還將介紹嵌入式系統(tǒng)的器件、典型軟件結(jié)構(gòu)以及驅(qū)動(dòng)程序的實(shí)現(xiàn)。后續(xù)文章“利用與硬件無關(guān)的方法簡(jiǎn)化嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)：驅(qū)動(dòng)程序?qū)崿F(xiàn)”將進(jìn)一步探討執(zhí)行過程。
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【信息圖】汽車行業(yè)正在發(fā)生變化：創(chuàng)新半導(dǎo)體解決方案如何解決車載連接挑戰(zhàn)
汽車行業(yè)正經(jīng)歷以智能化、電動(dòng)化及互聯(lián)化為核心的深刻變革，這些技術(shù)的快速發(fā)展驅(qū)動(dòng)著整個(gè)行業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)。在此過程中，車載通信系統(tǒng)作為關(guān)鍵支撐技術(shù)，正面臨全新挑戰(zhàn)。
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摩爾斯微電子推出全球首款 Wi-Fi 4 和Wi-Fi HaLow雙認(rèn)證路由器 ：現(xiàn)已在 Mouser.com 上發(fā)售，售價(jià)805元
2025年2月20日，澳大利亞悉尼和美國(guó)加州爾灣——摩爾斯微電子，全球領(lǐng)先的 Wi-Fi HaLow 芯片供應(yīng)商，今日宣布全球首款通過 Wi-Fi 聯(lián)盟認(rèn)證的 Wi-Fi 4 及 Wi-Fi HaLow 路由器HaLowLink 1 重磅上市！這一突破性設(shè)備已通過 FCC、IC 和 RCM 認(rèn)證，使開發(fā)者、系統(tǒng)集成商和制造商能夠在一個(gè)緊湊型路由器中充分利用遠(yuǎn)距離、高效能的 Wi-Fi HaLow 與傳統(tǒng) Wi-Fi 4 (802.11n) 連接相結(jié)合的強(qiáng)大功能。HaLowLink 1 現(xiàn)已在 Mouser 上線，售價(jià) 805元。
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度
【2025年2月20日, 德國(guó)慕尼黑訊】電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。
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TrendForce集邦咨詢：預(yù)估2025年電競(jìng)顯示器面板出貨增長(zhǎng)放緩，LCD面板年增約5%，OLED面板年增約40%
Feb. 19, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，2024年全球LCD電競(jìng)顯示器面板(刷新率144Hz以上)出貨量為3242萬片，年增12%?，F(xiàn)階段來看，因缺乏明確的刺激因素，加上面板廠在主流電競(jìng)顯示器產(chǎn)品盈利面臨極大挑戰(zhàn)，預(yù)計(jì)2025年出貨量成長(zhǎng)將放緩至年增5%，約到3400萬片左右。
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Bourns 推出高額定電流 AEC-Q200 認(rèn)證車規(guī)級(jí)屏蔽功率電感系列
全新電感系列采用鐵氧體芯和鐵氧體屏蔽設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)低磁場(chǎng)輻射，適用于對(duì)低噪聲運(yùn)行要求嚴(yán)格的應(yīng)用
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GRAS 發(fā)布全新 EQset? 系列測(cè)量傳聲器 40PO-L/40PO-H
優(yōu)化生產(chǎn)線測(cè)試，實(shí)現(xiàn)高精度、少停機(jī)和低成本
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憑借智能 NoC IP - FlexGen，Arteris革新半導(dǎo)體設(shè)計(jì)，帶來全面升級(jí)的生產(chǎn)率和結(jié)果質(zhì)量
加利福尼亞州坎貝爾，2025 年 2 月 18 日 - 致力于加速系統(tǒng)級(jí)芯片 (SoC) 開發(fā)的領(lǐng)先系統(tǒng) IP 提供商 Arteris 公司(納斯達(dá)克股票代碼：AIP)今天推出了FlexGen，這是一款全面升級(jí)的智能片上網(wǎng)絡(luò) (NoC) 互連 IP。Arteris的FlexGen在優(yōu)化性能效率的同時(shí)，可顯著加快芯片開發(fā)速度，滿足汽車、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子、通信和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)τ诟臁⒏沙掷m(xù)變革帶來的不斷增長(zhǎng)的需求。FlexGen 可將生產(chǎn)率提升高達(dá) 10 倍，從而大幅減少了設(shè)計(jì)迭代，顯著縮短開發(fā)尖端芯片所需的時(shí)間。FlexGen 還實(shí)現(xiàn)了多達(dá)30% 布線長(zhǎng)度減少?gòu)亩档凸?，并?shí)現(xiàn)多達(dá)10% 的延遲減少，從而提高了SoC 和芯粒設(shè)計(jì)的性能。
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新款R&S SMW200A 和R&S SMM100A 矢量信號(hào)發(fā)生器的EVM 性能顯著提升
羅德與施瓦茨(以下簡(jiǎn)稱“R&S”)升級(jí)了業(yè)界領(lǐng)先的R&S SMW200A矢量信號(hào)發(fā)生器及其同系列中端產(chǎn)品R&S SMM100A。升級(jí)后的R&S SMW200A在誤差矢量幅度 (EVM) 性能方面有了大幅提升，成為5G NR FR3 研發(fā)測(cè)試和高要求射頻應(yīng)用(如功放測(cè)試)的理想之選。該儀器還添加了射頻線性化軟件新選件，通過數(shù)字預(yù)失真來優(yōu)化高輸出功率下的EVM。同時(shí)，R&S SMM100A也進(jìn)行了升級(jí)，提升了 EVM性能。
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羅德與施瓦茨聯(lián)合 7layer 公司推出藍(lán)牙射頻一致性測(cè)試解決方案，驗(yàn)證藍(lán)牙信道探測(cè)功能
7layers成功驗(yàn)證了其Interlab藍(lán)牙射頻測(cè)試解決方案中的信道探測(cè)(Channel Sounding)認(rèn)證測(cè)試，該測(cè)試基于R&S CMW寬帶無線電通信測(cè)試儀。羅德與施瓦茨(以下簡(jiǎn)稱“R&S”)和 7layers 公司以及主流芯片制造商攜手打造該測(cè)試平臺(tái)，它也是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟(Bluetooth? SIG)列出的首個(gè)可執(zhí)行藍(lán)牙? RF PHY 6.0版本信道探測(cè)認(rèn)證測(cè)試的平臺(tái)。藍(lán)牙信道探測(cè)作為一項(xiàng)全新的安全精細(xì)測(cè)距功能，將為消費(fèi)者和商業(yè)應(yīng)用帶來前所未有的定位精度。
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自動(dòng)測(cè)試設(shè)備應(yīng)用中PhotoMOS開關(guān)的替代方案
本文提出，CMOS開關(guān)可以取代自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)廠商使用的PhotoMOS?開關(guān)。CMOS開關(guān)的電容乘電阻(CxR)性能可以與PhotoMOS相媲美，且其導(dǎo)通速度、可靠性和可擴(kuò)展性的表現(xiàn)也很出色，契合了先進(jìn)內(nèi)存測(cè)試時(shí)代ATE廠商不斷升級(jí)的需求。
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意法半導(dǎo)體面向可穿戴設(shè)備的無線充電解決方案
創(chuàng)新將成為產(chǎn)品成功的關(guān)鍵。無線充電是發(fā)展勢(shì)頭迅猛的新興技術(shù)之一。電磁感應(yīng)式充電是目前最主流的無線充電技術(shù)，緊隨其后的是諧振式無線充電。無線充電聯(lián)盟負(fù)責(zé)維護(hù)和制定各種無線充電應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)，其中包括功率高達(dá) 15W 的智能手機(jī)和便攜式設(shè)備無線充電的Qi標(biāo)準(zhǔn)。該聯(lián)盟有 350 多家成員公司，半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體也是其中之一。
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Nordic Semiconductor 賦能 Matter over Thread 智能庭院門鎖
Secuyou 智能門鎖集成了 Nordic 的 nRF52840 多協(xié)議 SoC，提供安全的 Matter over Thread 智能家居連接
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CGD 獲得3,200萬美元融資，以推動(dòng)在全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的增長(zhǎng)
2025年2月19日 英國(guó)劍橋- 氮化鎵(GaN)功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國(guó)耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國(guó)企業(yè)發(fā)展基金(BGF)、劍橋創(chuàng)新資本公司(CIC)、英國(guó)展望集團(tuán)(Foresight Group)和 IQ Capital 的支持。
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